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三极管饱和问题总结

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发表于 2023-2-7 14:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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三极管饱和问题总结:
1 E7 {- c: p% V# p. x  |+ @9 |9 I9 Z2 I: G7 B5 Q1 F  @. v: v! t2 ?; v0 U1 B' u
1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。* Z/ ?3 a, J  q6 |# q6 S0 b6 @+ v& n2 _8 v6 ^0 {

+ G/ G8 H2 o& M% d/ g7 z% a" S
3 i; p3 ^* A! e! A/ N, r# s" Y5 s9 Q
2.集电极电阻 越大越容易饱和;8 K  Z; }3 d( }8 e8 F4 r# R
& ?8 A' I4 E6 ^, |0 D' p: ~5 u8 I  b  J5 L8 y9 _
1 |& z+ T0 s$ }1 T

, j, S0 ?6 P$ O3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制5 M! F7 b  J+ A7 Z! {, x

  X: ?2 G4 W/ B* d1 q& G3 S
/ ^9 O2 T  e6 T2 _" \- S; J& _
问题:基极电流达到多少时三极管饱和?
4 H* O- r" @: ~# _; A1 `  Y; ^7 m' y. b. j4 C8 P' ]- p0 W/ i; P3 T7 _
" w5 y# Q8 e  F: o& y0 W$ E' H) v, D- l# h, ]  a" f) l- Y% @. C
1 N+ I. {8 S& ~  E% f. z0 \0 f) F: \3 Z3 K
解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和。
. B0 J, @  l9 D
( I9 U4 Q; g. @
; l. f5 q1 D1 Q! ]- l
对于9013、9012而言,饱和时Vce小于0.6V,Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表:

6 }; c3 Q' e- g2 t8 B: H 7 j: v* G6 h% h; F6 [* x
问题:如何判断饱和?1 N) k. C% n! o. @4 }2 O
( j5 L7 G* h: v2 n: s3 _

# r9 V' N3 g% h" h8 A) s) q/ f8 n/ M6 M, N/ \9 e* q. q; K( d- W/ m7 |& E# d" n( y9 l# V# ^! E4 D' V4 I
判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS,然后再根据实际的电路求出当前的基级电流,如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流,则可判断电路此时处于饱和状态。: {# z' u2 }' h& I4 \( N
( j' L$ V! K: b- d% y3 `4 |4 @, y. a  ?- N% y. E; z
: y" k; Y) @: M- B8 [- d4 x4 l0 R
# V0 C& H- R0 S9 y/ m3 V饱和的条件: 1.集电极和电源之间有电阻存在 且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低,从而出现b较c电压高的情况。1 n  ?. q9 X7 S+ }! Z6 X/ X1 I. a) }0 h3 h- ]' t. @
! t' D4 q& f/ D9 L% }6 y' n
& O7 V5 F9 U) Q! y& o' \

! D1 @, ]7 l5 c影响饱和的因素:1.集电极电阻 越大越容易饱和;2.管子的放大倍数 放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小;
+ J4 I1 S" t2 I( T& r9 q" I. V# M! C9 R8 _2 Z% r4 w* |
# u7 m- n7 G( ^2 I
* T1 C8 x/ e% D6 y) R8 a饱和后的现象:1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3左右,基极为0.7左右(假设e极接地)
- V9 [2 \1 n( S  {: o9 D8 j! _! \" N2 m$ p- F& v* x2 G2 x7 T7 `% F- |. x3 t: j( {+ u& o
3 v7 P% W5 {# L2 q3 T
谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻(包括集电极与射极电路中的总电阻)为R,则集-射极电压Vce=VCC- Ib*hFE*R,随着Ib的增大,Vce减小,当Vce<0.6V时,B-C结即进入正偏,Ice已经很难继续增大,就可以认为已经进入饱和状态 了。当然Ib如果继续增大,会使Vce再减小一些,例如降至0.3V甚至更低,就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。!
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