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SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?

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发表于 2022-12-23 10:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?
9 A7 p# U. t: d( p+ v

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2#
发表于 2022-12-23 10:53 | 只看该作者
SiC具有更宽的禁带宽度。
+ S% B) S5 R( }3 A# ~) H

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3#
发表于 2022-12-23 10:57 | 只看该作者
散热性更好。6 B7 l, `# H& K) j: h5 h9 c; B

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4#
发表于 2022-12-23 11:06 | 只看该作者
具有更低导通损耗和开关损耗。& }/ [& t! L5 S& a  B& N

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5#
发表于 2022-12-23 11:11 | 只看该作者
碳化硅器件也有其自身的缺点,在浪涌电流能力方面,由于SiC-SBD的浪涌值远低于相应的硅FRD,因此成为非常重要的指标。
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