英飞凌1200V（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）沟槽型碳化硅MOSFET

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英飞凌1200V 沟槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）
英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应，从而实现更快的开关速度和更高的效率。

型号：IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1
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' f; U! e3 h( Q2 |  }; p  f! `批次：最新21+
描述：采用TO247-4封装的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。

! x" }2 m; ?2 W- q优势
, ~2 D: X6 R, `% T7 ~: F! u: V最高效率
减少冷却工作
7 W5 @1 J5 F; k: D: k5 H更高频率的运行
增加功率密度
降低系统的复杂程度
8 j7 r" Z: J6 ^8 L" I
0 y. h5 h+ p( w% [, U; ]3 }- O& T
; Z6 r/ \9 c9 E2 u9 j规格
8 I. e) |, V4 l/ Y' b

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 225A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.9 毫欧 @ 108A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +20V，-5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 750W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 PG-TO247-3  

封装/外壳 TO-247-3

应用领域
. A! c% r) w" g电池化成
电动汽车快速充电
0 m% Z: F8 Y. H' t* n' e* q电机控制和驱动
电源
! a! U6 d% Q$ ?( _4 {& T太阳能系统解决方案
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电子库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源ic、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。

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Terran

膜拜楼主！！！学习学习

Ele_insect

谢谢分享，很棒