NTMFS4C05NT1G，NTMFS4C09NT1G，NTMFS4C55NT1G单N沟道功率MOSFET场效应管

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NTMFS4C05NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，78 A，3.4mΩ
* `5 O) E. ?1 i2 X- e6 o/ p4 ~规格：
. C% I4 `; S6 ?* c/ ?' B+ A! }FET 类型：N 通道
" v9 k9 w( m  S  X/ U! ~技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
9 [* ^, W' V" j  U! k+ _3 U; E25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
+ I3 P, R7 i6 b8 I5 N. L/ ~" H不同 Id、Vgs 时导通电阻：3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)：2.2V @ 250µA
' E/ X7 X  m/ `. o; K不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：14 nC @ 4.5 V
5 I6 ~) m/ P5 r& m0 t1 UVgs：±20V
8 m+ ~. f+ u  |8 b! A  j不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1972 pF @ 15 V
功率耗散：770mW（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- B( ]4 m% X5 L) n  y, |/ P( V安装类型：表面贴装型
4 J6 m6 o8 v: e$ ~0 c) G供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
5 H0 K2 x& f- l$ c/ P! [* B; k封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
7 E5 f* |" ?& H8 u- L% e6 i8 U
$ l* X  ^& D: M9 O* ?4 K: u" g特性：
; v' L$ K+ B8 ?! |+ X低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗
6 e( l+ q5 y8 c! b低电容以最大限度地减少驱动器损耗
) B7 G. q: `' ~# b9 `( [( s2 I" d优化栅极电荷以最小化开关损耗
符合 RoHS 标准
1 ^6 d5 m/ t+ ?1 q+ k4 ]/ q/ I3 c
; g3 P; P: p# X3 P( X应用：
CPU 供电
9 Z% W: \2 P6 q  TDC-DC转换器

NTMFS4C09NT1G: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ
5 v3 q& S5 T' r$ V规格：
FET 类型：N 通道
( V/ H8 M0 @- P8 t" X技术：MOSFET（金属氧化物）
  x# X3 Z( @4 U7 l" _# \0 a漏源电压（Vdss）：30 V
8 h8 I4 G- B. B6 E+ S; E" _25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Ta）
3 v$ R% G- M, A3 E9 m. ~4 W驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻：5.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：10.9 nC @ 4.5 V
7 I( W( f5 z" W0 @Vgs：±20V
+ y/ j" P9 q1 t4 d# r7 ], i不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1252 pF @ 15 V
功率耗散：760mW（Ta），25.5W（Tc）
) v9 t; ~- d* B工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
4 d  ]% D$ P. r# u- ]* Z安装类型：表面贴装型
/ }" d# ?+ z# [& G供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

3 M& u' B% p8 h, L- H$ ~4 H特性：
0 Y0 l5 r" i% R6 n. Q% [( a低 RDS(on) 可最大限度地减少传导损耗
3 L# X$ K: v8 D0 u1 p- M8 U$ r' t低电容以最大限度地减少驱动器损耗
优化栅极电荷以最小化开关损耗
符合 RoHS 标准

应用：
. q& {5 b% }% j* d% Q/ N0 aCPU 供电
5 V, D( G3 g# ZDC-DC转换器
& a& u  a1 V; T7 V' ?
NTMFS4C55NT1G：功率 MOSFET 30 V、78 A、单 N-沟道、SO-8 FL
. Q6 ~$ g: C% N# L5 V) o% N5 I, e& p特征：
低 RDS(on) 以最大限度地减少传导损耗
  A: w5 M4 W5 `  W+ r. s( h低电容以最大限度地减少驱动器损耗
优化栅极电荷以最小化开关损耗
, x# b$ n* L! V3 m* U这些器件无铅、无卤素/无 BFR，并且符合 RoHS 标准

应用：
CPU 供电
) m( u* a: P: \8 [7 ?' @DC-DC 转换器

/ x% G4 i9 {7 N: ]NTMFS4C05NT1G，NTMFS4C09NT1G，NTMFS4C55NT1G：单N沟道，功率 MOSFET场效应管！
中间的最大电流承载力小，电阻大。选用时，根据参数选择需要的芯片。

( g: c8 `; X# c

niubility

+ I, R" Z, P( y: U- ?
$ @2 w0 n; `" g低电容以最大限度地减少驱动器损耗: 这样的话，大电压就比较危险了！随时准备烧了，当然，在安全的情况下，还是尽量的小
& m. [3 {3 |8 k: ]9 y0 L4 @

zhi_hui_zhou

+ ]0 N7 h3 F' q+ m# y/ a7 y
3 X$ r8 g9 P2 l4 J6 j$ FMOSFET有垂直导电结构与横向导电结构，而功率MOSFET几乎都是由垂直导电结构组成的