NTMFS4 _NTMFS4C09NT1G 30V/52A功率MOSFET参数介绍

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NTMFS4 _NTMFS4C09NT1G 功率 MOSFET 30V、52A、单N-通道、SO-8FL  进口原装
4 w- w5 w; Y, U; O$ ]
3 u, T2 X+ J* e3 @" v, y' v产品规格
% L% w8 s$ y3 Y2 Y7 pFET 类型 N 通道
8 r! V' B( Y8 B+ o$ C技术 MOSFET（金属氧化物）
+ Z3 h2 u& b' h/ g漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
4 F3 p4 i: p1 _不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
( t8 Q) k* u, H, c% R' C7 y" ^6 o不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1252 pF @ 15 V
: i+ W6 A4 S/ o! U% R+ w% ^FET 功能 -
( C6 ?) j5 x7 N# w" F( B) N$ A功率耗散（最大值） 760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
) B( Q& r/ h; N安装类型 表面贴装型
; p5 w1 J/ y. H供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
' p. ]9 H0 t; o封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线

0 S& F7 z3 e/ r3 E8 y应用
CPU 供电
DC-DC转换器

晶体管 NTMFS4C09NT1G
  j1 B1 S% `; u8 H7 H- Q& Y

niubility

分享知识，提高同行之间的技术水平。驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V这个性能到底怎么样
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Crash

漏源电压（Vdss） 30 V，这竟然能有30V，挺强的。(*^▽^*)