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RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异

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1#
发表于 2022-10-9 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近遇到项目问题,TX POWER 测试,在RF测试座处和IPEX 座处功率差异,高频竟然查将近2dbm,两者之间只有一小段trace和一个L型匹配,将通路调至50Ω后,高频功率测试仍然差1.3dbm。, e" o. Q9 s9 s# N- T5 l8 N0 Z
2 Y- B8 H+ Y) D' B; O
请教一下高人,IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊? RF测试座下面也要挖空吗?7 ~, M7 V0 c- V/ @* ]( C3 k
是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大,用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。
& |  I, L$ c6 A/ z1 V; X2 t

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2#
发表于 2022-10-9 14:00 | 只看该作者
其实走线只要做了50ohm,测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉,焊猪尾巴测测看,焊的时候接地要尽量靠近信号。

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3#
发表于 2022-10-9 14:14 | 只看该作者
你的I-PEX是用那种扣线测的?还是呈标的标准测试线?那种几块一根的扣线,测高频,测多几次不准的概率极大,吹掉焊根铜管看一看;
0 _$ ~7 [) L; W+ `; K; k# a) s另外,注意你的射频线,是不是下方扣地了?如果扣地了,线离两侧地太近,对高频也会有影响的。

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4#
发表于 2023-2-9 09:37 | 只看该作者
IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过3 s, T( y0 s2 j# k
你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽
7 F3 X/ R5 @4 [: J  W5 ?/ u7 y6 r" s都还比IPEX焊盘细  
- F1 q- K# z1 z. a, H9 k* B6 x1 p1 u$ O: N1 a! Y
至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖
; Y; U$ `- v1 M' z总之  焊盘挖空的用意是
; F) U8 U6 T& \6 M4 ]& y. i  d. S0 e& E
  c  \+ J9 E! y( q  R1.        阻抗接近50奥姆
% V- j2 u' ~' ~* }2.        降低寄生电容
$ i- q6 [' W5 L5 y$ m9 g( b, p( k6 w. K* H3 M
先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多+ ~; I3 g, P# C2 m: l- J% J
你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆* N$ l7 L6 k4 ?$ R& R& H
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能$ g+ \: x. [+ z. H4 u8 G, @. w
/ l% L, N, ~  p' |. o; J
至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右
& Y8 l' A4 Y* f! B4 w" f这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响2 @! f/ M  M& ?) a$ ^) U
建议你用测试座去量   才会比较准
; n# S2 R9 v8 u8 k0 B* w7 s! O因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现
# d5 h3 U& d  d9 R7 k8 m用铜管去量   是显现不出来的
% n) I( |% h: n* E+ u6 e- c. `  c- |/ Z# I1 }' s6 N

" X" X, t+ S. |" g0 Z( ~, K9 }) p7 i: f; C* |& z! Z4 O
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