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三星电子研发出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

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发表于 2023-5-15 10:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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基于先进CXL 2.0的128GB CXL DRAM将于今年量产,加速下一代存储器解决方案的商用
8 R7 }5 @* q5 @  三星将继续与全球数据中心、服务器、芯片企业合作,扩大CXL生态系统8 t2 a0 T7 {/ P; \
  深圳2023年5月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布,研发出其首款支持Compute Express Link?(CXL?)2.0的128GB DRAM。同时,三星与英特尔密切合作,在英特尔®至强®平台上取得了具有里程碑意义的进展。& O. m  k$ T  h) e* g
  继2022年五月,三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(内存扩展器)后,又继续推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高达每秒35GB的带宽。' I1 E# J4 b" _
     
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可扩展内存(Memory Expander)

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  “作为CXL联盟的董事会成员,三星电子在CXL技术上一直处于前沿地位,”三星电子新业务企划副总裁Jangseok Choi表示,“这一突破性的进展强化了我们通过与全球各地的数据中心、企业级服务器和芯片公司合作,进一步扩大CXL生态系统的决心。”
5 f+ c1 w' ~- Q  英特尔公司技术创新总监Jim Pappas表示:“英特尔很高兴与三星合作,共同投资一个充满活力的CXL生态系统。英特尔将继续与三星携手,促进创新CXL产品在整个行业的发展和采用。”
( H( y6 q  X; e& u# |9 n  澜起科技总裁Stephen Tai表示:“澜起科技很高兴能够量产第一批支持CXL 2.0的控制器,我们期待与三星继续加强合作,推进CXL技术发展并扩大其生态系统。”
5 I. Z3 k( X1 N. ]$ }, i  CXL 2.0是三星有史以来第一个支持内存池(Pooling)的产品。内存池是一种内存管理技术,它将服务器平台上的多个CXL内存块绑定在一起,形成一个内存池,使多个主机能够根据需要从池中动态分配内存。这项新技术使客户尽可能的降本增效,从而帮助企业将有限的资源重新投资于增强服务器内存中去。( S+ @0 d4 _3 Q
     

# l$ ^  z& r  c( w9 Q; _8 nCXL2.0 内存池
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  & r, D2 z  j4 g+ [
  三星电子计划于今年年底之前开始量产这一最新的CXL 2.0 DRAM,并准备推出多种容量的产品,以满足快速变化的下一代计算市场,进一步加速扩大CXL生态系统。4 i# U) }4 X% [& K$ |
  CXL作为下一代内存可扩展设备,能够为高性能服务器系统中与CPU一起使用的加速器、DRAM和存储设备提高效率。由于它与主内存(main DRAM)共同使用时可扩大带宽和容量,该技术的进步有望在人工智能(AI)和机器学习(ML)等核心技术,对处理高速数据的需求极大增加的下一代计算市场引起轰动。
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* A  M8 f' v9 w# n『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
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