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常用半导体器件解释

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发表于 2023-3-3 17:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1PN结及其单向导电性% M4 }3 p6 e1 H. Q' I2 Z" M8 S" ?
(1)要点:* w3 z1 \6 E7 z# u- |! G% {
  • 半导体知识:载流子、杂质半导体(P型半导体、N型半导体)
  • PN结:P型、N型半导体交界形成的空间电荷区,是构成半导体器件的核心单元。
  • PN结的单向导电性:" m7 C! H2 d5 d+ k0 S  H3 n; R- n
    正向导通:PN结外加正偏压(P“+”N“-”),呈低阻状态,正向电流较大,端电压约为零点几伏;
    * E, T7 T% Z2 P3 E! F9 J反向截止:PN结外加反偏压(P“-”N“+”),呈高阻状态,反向电流较小,且与温度有关。

    7 p8 A/ f' Y9 R% t# e0 R

6 @( P) ^/ T- Q, I: ]0 e; s. X

( n' I" h3 z4 I8 T( p$ t2半导体二极管0 y" W+ ^' ^+ a/ A" r# N! ~
, q+ c0 x4 _, f6 ~2 L+ s(1)要点:' |0 e% ]+ r0 M6 k$ ~
<ul class="list-paddingleft-2" style="">结构:PN+外壳+引线9 a5 f# }% p/ e2 F2 s
3 n4 B; G. L( M& S9 \3 o, o6 d
5 S5 i4 |' ?  _6 |1 j" j特点:单向导电性. G$ O- S" p9 \' t+ V2 Q$ s
伏安特性:
1 C# l3 ^  `* s
/ f: a9 _9 K# t+ N4 G

) M8 h: o0 O7 |3 M3 [特性曲线:
" K! F* G5 S" {  g' s6 T输入特性:uCE为常数时,输入电流iB和发射结电压uBE的关系:iB =f(uBE). ~) z$ `# t( S
输出特性:iB为常数时,三极管管压降uCE和集电极电流iCE的关系:iC =f(uCE),分三个区:放大区,截止区和饱和区。

. K+ x) I  M- w" ]2 I* o- b
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