英飞凌1200V（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）沟槽型碳化硅MOSFET

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英飞凌1200V 沟槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）
& @* U/ C# I' P/ B, m英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应，从而实现更快的开关速度和更高的效率。
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型号：IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1
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批次：最新21+
描述：采用TO247-4封装的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。
5 U) N% f% k# S% A* m
( N% `- \/ _4 z* t% R9 O优势
) Q% M% \' l' Q- \4 a最高效率
+ D% m' V+ Y& g6 l$ K5 k减少冷却工作
更高频率的运行
增加功率密度
8 N8 P/ ~! U1 X( W降低系统的复杂程度
3 y# M1 j5 o2 K, Z
- s: _/ p+ `. w4 F# A" h/ P) y* W
0 M' s0 m, @4 n" U0 a规格
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FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 225A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9.9 毫欧 @ 108A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +20V，-5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 750W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 PG-TO247-3  

封装/外壳 TO-247-3

应用领域
电池化成
电动汽车快速充电
1 ]$ `/ T* r2 E# F9 k) S$ `! _1 w电机控制和驱动
0 ~6 n; [( j' P% ~+ j; w+ h/ q" p电源
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7 l1 b6 \: X! `4 M7 Y电子库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源ic、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。

英飞凌沟槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）

Terran

膜拜楼主！！！学习学习

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谢谢分享，很棒