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RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异

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1#
发表于 2022-10-9 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近遇到项目问题,TX POWER 测试,在RF测试座处和IPEX 座处功率差异,高频竟然查将近2dbm,两者之间只有一小段trace和一个L型匹配,将通路调至50Ω后,高频功率测试仍然差1.3dbm。  j7 J9 U1 p/ c
+ q8 q- M' Z7 E7 i3 p
请教一下高人,IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊? RF测试座下面也要挖空吗?
+ w' j2 c' j5 w( Y. y8 Z  L是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大,用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。
- J/ H3 _' V$ x  K7 T7 `3 x. T

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2#
发表于 2022-10-9 14:00 | 只看该作者
其实走线只要做了50ohm,测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉,焊猪尾巴测测看,焊的时候接地要尽量靠近信号。

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3#
发表于 2022-10-9 14:14 | 只看该作者
你的I-PEX是用那种扣线测的?还是呈标的标准测试线?那种几块一根的扣线,测高频,测多几次不准的概率极大,吹掉焊根铜管看一看;7 r; Q- m3 V6 L/ f! x% Y
另外,注意你的射频线,是不是下方扣地了?如果扣地了,线离两侧地太近,对高频也会有影响的。

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4#
发表于 2023-2-9 09:37 | 只看该作者
IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过- q& ?: t) Q: k$ _, [
你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽
  @. N* L+ c( x都还比IPEX焊盘细  
5 p+ I  Q8 n; q  z. Y6 j8 m8 |9 }% T  B$ M2 U& K
至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖. J# J( u' H, L/ S
总之  焊盘挖空的用意是
$ n- r/ z/ S. b' I5 s$ {% `/ x1 M# N; a: Z! N3 i( p
1.        阻抗接近50奥姆2 d1 z  i2 M7 E% i4 b
2.        降低寄生电容  K/ T2 j3 C7 E& t2 \* m  |2 ^

' b" g" l+ @/ ^! j6 o' J先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多
% z( Q! r9 Y* w8 ^9 u* J( Z$ I你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆7 j6 `. Q1 g. B" l2 E
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能
. a& L1 h9 r' E$ r6 q: T1 b: ?1 A
8 b: ?% e" N. d" s1 Q; b至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右1 q/ E1 B  y8 ]5 ]* X
这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响  a* M: x8 \2 h$ f( K
建议你用测试座去量   才会比较准' D' a/ @. A3 x- o" |/ x  l
因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现
; Z4 g0 U/ d1 i- Y/ H: N! ~& P用铜管去量   是显现不出来的
. r! q0 N( S% L' D# B' ^/ }' s9 T6 b' `8 h8 X6 f

2 c/ [# Y* ~& v9 L; g. u% ~" J
+ g2 d5 [3 c! P
; x' U  R, A0 _1 o
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