MOS管的失效原因

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MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。

3 @0 D9 Q* C$ w第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。
下面对MOS失效的原因总结以下六点：, `3 m9 |& Y- x: o& r% i
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4 y; D3 w, }$ `$ i% c/ E/ ?' [1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
0 c' [9 f9 O6 ]6 f2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
* J; [8 z: K' P0 K9 H3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
. T0 p! L: `3 ?8 j: \4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
/ N  `. @% I3 |2 \$ X5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。- g( y8 S( I1 ^$ A% V- w8 Y6 B
6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。
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