分享一个74HC165D补充型输出 并行或串行至串行移位寄存器

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74HCT165是符合JEDEC标准7A的高速Si栅极CMOS器件。它们与低功率肖特基TTL（LSTL）引脚兼容。
74HCT165是8位并行加载或串行移位寄存器，具有可从最后一级获得的互补串行输出（Q7和Q7）。当并行加载（PL）输入为LOW时，来自D0到D7输入的并行数据异步加载到寄存器中。
当PL为HIGH时，数据在DS输入端串行进入寄存器，并向右移动一位（Q0→ Q1→ Q2等）。该特性允许通过将Q7输出连接到下一级的DS输入来扩展并串转换器。
8 [0 x8 S/ E9 P/ _# @) f时钟输入是门控OR结构，其允许一个输入用作有效低时钟使能（CE）输入。CP和CE输入的引脚分配是任意的，为了布局方便，可以颠倒。对于可预测的操作，输入CE的LOW到HIGH转换应该仅在CP HIGH时发生。CP或CE应在PL的LOW到HIGH转换之前为HIGH，以防止在PL被激活时移位数据。

特性
* }+ ]3 s( u/ o8 X5 K+ O0 }- E•电源电压范围从2.0到6.0 V
•CMOS低功耗
7 I7 i# L& Z! N) C- U6 c•高抗噪性
•根据JESD 78 Class II Level B，闩锁性能超过100 mA
" R* c9 k( g3 x3 U& f8 q•异步8位并行负载
•同步串行输入
* P/ ?0 V* o9 s9 f9 F+ x8 _•输入水平：
•对于74HC165：CMOS级别
  }6 a* U: h6 s: _2 b) K  Q" O•对于74HCT165：TTL电平
•符合JEDEC标准：
•JESD8C（2.7伏至3.6伏）
2 ]  P3 @3 j: m4 F% j•JESD7A（2.0 V至6.0 V）
•ESD保护：
0 f7 i, a" ^" ?0 \& W& N•HBM JESD22-A114F超过2000 V
. U! `- X7 w  c: `7 F" F•MM JESD22-A115-A超过200 V
•多种包装选项
•规定范围为-40°C至+85°C和-40°C到+125°C

应用
•并行到串行数据转换

3 ~2 D' L/ M' Z7 g

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