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MOS和达林顿作开关哪个速度快

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发表于 2022-9-13 11:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS和达林顿作为开关用,都可以输出一定的电流,我看到在小型的开关电源中多数使用MOS作为开关元件,当然驱动是比较理想的情况下,达林顿可以达到电流饱和,同等的电流强度下MOS和达林顿作开关哪个速度快
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    2#
    发表于 2022-9-13 13:18 | 只看该作者
    以当前的工艺水平,同样功率等级下,是功率MOS快一些。
    : g$ h- t5 @5 e* e/ \4 t/ ~
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    3#
    发表于 2022-9-13 13:27 | 只看该作者
    达林顿管速度慢,功率的损耗相比MOS还大
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    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-9-13 13:33 | 只看该作者
    Mosfet用栅极来控制电压漏极电流,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2022-9-16 18:05 | 只看该作者
    我想你这个问题应该是关于频率高低而不是速度快慢0 f/ L/ I( C3 n" s$ x
    + C3 r4 ?* h+ g7 r/ H
    mos是charge 控制的开关,- B) n2 u" W- J- @: h8 F! u7 J: Z
    dalington 或bjt 是电流控制的开关5 o: _+ ^( L2 X, {/ G$ m

    / \6 W# ^4 d& y% P3 z/ V3 y- Q这是2者本质的区别,你的问题就是,控制一个开关电流或者charge哪一个频率高呢?
    3 {) ]& R) i; p" v" F4 ]) ]  j0 l6 a+ `8 s' l
    charge的开和关都需要一定的时间这也就限制了频率,但是在中低频的开关损耗低,也就是功效较高- e* o3 k, b! C: z: i5 a

    - \7 N4 d5 L- i; O; W$ ^9 U如果你在高频区间开关,无法接受mos的charge和discharge时间,那就只能选择电流控制的开关了。2 ]7 V; R% }! q1 ^
    $ K0 A' w1 J4 x
    当然,你如果有经费可以用,非硅材质的开关。
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