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基本器件选型之二极管

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发表于 2022-10-10 10:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 big_gun 于 2022-10-10 11:25 编辑
$ Q6 k, R/ j& m# ]$ {
9 t1 a0 O: ?! U+ W8 h$ h; ~  w7 w5 n关于二极管类型曲线总结
  o  a( G  W4 c+ q' D, b+ @
3 n5 B. M1 ^# f  @" x最近由于工作了,疏于更新。由此也能看出,其实工作以后自己总结的内容和时间都会变少,所以希望大家珍惜在学校的时间和资源,将知识夯实,这样在工作中才能变得更主动。
2 R/ F0 b3 G" J) z( j& e- ^我将对比的实际datasheet,整理一些二极管的类型和特性。$ L, R6 u- A0 n* R

2 D: \% m0 y1 Q6 n9 m/ V6 m' K
  z5 k; E; Y# }4 Y首先不同二极管的原理图的区别在于那个表示PN结的直线或者折线,而这根线往往与二极管本身的曲线特性相关
0 }$ d. n: j4 W! \4 A' F我可以举个简单的例子,比如TVS BV05C的伏安曲线特性如下图3 T' c/ k3 X  x* D5 Q% y! \; e
1 Q8 R. G: r# m2 O
是不是觉得和TVS 的原理图示意图一样。下图是稳压二极管的伏安特性,看起来是不是比TVS的伏安特性曲线更抖,有了这一步以后,我们去记忆二极管的伏安特性曲线更好记忆,画原理图也更容易理解。0 v& c. E1 ^; t3 Z7 a/ m

; r7 {) S& u' j( d二极管可以根据电路中的作用和结构进行区分。
, q5 }) B: K9 a
7 m9 H/ C9 s+ Q" K3 u一、普通二极管
6 c" v9 Q' K; q普通二极管主要是利用其正向导通,反向截止的特性,运用在电路中,对于大多数二极管的选型,都应该注意以下几点特性:* t2 Q/ e; o" Y+ o9 ~! f/ v
1、正向导通压降:管压降就其本质而言还是一个电阻,只是导通的时候电阻很小,不导通的时候接近无穷大,而导通时候的电阻会分担一定的电压,所以叫管压降。二极管低于该值不会导通,该值与二极管材料类型有关,比如 硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,肖特基二极管为0.5v,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。
) c( A: C1 z1 e2 p2、额定电流最大正向电流IF:额定电流IF指二极管长期运行时,根据运行温升折算出来的平均电流值。二极管长期连续工作时,允许通过的最大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。/ _# b6 e# P  T/ }) v
而正向电流IF往往与正向电压VF息息相关,我们可以通过东芝的CF101MA二极管看到这颗料伏安特性的变化,当然温度也会影响该伏安特性曲线。
8 Q2 p( {1 ?% h* T( q5 w% K3、最大浪涌电流IFSM:运行流过的过量的正向电流。不是正常的电流,而是瞬间电流,这个值相当大。# T+ [7 A) A1 T+ b) C
很明显可以看到二极管可以走过的最大浪涌电流,但是必须是短时间内,否则会被烧坏。4 F; c4 I3 \3 ^; U- D4 |" V4 N
4、反向电流(漏电流)IR外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。 由于反向电流很小,二极管处于截止状态。 这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。, \. w. s5 h) [+ q( ]* K& j) \

4 h" f# j- S; h6 d9 [三、整流二极管. x: g6 I- f. ^8 E4 O
整流二极管一般正向电流比较大,1A以上。多为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。在一些高压电流比较大的输入电源,如果需要防反二极管,也是用整流二极管。应用比较多的就是AC/DC。6 {& h) H0 t% }0 j: e

2 u% A9 d* ^6 R$ H& H' f而整流二极管重要参数# J% Q9 T7 x. V' C, M$ w- F+ r4 [7 y
1、最大平均整流电流IF上面已经提及,虽然叫法不一样但是原理都是一样的。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。
; ?4 l& r8 u+ g2 s, w- y2、最高反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值,则反向电流 (IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而 引起反向击穿。通常取反向击穿电压 (VB)的一半作为 (VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1000V。
" K+ |6 R3 y" ?& A, }4 `/ y1 [+ V8 m3、工作频率fm:它是二极管在正常情况下的工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容or反向恢复时间Trr决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
: x9 T% p, k5 |1 `7 B- m4、反向恢复时间Trr :实际应用中的二极管,在电压突然反向时,二极管电流并不是很快减小到0,而是会有比较大的反向电流存在,这个反向电流降低到最大值的0.1倍所需的时间,就是反向恢复时间。
* Z; z: [2 s, L4 \; H(如果结电容太大,工作频率高不了。因为频率越高,电容的阻抗越低,信号都从电容直接过去了,二极管失去了反向截止的作用。如果反向恢复时间太大,工作频率也高不了。因为频率越高,电压翻转越快,反偏之后反向电流还没恢复,电压又变了,二极管也失去了反向截止的作用。所以,总的来说,结电容和反向恢复时间,都会影响二极管的最高工作频率。具体由谁决定,那看谁的影响更大。)3 m- |) _) q* P
肖特基二极管的反向恢复时间很短,所以其工作频率由结电容决定。PN结二极管,其反向恢复时间的影响远大于结电容的影响,结电容一般也就几十pF,因此其最高工作频率由反向恢复时间决定。而与此同时,我们知道,肖特基二极管与PN结二极管相比,肖特基速度是最快的,可以工作在更高的频率。) u) ?- Y: M/ |7 {! b
( k- B: Y3 C+ P- q
5、结电容CT:二极管会存在寄生电容,这个电容主要就是结电容,这是简单的二极管模型。- x3 h# A) N) f# w
datasheet中反向恢复时间和结电容。
& z! T, t  ^' P3 B% \8 |, U7 V- ]8 c' ?' K; b
四、稳压二极管- ~: m+ ^/ l0 j$ a$ w! K7 H
稳压二极管又叫齐纳二极管,利用pn结反向击穿状态,其电流在很大范围内变化,但是电压不变的特性,起到稳压作用的二极管。8 d! y' u/ \2 x

: A5 N9 B' L% m2 E5 z  d, ^8 V五 、快恢复二极管
1 g0 u; D. d- l' D9 d8 M0 }# nFast Recovery Diode FRD(快速恢复二极管)快速恢复二极管的结构和功能与整流二极管相同。整流二极管用于500Hz以下的低频应用,而FRD则用于从几千赫兹到100kHz的高频开关。因此,二极管具有反向恢复时间(trr)很短的特性,这对高速开关非常重要。
7 c; z" O2 `" z) T) D, L) r* t- m1 N& N
. q4 ~. x5 T7 Z此外还有:肖特基二极管,检波二极管,开关二极管,可变电容二极管。$ T+ x+ B, _1 S  P

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发表于 2022-10-10 13:55 | 只看该作者
有近一半的元器件失效,不是由于元器件的固有可靠性不高,而是由于使用者对元器件的选择不当或使用有误造成的。
' ^  j& H4 N  e) Z为了保证电子产品的可靠性,必须对电子元器件的选择和应用,严格控制。

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3#
发表于 2022-10-10 14:43 | 只看该作者
电子元器件的可靠性分为:固有可靠性,使用可靠性。# v- ^4 Y6 j' i2 B( E9 b
固有可靠性主要由设计和制造工作来保证,这是元器件生产厂的工作!

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发表于 2022-10-10 15:04 | 只看该作者
一般要求:器件要有5年以上的生命周期,并且有后续完整的产品发展路标。保证我们的产品不能断粮!!!
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