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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-11-29 15:31 编辑
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NCE0224K NCE3050K NCE6020AI NCE0130A NCE0157A2 以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET 描述 采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS（ON）。它们可以用于各种各样的应用。 总体特点 ●高密度电池设计，超低RDS（ON） ●全特性雪崩电压和电流 ●稳定性好，均匀性好，EAS高 ●优良的包装，散热性好 应用 ●电源开关应用 ●硬切换和高频电路 ●不间断电源 2 }1 Z2 }9 ~) ]' O/ X% H, m( o
NCE0224K(封装 TO-252): VDS = 200V, ID= 24A RDS（ON） < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ)
6 z% _' I" I- e! _NCE3050K（封装TO-252-2L）: VDS = 30V, ID = 50A RDS（ON） < 11mΩ @ VGS =10V (Typ:8mΩ) RDS（ON） < 16mΩ @ VGS =4.5V (Typ:10mΩ) 9 V/ e* m& x% m
NCE6020AI （封装TO-252-2L）: VDS = 60V, ID = 20A RDS（ON） <25mΩ @ VGS =10V RDS（ON） <31mΩ @ VGS =4.5V & O+ `4 d8 a( U' @9 r+ _7 A
NCE0130A（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 30A RDS（ON） < 32mΩ @ VGS =10V (Typ:25mΩ) - ~* ^* U M. e/ E, Q$ X3 Q2 Z
NCE0157A2（封装TO-220-3L）: VDS = 100V, ID = 57A RDS（ON） < 14.5mΩ @ VGS =10V (Typ:12.5mΩ) - I1 N1 Y4 H% q e3 S- a5 U
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发表于 2022-11-29 14:04
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