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三极管 vs MOS管

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发表于 2023-5-30 15:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.! ~7 i! ~& |$ C
, c* L; T% d9 F! m" v! S
- ]5 a4 @7 E; I& E3 o7 O2、成本问题:三极管便宜,mos管贵。
9 G  |: ~0 I) T- F+ P' N7 F1 T4 B* W+ _- N8 @2 a& z$ Y' B4 ~5 |' i5 t& [
3、功耗问题:三极管损耗大。" @/ M( E/ a& q1 Z! |

0 y1 I4 F8 }. \* C: ]4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 + V  ^! h# e6 w8 w; D& l  {- B- L0 i0 F6 {9 |$ \( ^: l3 z) L; ^
9 _4 z5 @% U( C. d% n
& @, [8 {: L  k/ ^
  I1 G1 o" r' U% |2 q$ y三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。0 I0 f9 C" O7 ?# f) n
& [4 Z5 Z5 F- U; j  T9 A, _2 j/ b8 U8 A" h& R0 H$ Q8 k1 v, x2 s8 J2 a5 w; j
MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。+ \4 k( y4 B& s, O6 m$ k1 w
  S5 \' J8 e7 C. S1 L% K- n. x* N& [4 ~
MOS管不仅可以做开关电路,也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。! d- u. x6 H( l/ W: |1 p. |
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5 N, a; t, \0 ~6 B3 W; K二者的主要区别就是:双极型管是电流控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源漏间导通电阻)。4 V. A% T' p2 Y+ h/ f6 @2 c' B2 {/ ~6 ~  ~, c0 ]. c1 k  d
9 r5 B& k- ?& f+ A, r) a+ l
* e$ [0 Z+ z4 [; S0 JMOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。
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+ U& O* E$ z$ P/ [' {( @  r; ^, c/ W: g9 R: E3 A; e. g" Q/ z% E1 d$ Z$ \- M4 ~6 N7 x- @
三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂。6 a1 }- y2 }% N; `& H/ f1 _; b' I1 i) A5 v6 d
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一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。8 G! \6 O0 T) `! Y
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实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。( O6 x0 [9 O! D+ |

9 A+ ?- i9 x) p% L' z# y7 _(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。( p. S" b& s4 M
0 q8 A3 K/ r# b4 Q& R1 F
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
* ?5 A4 s9 Z6 I, q3 x" I4 {( D! ~0 e9 @. J9 O! Z' o, R$ C
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。% P) v4 A# X3 }, \% x) K& ^( T: e+ @" K& G

$ q  s0 _9 a0 }% _' i' ^$ Y  E(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
$ W* B* j$ h) t; Q; O$ W: @" u- u' j0 L9 ]1 x% D3 |/ H2 y+ D- _, s: R: P% T6 V. ]# j6 S
(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。1 s+ Q- Z# r- M* p4 R7 c8 r( B: o1 v: V7 O3 m% M
6 U& `1 c8 {  M# p# I: Z: O" D- _% E
(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。! D  Q! o. t) b2 Z4 A6 r# n  p" _0 ?* k- @$ u
, @- @: ]) h. {6 Z. b
4 H" `- V  Z3 M+ h$ v* d- E; X其他比较:8 W) x. a* _1 Y: C9 K
1 i, K% U6 x: Z3 k( d! e* T4 C1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
. l5 J# _1 j8 y0 `8 P场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种 载流子# ^9 `8 j2 ~  R! j5 C7 u/ B( @1 q! P% p( h& ?7 i7 b, b
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2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才会有输出电流。  
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场效应管属于电压控制器件,没有输入电流也会有输出电流。, P3 T. i9 |. Q
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3、三极管输入阻抗小,场效应管输入阻抗大。% Q3 K* a+ G  z; ^9 B8 O; o  F; k% k& j
7 H; [0 G* Y6 r% ]2 A& w# M( W/ t# C
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" y% t8 E* b2 x: \4、有些场效应管源极和漏极可以互换,三极管集电极和发射极不可以互换。% c" E! v; T1 e2 T) N
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0 V6 Y5 d/ w4 O6 Y0 e1 y5、场效应管的频率特性不如三极管。
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, m' J9 G# `8 m6、场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级。1 P* `; T- B! A) @  m, P1 a5 ~
  J) ~: t9 O' |; l! H" G3 j" J# b4 X# k& W; h
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: W: s+ w3 p4 S* q7 A7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管,反之则选用三极管更为合适。
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