ASEMI代理FGH60N60SFD，安森美FGH60N60SFD原装IGBT

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安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数：

型号：FGH60N60SFD

集电极到发射极电压（VCES）：600V

栅极到发射极电压（VGES）：±20V

收集器电流（IC）：120A

二极管正向电流（IF）：60A

最大功耗（PD）：378W

工作结温度（TJ）：−55 to +150℃

集电极截止电流（ICES）：250uA

G−E阈值电压（VGE(th)）：6.5V

输入电容（Cies）：2820pF

二极管正向电压（VFM）：2.6V

二极管反向恢复时间（Trr）：47NS

FGH60N60SFD特征：

高电流能力

低饱和电压：VCE（sat）=2.3 V@IC=60 A

高输入阻抗

快速切换

该设备不含铅，符合RoHS标准

FGH60N60SFD应用：

FGH60N60SFD常应用于太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC

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