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请教关于PCB单面放置元器件电路板的滤波问题

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1#
发表于 2012-1-10 14:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 blue822180 于 2012-1-10 14:48 编辑
; d" t7 ]6 g2 N
8 g$ M. K# x7 X% o3 o' U1 U) d最近在做邮票封装,在制作过程中我遇见一个问题:就是邮票封装的器件只能放在表层。因此系统内有些管脚密度较高的芯片,例如SC6410一类的电路板,其滤波如何处理?这个我考虑很久了,但是 一直没有想明白:如果电容放置的位置离管脚太远则起不到滤波作用,若将滤波芯片放置在邮票封装的进口——例如电源的输入端,对输入信号进行滤波。虽然有一定作用,但是芯片内有晶振一类器件其本身也是干扰源,这些干扰源对系统内的影响有无法消除。所以小弟在这里拜求各位老大指点一二

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2#
 楼主| 发表于 2012-1-10 14:49 | 只看该作者
哪位老大给点建议吧,这也许涉及到信号完整性问题,但是这里也涉及到PCB布局的问题,希望老大们帮忙

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3#
 楼主| 发表于 2012-1-10 15:09 | 只看该作者
:'(:'(老大们给点建议吧,哪怕是能解决一点布局问题也好呀,知道一点总比让我一点不知道好吧,请各位赐教

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4#
 楼主| 发表于 2012-1-10 16:14 | 只看该作者
我看大家都看但是就是不好意思说话,那我先说一点吧,咱们大家一起把这个东西完善吧:我认为金属外壳的晶振采用完整的印象平面,同时采用底层走线的方法来避免晶振的干扰。走线时采用3W原则尽量减少串扰的存在。采用20H原则避免边沿效应的存在。每层都采用铺地平面的办法来降低板间的辐射问题。我先写一些浅显的,请老大们援手吧,即使没有系统的想法一个建议也好呀

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5#
发表于 2012-1-10 16:28 | 只看该作者
进去的电源有地方的话放多几个电容,其他的像楼上说的去做。哦 关键的信号包地。。。

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6#
 楼主| 发表于 2012-1-10 16:38 | 只看该作者
rjc 发表于 2012-1-10 16:28
0 {- j( i  ^8 a1 k) U- y- M进去的电源有地方的话放多几个电容,其他的像楼上说的去做。哦 关键的信号包地。。。
: z9 J3 _( A4 F8 P* K
您好请问,信号如何包地,加入我大面积铺铜可以吗?信号线附近就已经有地了那个是不是就叫包地呢?还请您名示

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7#
 楼主| 发表于 2012-1-10 16:40 | 只看该作者
blue822180 发表于 2012-1-10 16:38 3 u3 E3 A, m; _5 v7 d7 m; V
您好请问,信号如何包地,加入我大面积铺铜可以吗?信号线附近就已经有地了那个是不是就叫包地呢?还请您 ...
  t5 H& G* h, N% B1 A
坐等您的消息

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发表于 2012-1-10 16:52 | 只看该作者
我的理解是:信号上上下下左左右右都是地就是 包地,单面的话 只能是 左右了。。

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9#
 楼主| 发表于 2012-1-10 17:02 | 只看该作者
rjc 发表于 2012-1-10 16:52
/ T# U) M" A9 N+ k我的理解是:信号上上下下左左右右都是地就是 包地,单面的话 只能是 左右了。。
7 K5 o, l! r8 r- ^  Z( r: ^/ G
如果我用allegro铺地后,我删除孤岛后,有些地方由于两条线走线很近所以形成孤岛,这里的地删除后就没有包地了,这样如何处理,您不要告诉我打过孔和地面的地连接,加入线很近没法打过孔

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发表于 2012-1-10 19:56 | 只看该作者
1:让芯片电源平面与地平面间距尽量小。
$ ]2 s$ s6 Y5 |5 `- s; x  y2:芯片电源入口处,放几个各个频段的电容。其它边上放些电容(容值注意去藕半径问题)。
, Y- A) M( T4 k3:6410芯片内部PLL电路应该还不会对信号影响过大。 这个电路的电源要好好处理。% I. b" H: @6 h7 [1 c1 [9 d8 W+ Z
4:电源shape尽量大点了。$ x. b$ p$ p# q

/ r" q; h# ~/ z1 W8 H8 Z9 ?如果可以的话,做下静态IR-drop与PI看看了。

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11#
 楼主| 发表于 2012-1-10 20:44 | 只看该作者
chengang0103 发表于 2012-1-10 19:56
: N. g7 N: }% a# g- a1:让芯片电源平面与地平面间距尽量小。
+ B7 T! P% a5 v$ s  z3 ^& @# k2 @2:芯片电源入口处,放几个各个频段的电容。其它边上放些电容(容 ...

5 C( m" d" V( d7 J1 `谢谢您的建议,但是 有些问题还是不明白:做下静态IR-drop是什么呀,我没有接触过请问那个的中文解释是什么呀?至于PI仿真,由于公司内缺少仿真库所以一直没有仿真过。

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12#
发表于 2012-1-10 20:48 | 只看该作者
帮助文档里边有讲。
5 C2 q2 o0 Q6 ~3 G" l" m! ~3 `
: {/ `$ d- G+ r. ~- |% A) y7 [* U这当然是要有那样的条件才做了。

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 楼主| 发表于 2012-1-10 21:05 | 只看该作者
chengang0103 发表于 2012-1-10 20:48 + C) ]+ E8 Q4 Z8 H( }4 W
帮助文档里边有讲。
( g$ \$ x. q& p) v2 N/ B/ Q; W
! S7 d% R! Q; d# d这当然是要有那样的条件才做了。

4 Z2 a* ?  n5 p, I: B* u谢谢,我查找一下吧。如果有什么问题再联系您吧。

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14#
 楼主| 发表于 2012-1-10 21:39 | 只看该作者
随时听从各位前辈的指导,希望各位前辈能在电磁兼容和布局方面提出一些建设性意见

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发表于 2012-1-12 16:53 | 只看该作者
blue822180 发表于 2012-1-10 16:38
4 [! X: }% }% F- f" V, W您好请问,信号如何包地,加入我大面积铺铜可以吗?信号线附近就已经有地了那个是不是就叫包地呢?还请您 ...

- M4 X6 G0 ?5 N铺通也可以的主要是多打几个via,如果用gnd线包signal线的话尽量在gnd线上每200mil左右打一个via,根据共面波导理论用polar计算得出:gnd线不能跟signal线走的太近,一般在20mil(3w)以上减少线间串扰,其实打via只是通过过孔到地平面,让信号回流路径更短,来改善信号电平。当然也可以采用20H规则减少边沿效应 power layer内缩 gnd layer 20H(H是power跟gnd之间的介质厚度)同理内缩也是越大越好,采用20H可以将70%的电场限制在接地层边沿内,100H可以将98%的电场限制在接地层边沿内,当然啦具体还得试你的实际情况而定。。。。以上是个人粗见还望大虾们多多指点。。。。
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