国产IGBT产品应用领域：逆变器、电机驱动、电焊机领域的优质型号

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; @% l8 `, x6 k/ H5 a$ S3 p国产IGBT的使用已经非常成熟了，伴随着半导体领域的大力发展，目前国内涌现越来越多的优质半导体企业，飞虹半导体就是其中之一。目前飞虹半导体首发FHA40T65A型号的IGBT已经可以应用于逆变器、电机驱动、电焊机等领域的产品！

; K/ G" ]$ h% g3 h- KIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
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% p) a, G1 Y- m" LIGBT兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
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因此IGBT是非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。飞虹半导体生产制造的IGBT产品都是经过一系列可靠性研究才最终反馈到市场进行应用的。
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目前飞虹半导体的FHA40T65A型号IGBT产品参数特点为：
. k% I! m0 j# h& j0 k' f1、拥有反向并行的快恢复二极管，还具备高可靠性，Trench Field Stop Ⅱ technology（出色的Vcesat饱和压降，拖尾电流非常短，关断损耗低），拥有正温度系数。
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2、FHA40T65A的封装形式是TO-3PN，其具有40A, 650V, VCEsat典型值：1.51V，＜1.85V；IC (Tc=100℃)：40A；Bvces：650V；IF (Tc=25℃)：40A；IF (Tc=100℃)：20A。

3、FHA40T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间能做出来良好的权衡。
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4 w; x( i( w1 t8 C! D6 v8 J4 G4、出色的导通压降与极短的拖尾电流为客户在优化系统效率时提供有力的帮助，此外FHA40T65A具备良好的短路特性，能为电机驱动电路在处理突发事件提供充足的裕量。
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目前飞虹半导体的FHA40T65A型号IGBT产品可应用的具体领域为：

4 ?% h' a0 E' z( w1、FHA40T65应用于高频车载AC220V逆变器：1.5KW机型：使用4只FHA40T65A在逆变器的全桥拓扑结构上。

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2、FHA40T65应用于光伏逆变器，也叫太阳能逆变器：微型逆变器：3KW机型使用8只FHA40T65A在全桥拓扑结构上。

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+ s- l, K0 v( y& y3 g" K单相组串式光伏逆变器：前级升压（Single Boost）
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单相组串式光伏逆变器：后极逆变（Two-level）

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5 T8 `$ f) F6 h. s% @1 @/ d) }单相组串式光伏逆变器：后极逆变（Heric）

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$ A. J0 [7 W/ N$ i- v- g  D; ]单相组串式光伏逆变器：后极逆变（H6）
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1 ^3 B$ b. Q+ d3 Z6 j3、FHA40T65应用于电机驱动：家电类的三相电机驱动电路图与上面的三相全桥拓扑结构相同。

% r+ R3 y0 Q- v' C( [( q; [. \" x4、FHA40T65应用于电焊机：4个IGBT为一个全桥，根据功率需求有的方案会进行并联加大功率适应，数量以2的倍数起。
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可以申请样品嘛