ESD防护选型思路-步骤选型

big_gun

ESD防护器件的主要参数，即TVS参数，有如下几个比较重要。
首先看V-I曲线图

V-I曲线图
; m: ^' l# Z4 u) O2 g' D" s8 {* g4 s第一个参数是VRWM，反向工作电压。这个值一般略大于被保护信号的电压，比如信号电压在2.5V左右，那么Vrwm可选择3V-3.5V即可。不需要很大，否则会导致另一个参数钳位电压过大。
1 V2 ~, p, F6 {第二个参数是VBR，即反向击穿电压。就是当静电或瞬间电压超过Vbr，TVS反向击穿，泄放电流。
第三个和第四个参数有关联。即Ipp峰值电流和Vc钳位电压，Ipp是越大越好，说明TVS过流能力强，同一型号下Ipp相同时，Vc越小越好，说明钳位性好，而且Vc要小于被保护电路能承受的安全电压。
Vc怎么测试的，就是在给定的峰值脉冲电流Ipp下测量TVS两端电压。
5 E3 V+ W0 k5 R; ~第五个也很重要，就是结电容。这个值一般是pf级别的，我们知道电容会降低信号速度，因此对于高速的信号，结电容要尽量小。
至于Ir漏电流当然越小越好。
: Q# q- i4 R6 h$ B% c  ]/ k" d; s还有一个参数忘记了，就是动态电阻，越小越好，这样泄放越快。
其他的参数就不介绍了。
& e0 m+ ]4 h+ d  x" e& ^$ q据此，可以根据如下步骤选型。
1.计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压Vrwm；
2.根据信号类型决定使用单向或者双向ESD器件;
3.根据信号速率决定该接口能承受的最大结电容；
7 z8 n/ n9 k8 v/ _4.根据电路系统的最大承受电压冲击，选择适合的钳位电压Vc；
5 @9 R! j) s/ K5.确保ESD器件可达到或超过IEC 61000-4-2 level4。
6 @' K6 j. Q6 n4 Q* ^- i3 P7 O
" M9 V4 U& B; a+ w% P

CRAZY_argentina

人体静电可以摧毁任何一个常用半导体器件。
  M8 Q. p6 W( h; K7 c8 b: T以前实验室发现有人裸手拿板，就发一块坏板，让他维修。

架海梁心

静电不能被消除，只能被控制，控制ESD的方法：
堵：从机构上做好静电的防护，用绝缘的材料把PCB板密封在外壳内，不论有多少静电都不能到释放到PCB上。
导：有了ESD，迅速让静电导到PCB板的主GND上，可以消除一定能力的静电。