TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？ [4 G4 _# d F5 J- b
3 V2 I) C& L: [; M' A& L% Z( M' W& y& o
e; H: w/ ]7 s! m
因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体# [3 Z \% f a9 f3 R$ I3 S0 i, ~4 n
. M: u' s6 A: d
在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小% J0 ]/ X3 w* o7 v2 P, k
, S* h0 h- k/ Z2 z, E: Q
' C9 i* V" @, `, N( f. q Z b0 H; Z' Z
5 a& C0 f, ?3 J& i' O; U, H, y6 N7 e b% s/ X8 l% J5 s2 z$ X
请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的: F2 c$ m6 B" k
5 @, F* z* \8 j) J2 y7 ]
) N/ ~3 K0 X4 w/ t7 ^& F/ B/ T3 A, c' b7 j- w' u" b
因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界: M i t( v* t* q! M2 d
% I% M1 Y) l+ J& c9 e4 i" V
, W+ B! P E$ _, J; |6 p. q
; U8 J' a; j: a另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面% r! a1 G% C2 y+ Q; j& v9 h
. j: \/ f" U" J- H( x5 T1 G6 s2 X它跟辐射边界有什么区别么？
0 y: B9 ?& G+ W# g9 w0 s0 A# t' X, t" `4 `* N+ b0 {
( ^8 b J' K" J8 o0 Z; _) S& L/ q; }1 c. [
希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑( D- p6 D6 y' _ I% v4 n8 p
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发表于 2012-4-11 08:39
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