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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 % ~# b' U$ T' X- u8 ?6 w
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ...
! `4 L: h! w2 v6 E3 J
" r# t" {1 s" H) X( y0 N/ Z线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch
, i( P2 E3 g0 L0 j( ~2 c算出来特征阻抗67.93ohm
3 m/ u* G0 M: d5 k
' q, e* E& d. u) ]
端口归一化 阶跃响应 TDR3 e) R" F5 k S& j- O9 a/ t, w
可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远
+ S1 i" C" X3 A3 F; x
# n( ?# @+ E# d8 }: Z取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
" ~. n" _4 y" @) g
4 p' m' K7 e: o端口归一化后的 冲击响应TDR) @* h. I- A9 g; S" t* r5 o$ P
阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化
/ | g: u# B5 p: f1 X* i8 I: k
3 v0 \3 G N3 f# S) B端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。- V+ U0 h8 t* A" H& f& x' I
- x$ l2 S% a, C/ R2 a9 ?2 ^
6 Y+ ?6 ?4 F8 W! j: t- Z
归一化后的s11
- J: I" i# U% h6 }3 m7 }
( c# q: s* P# t8 W# h
未做归一化的s11
; `: f, f. O4 p+ J! U0 y3 I0 ^! ?; r
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?7 N# w( ^# ]8 r" d5 ~( p# N
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?- P% Z4 ^ q& [. |$ V
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?1 a1 P6 P, x. l7 |% h) S+ ]
此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
1 ~8 `% r( ^( M8 }) n' W- P5 f跳变时间不同?
9 e4 S! S: P9 |3 F* x# Y7 Z1 H# ~5 j' z" |# K0 M
以下为具体设置和工程文件
7 ]6 l1 n/ x9 @( ]9 `' K4 r6 l, U
" u% A9 K" b) V. e
, L! C, X8 p3 C
2 Y1 [8 V5 w% _1 ?. w
+ O% h. i8 K+ M, v; }( d* I$ x' Z5 p4 j
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/ y! H, {8 u/ l2 b4 j" r
5 W. y9 v/ t( i- K6 R; u
Archive.part3.rar
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3 n# [5 C/ a2 J
0 Y- E5 a o7 g- H5 G+ G
Archive.part2.rar
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) Q3 r6 `4 G9 M
* J' I6 s2 m, h% w
Archive.part1.rar
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V6 |4 [! A3 R0 \
$ P }1 X7 s: |/ o" l: q( j% e4 a |
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