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ESD选型指南

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发表于 2022-11-29 09:45 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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一、ESD工作原理5 X# G% k) B# F, H1 R1 c, K
% T5 t5 H' O9 S& ?
ESD静电保护元件,又称静电抑制二极管。ESD是多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局做成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等。( D( T: c  W3 |! n9 r  z  x8 S

4 V# o' ]8 g6 l0 b- V6 l5 l二、ESD特点
2 d6 h1 x8 X( m- f9 r  L! r- @6 Y* L/ P% X
1. ESD是一种钳位型过压保护器件,用于静电防护及一些较低浪涌的防护;
. Q' o8 m/ S  r! W: g( j7 P0 Q+ H2. ESD电压根据被保护IC 的工作电压设计,如2.5V、2.8V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等;! w7 ]' A+ V0 |! i: Q
3. 电容低,目前最小可做到0.17pF,满足10GMbps高速应用,不影响数据通信质量;
# t: E2 `! ^% ^( G4. 封装小型化,封装形式多样化。7 \' f, \8 S8 M6 l# i

4 J, ~3 p1 x4 T' m三、ESD参数说明- V! w# G$ p: d( E7 G
+ S( X  V4 ^# M2 c/ K3 I( F
ESD产品的伏安特性曲线与TVS类似,与TVS不同的是,ESD产品功率较小,工作电压也较低,ESD的工作电压根据被保护芯片的工作电压来设计。- A% E: R: E! T" a0 T! R4 S
VRWM:反向截止电压,即ESD允许施加的最大工作电压,在该电压下ESD处于截止状态,ESD的漏电流很小,可以达到10纳安左右。
6 }. J. F% D! N# hVBR:击穿电压,击穿电压是ESD要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为1mA的电流下测量。) H/ O5 b! C8 L3 G  Z
IR:反向漏电流,即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。% @* u) H! Y* `4 V
IPP:峰值脉冲电流,ESD产品一般采用8/20μs的波形测量。
/ S8 L6 t6 ]: b& E6 L' FVC:钳位电压,在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。- _. K1 a, ?0 Y& L
Cj:PN结的结电容,会影响数据传输,高频信号选取ESD时,一定要考虑Cj对信号的影响。
% @! z4 K5 H8 e* H* h
" D6 U# a. g& ]4 v7 u6 ~: a四、ESD选型注意事项! U% w- o  y6 `! c

. V% v3 C; |! Q" L1 s; d1. ESD器件的截止电压应大于被保护IC的最大工作电压,否则会影响被保护电路的正常工作。如工作电压为5V的线路,应选择截止电压等于或者大于5V的ESD器件进行保护。
) ]! Z4 B% A, |2 g' p2. ESD一般用于各类通信端口静电防护,在一些高速数据线路,如USB3.0、USB3.1、HDMI、IEEE1394等接口,ESD保护器件的结电容应选择尽量的小,以避免影响通信质量。. E$ w0 m! R. F1 ]- t& P# E) z
3. 根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装形式。ESD器件封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小,一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大,防护等级也越高,反之亦然。$ i8 q6 \1 @4 l+ F/ [

: Q0 t$ m8 O# @3 c! D1 w( w; @) F

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发表于 2022-11-29 10:54 | 只看该作者
ESD抑制器由聚合物(POLYMER)电压诱变材料和高电分子材料制成的,我们称之为高分子ESD,特点是物理放电没有寿命限制

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发表于 2022-11-29 13:24 | 只看该作者
ESD的模拟方法,静电枪也是ESD保护能力测试工具。

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发表于 2022-11-29 13:41 | 只看该作者
将一个电容充电到高电压(一般是2kV至8kV),然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件。电荷的极性可以是正也可以是负,因此必须同时处理好正负ESD两种情况。
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