DDR2布线规则

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DDR2 布线规则
) `! i) N. g5 z- i- ]: G8 f& j1. 信号分类
1 B6 Z+ a, _- w: g2 M8 ol Data Group: MDQS/MDQS_N，MDM，MDQ，MECC
l Address/CMD Group: MBA，MA，MRAS_N，MCAS_N，MWE_N
l Control Group: MCS_N，MCKE，MODT
# @4 _& L1 m0 m# R5 Xl Clock Group: MCK，MCK_N
2. 数据通道(假定数据宽度为 32bit)
  d1 f6 k- ~8 j, N/ X5 g  M( W7 `Byte lane0: MDQ[7..0] MDM0 MDQS0 MDQS0_N
% t6 ?" [' ?. N7 pByte lane1: MDQ[15..8] MDM1 MDQS1 MDQS1_N
Byte lane2: MDQ[23..16] MDM2 MDQS2 MDQS2_N
Byte lane3: MDQ[31..24] MDM3 MDQS3 MDQS3_N
3. 布线顺序(仅工参考，用处不大)：
l Data
5 s5 w; _" @; |5 N) Wl Address/Command
( v4 |, f* y, a+ s  Il Control
  n. F0 P; z. n4 R3 E* bl Clock
& y; B6 ~) h! ~; ol Power
4. DDR2 数据信号类 (假定 DDR2 线宽 5mil)
2 f; |+ Z, m! E: }7 q7 }l 单端阻抗：50R~60R(MDQ MDM)
# x6 f  r3 f  u6 B3 Cl 差分阻抗：100R~120R(MDQS MDQS_N)
- ~# s7 e, h# c4 G$ ol 与 DDR2 线间距离 >10mil (DIMM 内存条内部可减小到 7mil)
- A! M* G) ]! \8 M& j  s- Fl 与非 DDR2 信号线间的距离 > 25mil
l 蛇形走线要确保线间距离 >25mil
# S5 y5 P4 m7 Z  \3 Q) ql 对所有的数据通道而言，长度差控制在 500mil 以内
# A7 @; V( q! T" ^# ~" o) |7 Z5 gl 针对每个数据通道来说，数据线长度与其对应的 MDQS 差分对控制在 20mil 以内
9 S1 m0 J* h+ K+ Zl MDQS/MDQS_N 间的长度差控制在 10mil 以内
l MDQS/MDQS_N 避免与噪声信号或时钟信号相邻走线
; a; A- Q0 r# ?: xl MDQS/MDQS_N 与其对应的数据信号线走在同一层
4 G# u& ]! `; _% A3 o5. DDR2 地址/命令信号类(假定 DDR2 线宽 5mil)
l 单端阻抗：50R~60R
l 所有走线的长度差控制在 100mil 以内
l 参考平面为 1.8V 电源层或者是地信号层(最好是地)
; m* D% v) Y9 n7 }l 与非 DDR2 地址/命令信号线间的距离 > 25mil
7 |* L) i- p' Hl DDR2 地址/命令线间距离应大于 10mil
3 q: K: ~6 j" m( C; p/ M: e6. DDR2 控制信号类
l 单端阻抗：50R~60R
l 所有走线的长度差控制在 100mil 以内
6 b+ e  A0 T+ g2 h3 I1 Sl 参考平面为 1.8V 电源层或者是地信号层(最好是地)
l 与非 DDR2 控制信号线间的距离 > 25mil
l DDR2 控制线间距离应大于 10mil
4 M) E4 R1 o9 |& L, R9 V7. DDR2 时钟信号类
l 单端阻抗：50R~60R
l 在时钟线上，推荐串联一个 0R 电阻，可以灵活控制时钟线长度
l 在时钟差分对间，推荐并联使用 1 个 5pF 电容，靠近设备放置
l 时钟差分对信号长度控制在 10mil 以内
l MDQS/MDQS_N 避免与噪声信号或时钟信号相邻走线
l 对所给的叠层结构，应保持 MCK/MCK_N 的阻抗连续
8 x# u' X5 w' X5 l) ?. e" yl MCK/MCK_N 应走线在同一关键层，避免将时钟线分成两部分走线
l 与别的任何信号线间的距离应>25mil
6 y+ E/ D1 J, M0 g5 |: |6 {l 如果在时钟线上串接了 0R 电阻，过孔打在电阻附近，而且该过孔周围放置地孔

Dollche

谢谢楼主，实在是好东西啊

zhi_hui_zhou

看看，学习学习。。