浪涌防护器件特点与选型

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常用浪涌防护器件包括气体放电管、压敏电阻、TVS、TSS、OVP等。

气体放电管
& e+ Y4 p  w5 b0 ]& W! s1、特点：
& B& ]2 k8 S# Z1 fa、响应速度慢微秒级
: v7 \3 r8 ^: M: l) ?9 }b、通流量最大、电压动作精度低，有续流现象
c、寄生电容最小、漏电流小、有一定残压
4 u& S+ v$ P! T. R: x( R! }/ Hd、失效模型开路、老化失效

2、使用场景：
) d. m& X# K4 r体放电管主要可应用在交流电源口相线、中线的对地保护；直流RTN和保护地之间的保护；信号口线对地的保护；天馈口馈线芯线对屏蔽层的保护。

6 d0 W( n3 |7 E- Z4 I3 Z3、选型原则：
. D9 ?9 r4 o. C" g- o% M, V防雷电路的设计中，应注重气体放电管的直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量等参数值的选取。
; n: @5 G: w2 \; ?6 {4 I: m设置在普通交流线路上的放电管，要求它在线路正常运行电压及其允许的波动范围内不能动作，则它的直流放电电压应满足： min(ufdc)≥1.8UP（min(ufdc)≥1.25*1.15UP）。式中ufdc直流击穿电压， min(ufdc)表示直流击穿电压的最小值。 UP为线路正常运行电压的峰值。
3 w2 [4 y0 X2 V8 s/ w% ^& K- ]9 y6 u% ]
压敏电阻
1、特点：
5 v6 M% S! I! K% p8 {. z+ la、响应速度快纳秒级，略慢于TVS
b、通流量大、价格便宜
/ Z' m: m% D( o+ D4 ^' W, x: e: Uc、寄生电容大，不适合于高速电路
; R/ O  R; }( L4 s  L3 Rd、失效模型短路、老化失效

  B$ P) c! D, D: c5 R0 a2、使用场景：
4 m. ^: u8 L4 I5 m( S家用电器、其他电子产品，主要作用过压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消澡、保护半导体器件等

3、选型原则：
在直流回路中，应当有： min(U1mA) ≥(1.8～2)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。
在交流回路中，应当有： min(U1mA) ≥(2.2～2.5)Uac，式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。
在信号回路中时，应当有： min(U1mA)≥(1.2～1.5)Umax，式中Umax为信号回路的峰值电压。
4 j' f6 w; g0 S6 F1 _) k( U压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言，压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。
! U$ L& l! ?! g- d+ ~0 C; g0 Q+ T
TVS管
1、特点：
a、响应速度最快纳秒级，
2 A  l, Y( v: D( N  Nb、通流量小、价格便宜
2 G  w7 ^. q8 s- ~& P% Ac、寄生电容较小
% _, C1 h- J/ G( g/ m* Vd、失效模型短路
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9 Q6 Z* r3 j0 J" U+ e' ^. _2、使用场景：
' ~9 P6 f" g+ D2 N+ `! j家用电器、其他电子产品，主要作用过压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、保护半导体器件等
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/ X% K$ g* [: ~( d6 E+ i2、选型原则：（被保护芯片峰值Udc*1.67*1.414）
直流电路： 反向击穿电压约等于(1.8-2)Udc,Udc为回路中直流工作电压；
* z' x7 G- Q3 Z信号回路： 反响击穿电压约等于（ 1.2-1.5） Umax， Umax为信号回路的峰值电压。

1.确定被保护电路的最大直流或连续工作电压；
$ j5 ~4 Z. c+ j" B2.TVS的额定反向关断电压VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。
3.TVS的最大反向箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
4.对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的TVS器件。

工作电压<关断电压<响应电压<钳位电压<器件耐压
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关注Ipp电流，其值大于实验等级最大电流（1、无感性负载Ipp>10~30I,I为工作电压。2、感性负载Ipp>100I ），关注漏电流的大小（杂散电容）
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浪涌和静电防护的“套路”大同小异，但各有侧重点。对于浪涌和静电的整改就好比治理水患的河道，需要做好“疏通”和“阻挡”，其中又以疏通为主，阻挡为辅。浪涌防护设计本质上并不难，只是因为在成本和体积的限制前提下才显得不那么好处理，所以说，设计中处处存在妥协，没有完美的设计，只有合适的设计。

STGing

不同行业的产品所需的防护等级不同，如军品和消费品完全不在一个等级，所以具体项目需要具体分析。