MOS新秀新品推荐:-60V SGT介绍

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2022年乐瓦微推出新一代60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。
! J; p- N9 q& B* d: _. ]" |; J9 PP 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流，独特的栅极负压开启机制，使其成为高端开关的理想选择。P 沟道MOSFET特性的优势在于可简化栅极驱动技术，降低应用的设计复杂度，从而降低整体成本。
乐瓦微-60V P沟道MOSFET提供超低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS＝10V 条件下, 器件的 RDS(ON)_Typ低达5.5mΩ，广泛应用于电池保护、反极性保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。
% m3 _# M: r  O8 D( Q# l乐瓦微-60V P沟道MOSFET封装范围包括TO-220、TO-263、TO-252、DFN5*6、PDFN3.3*3.3、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供最优的解决方案。
60V P-ch SGT MOSFET 产品组合
2 E# b* \% C' p$ ?  |3 B乐瓦微简介
上海乐瓦微电子科技有限公司总部位于上海，在深圳和无锡设有分公司，是一家集MOS、LDO、mcu研发、设计与销售的先进半导体设计公司，也是上海市高新技术企业，主要产品门类：高压VDMOS（900~1500V系列）、中低压沟槽MOS（20V~250V NMOS;-20V~-40V PMOS）、中低压SGT-MOS(-100V~150V)以及LDO（高PSRR、低Iq、高输入电压以及大输出电流四大系列）、MCU系列产品。
乐瓦微依托国内外一线先进的晶圆生产平台。以及长电、捷敏以及杰群等优秀的产品封测平台，不断推陈出新，开发出一系列应用于工业控制、医疗、PC/服务器、消费电子、通讯电源、以及IoT等应用领域的高可靠性产品，同时坚定不移地持续提升技术创新，以卓越的性能和稳定的品质服务全球客户。

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