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[ADS仿真] 去耦半径:die-pack-pcb不同层级用什么量级电容来去耦

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1#
发表于 2023-6-8 17:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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去耦半径:包含die-pack-pcb不同层级用什么量级电容来去耦,怎么选择,选择依据是啥?! K- X0 F5 E& s) i8 r5 _% F+ Z8 q/ m' j

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2#
发表于 2023-6-8 18:51 | 只看该作者
一、容量不同:+ c6 H4 q! P* i- ~

$ i, h4 _, g- u2 M9 ~1 H( Y1、小电容容量小到可以达到几P。: U8 m7 H% T3 i) V

) q% V! X; O  i2、大电容容量大到可以达到1万μf。
% L( _9 v' h) s$ o! [% F
. F- M3 \4 a  B5 u: Q9 I& }二、用途不同:
( x: E' M( O8 D  k) e
: g$ j& E9 h) ^- d3 z+ n( Z6 u0 I1、大容量的电容可以做电源滤波电容。
# l" e& `( \, M8 J. d% g2 p& \; C
2、小容量的电容可以做高频谐振电容。
9 S6 P  X4 t1 }
6 b! |3 K, n$ Z8 v3 O0 Z: m
( @! O$ k+ q- \+ g: I
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    [LV.2]偶尔看看I

    3#
    发表于 2023-6-9 14:28 | 只看该作者
    die的就不用选了芯片晶体管设计的事,基板和PCB上的可以通过仿真优化电容参数得出符合要求的曲线。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2023-6-9 15:30 | 只看该作者
    die上是门电路的栅极电容,这个和芯片的面积有关系,pf-nf级别;pkg不增加poser的情况下,封装本身的寄生电容很小,设计封装的要点是减小L,根据增加poser的尺寸,封装电容可以到uf;pcb上就是体电容,中频电容等,从几百uf到pf不等,主要选择的依据是芯片要求的纹波,一切都是为了die,满足die的纹波要求
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