关于DDR内存预充电的疑惑(附DDR2中文规范一份)

yuxuejun1123

1.我看到这样一种说法——“在数据读取完之后，为了腾出读出放大器以供同一L-Bank内其他行的寻址并传输数据，内存芯片将进行预充电的操作来关闭当前工作行。若当前寻址的存储单元是B1、R2、C6。如果接下来的寻址命令是B1、R2、C4，则不用预充电，因为读出放大器正在为这一行服务。但如果地址命令是B1、R4、C4，由于是同一L-Bank的不同行，那么就必须要先把R2关闭，才能对R4寻址。从开始关闭现有的工作行，到可以打开新的工作行之间的间隔就是tRP（Row Precharge command Period，行预充电有效周期），单位也是时钟周期数。”(http://blog.csdn.net/nju044/article/details/5348540)

2.另外在网上下载一份DDR2操作规范，上面说“单簇预充电”就是对于某一簇(BANK)进行预充电，这一簇肯定包括很多行了，所以我理解的是，对于该簇下面所有的行都进行预充电，而不仅仅是当前行的下一行。而且我也没有找到如1中所说的单独对于一行进行预充电的说法，该操作规范如附件，供大家使用
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$ g7 L5 k# X  I/ L希望前辈对这两种说法做一下分析
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DDR2规范中文版.pdf (2.63 MB, 下载次数: 700536)

2012-2-23 13:51 上传

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yuxuejun1123

3.補充：“在控製器的設計中，所有的讀寫命令都是不帶預充電的，因此，某一行被激活之後將一直處於激活狀態，直到用戶發送突發終止命令，此時控製器將自動產生一個預充電命令來關閉當前行。這樣，某一行被激活之後用戶便可進行連續的突發讀(寫)操作，從而節省了每次突發讀寫所需要的激活時間，提高了係統的數據吞吐率。”（http://www.autooo.net/utf8-classid48-id44023.html）
6 Z! v+ a* \) h& J& B参考1的理论，我想说，难道3不需要换行了？那么是不是内存浪费了？

yuxuejun1123

看了一下DDR的英文手册，发现两种说法都是正确的，第三种可能这个人内存仅仅用了一行。。。但是有一个问题就是，在手册和时序规范中，并没有看到行地址信息，比如激活的是Bank1，当前打开的行地址是addr，且所有列的数据读取完毕，要开始读取下一行，行地址是addr+1，但是如图所示并没有看到给出行地址啊，直接就开始预充电了。。。。求解

yuxuejun1123

根据上图中红线部分，是可以看出，行地址没有给出来的都是x，除了A10，难道可以这样解释，由于在簇激活过程中已经给出了行地址，所以当预充电时候，内部自己对于addr+1地址进行预充电？

yuxuejun1123

根据上图中红线部分，是可以看出，行地址没有给出来的都是x，除了A10，难道可以这样解释，由于在簇激活过程中已经给出了行地址，所以当预充电时候，内部自己对于addr+1地址进行预充电？

yuxuejun1123

这样猜测吧可能更加合理一些，预充电就是对于已经激活的单个bank或者所有bank进行充电，预充电完毕之后，再发起下一行行激活命令，激活后直接对于下一行进行存取就可以了。。。。

yuxuejun1123

根据真值表总结了一下，最简单的工作流程就是这样了，初始化--->空闲(可以自我刷新)---->激活bank和行---->对于激活的行进行读写操作------->预充电----->激活当前行的下一行------>进行读写操作.....
( X; i2 r  _# ?- e希望前辈指点迷津！

yuxuejun1123

终于找到答案了：如下：
预充电的作用：
原本逻辑状态为1的电容在读取操作后，会因放电而变为逻辑0。由于SDRAM的寻址具有独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原先操作行关闭，重新发送行/列地址。在对原先操作行进行关闭时，DRAM为了在关闭当前行时保持数据，要对存储体中原有的信息进行重写，这个充电重写和关闭操作行过程叫做预充电，发送预充电信号时，意味着先执行存储体充电，然后关闭当前L-Bank操作行。预充电中重写的操作与刷新操作（后面详细介绍）一样，只不过预充电不是定期的，而只是在读操作以后执行的。

lcy_eda

谢谢可要们

qiangqssong

谢谢，学习下！！

icebluexiong

学习了 谢谢分享

xqiang1230

学习了，刚自己看手册了好久没看明白~

wushimin6

:):)

cj1510

好 谢谢

zero870710

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