DDR2布线规则

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DDR2 布线规则
1. 信号分类
3 y) u2 I/ J; Cl Data Group: MDQS/MDQS_N，MDM，MDQ，MECC
) N0 P2 p% D" U" d, d; y3 cl Address/CMD Group: MBA，MA，MRAS_N，MCAS_N，MWE_N
% a) h  J/ d: J! \4 [* Ll Control Group: MCS_N，MCKE，MODT
$ T( W. C5 ]' m$ p- ^, M8 N$ ml Clock Group: MCK，MCK_N
2. 数据通道(假定数据宽度为 32bit)
( C+ c! @, X: J  c! o9 JByte lane0: MDQ[7..0] MDM0 MDQS0 MDQS0_N
. B9 l( S" A' O) @. c" O* b4 vByte lane1: MDQ[15..8] MDM1 MDQS1 MDQS1_N
) C" Z; u9 C. C3 }( OByte lane2: MDQ[23..16] MDM2 MDQS2 MDQS2_N
Byte lane3: MDQ[31..24] MDM3 MDQS3 MDQS3_N
3. 布线顺序(仅工参考，用处不大)：
l Data
l Address/Command
l Control
# D4 E7 d# m2 X2 |$ r# al Clock
l Power
4. DDR2 数据信号类 (假定 DDR2 线宽 5mil)
' N4 C- ]8 G& J$ G7 ml 单端阻抗：50R~60R(MDQ MDM)
- l+ Z% T. Q1 m* G1 z. u9 |l 差分阻抗：100R~120R(MDQS MDQS_N)
6 ~: Y& g! A) S6 |, ~' wl 与 DDR2 线间距离 >10mil (DIMM 内存条内部可减小到 7mil)
) P" G7 D3 [$ [) K$ ]l 与非 DDR2 信号线间的距离 > 25mil
l 蛇形走线要确保线间距离 >25mil
l 对所有的数据通道而言，长度差控制在 500mil 以内
l 针对每个数据通道来说，数据线长度与其对应的 MDQS 差分对控制在 20mil 以内
) ?$ P% J+ p5 a% e" p2 ml MDQS/MDQS_N 间的长度差控制在 10mil 以内
" e/ t* I5 {& cl MDQS/MDQS_N 避免与噪声信号或时钟信号相邻走线
' c, C) u( B& s" s" A( \l MDQS/MDQS_N 与其对应的数据信号线走在同一层
5. DDR2 地址/命令信号类(假定 DDR2 线宽 5mil)
9 b# Q0 N4 e$ P2 T. Wl 单端阻抗：50R~60R
l 所有走线的长度差控制在 100mil 以内
l 参考平面为 1.8V 电源层或者是地信号层(最好是地)
l 与非 DDR2 地址/命令信号线间的距离 > 25mil
) f3 g- a# @4 w0 ]8 ~l DDR2 地址/命令线间距离应大于 10mil
9 j$ B  ?- n" n% A' o6. DDR2 控制信号类
; `9 }/ S0 \! ul 单端阻抗：50R~60R
) c! r, F. N5 ?l 所有走线的长度差控制在 100mil 以内
8 S6 `# D* Q1 x% h" pl 参考平面为 1.8V 电源层或者是地信号层(最好是地)
; a( g; j% z8 ~: T6 H' U0 {  Xl 与非 DDR2 控制信号线间的距离 > 25mil
l DDR2 控制线间距离应大于 10mil
7. DDR2 时钟信号类
l 单端阻抗：50R~60R
' S2 A7 N* y$ o% r1 b) xl 在时钟线上，推荐串联一个 0R 电阻，可以灵活控制时钟线长度
1 L" b& n1 y$ \0 c0 g9 ml 在时钟差分对间，推荐并联使用 1 个 5pF 电容，靠近设备放置
- x& z2 D$ l. }l 时钟差分对信号长度控制在 10mil 以内
l MDQS/MDQS_N 避免与噪声信号或时钟信号相邻走线
l 对所给的叠层结构，应保持 MCK/MCK_N 的阻抗连续
) ^8 A( v6 w/ h% H, v! al MCK/MCK_N 应走线在同一关键层，避免将时钟线分成两部分走线
  s1 |" L4 J  a1 A/ Tl 与别的任何信号线间的距离应>25mil
- z4 E& B4 O8 C% P/ l( J* w& T8 nl 如果在时钟线上串接了 0R 电阻，过孔打在电阻附近，而且该过孔周围放置地孔

Dollche

谢谢楼主，实在是好东西啊

zhi_hui_zhou

看看，学习学习。。