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1PN结及其单向导电性% M4 }3 p6 e1 H. Q' I2 Z" M8 S" ?
(1)要点:* w3 z1 \6 E7 z# u- |! G% {
- 半导体知识:载流子、杂质半导体(P型半导体、N型半导体)
- PN结:P型、N型半导体交界形成的空间电荷区,是构成半导体器件的核心单元。
- PN结的单向导电性:" m7 C! H2 d5 d+ k0 S H3 n; R- n
正向导通:PN结外加正偏压(P“+”,N“-”),呈低阻状态,正向电流较大,端电压约为零点几伏;
* E, T7 T% Z2 P3 E! F9 J反向截止:PN结外加反偏压(P“-”,N“+”),呈高阻状态,反向电流较小,且与温度有关。
7 p8 A/ f' Y9 R% t# e0 R
6 @( P) ^/ T- Q, I: ]0 e; s. X
( n' I" h3 z4 I8 T( p$ t2半导体二极管0 y" W+ ^' ^+ a/ A" r# N! ~
, q+ c0 x4 _, f6 ~2 L+ s(1)要点:' |0 e% ]+ r0 M6 k$ ~
<ul class="list-paddingleft-2" style="">结构:PN结+外壳+引线9 a5 f# }% p/ e2 F2 s
3 n4 B; G. L( M& S9 \3 o, o6 d
5 S5 i4 |' ? _6 |1 j" j特点:单向导电性. G$ O- S" p9 \' t+ V2 Q$ s
伏安特性:1 C# l3 ^ `* s
/ f: a9 _9 K# t+ N4 G
) M8 h: o0 O7 |3 M3 [特性曲线:
" K! F* G5 S" { g' s6 T输入特性:uCE为常数时,输入电流iB和发射结电压uBE的关系:iB =f(uBE)。. ~) z$ `# t( S
输出特性:iB为常数时,三极管管压降uCE和集电极电流iCE的关系:iC =f(uCE),分三个区:放大区,截止区和饱和区。
. K+ x) I M- w" ]2 I* o- b |
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