国内外光刻胶技术差距明显

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光刻胶的研发关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、最终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。% s6 e0 l2 F9 N; N7 h" @
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( P: I  C+ V9 Z5 ^清华大学核能与新能源技术研究院的报告显示，IBM在上世纪70年代已经开始了化学放大(CA)光刻胶技术的研发，我们国家从2000年才开始重视光刻胶技术，几乎落后了30年。
7 r) j9 {+ Q  q/ ]  F9 a半导体光刻胶技术差距明显，造成与国际先进水平差距的原因很多。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是重生产加工环节的投资，而忽视了最重要的基础材料、装备与应用研究。- Y+ R, u# i: B& L8 ?& M# n
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相比之下，日本企业重视向半导体产业链纵深发展，积极研发光刻胶，在全球前10名光刻胶生产企业中有7家是日本企业，包括日立化成、东京应化、三菱化学、旭化成、住友电木、住友化学和富士胶片。他们总计占据了全球市场60%以上的份额。4 ^" W# M% K# e5 N
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  v3 c& ~* W* k4 v5 v) ]我国化工产品原料品种齐全，可以为光刻胶产业提供充足和价格低廉的基础原料供给，但是由于资金和技术的差距，生产光刻胶的原料如引发剂、增感光刻胶树脂等被外资垄断导致光刻胶自给能力不足。# ~. J& Q( x" [, e3 ^9 T( o
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近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。
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