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在使用HL8.1 对电源网络进行Decoupling仿真时,检查去耦电容的布局质量,如果不去掉电容的地过孔(电容的接地脚只能接到安装面的地层),仿真结果会提示电容布局质量不good:5 }' S+ p) {7 _5 w. \
Processing decoupling capacitor C266
" A1 o* ?5 ~( G; I( KW: All decoupling capacitor nodes have connections at same layer Inner_Layer_5, capacitor cannot be modeled
/ \* @) b. g @/ Q6 x9 l: [W: Failed to create decoupling capacitor model; using simplified low-frequency model
1 _, T D9 d$ q+ C$ S) G提示电容的地接到电源块的同一层(L5)而导致去耦电容不能起到Decouping的作用。2 U' q; m4 O9 Q1 G$ s* _
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重新隔离电源层(L5)中的去耦电容的接地埋孔不到地,检查结果仍不行。
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只有去掉电容的地过孔(电容的接地脚只能接到安装面的地层),仿真结果才能提示电容布局质量good。
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而PI要求去耦电容的地必须单独直接下到主地,因此在HDI中的地埋孔不可避免的要经过电源层。
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因为这个原因,搞得对仿真结果的正确性有怀疑,求哪位达人指点,如何处理这个去耦电容的接地问题,谢谢!
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