低压直流浪涌的常规设计防护方案？

深圳比创达EMC

低压直流浪涌的常规设计防护方案？相信不少人是有疑问的，今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下！

针对市面上各种快充型手机，其适配器输出的常规电压为5V DC，但若采用高压大电流或者高压低电流的快充模式，最高输入电压有可能达到20V DC以上。

另外，USB充电头在插拔瞬间也易产生一些强干扰脉冲注入到端口中；因此，有必要对手机的相应端口进行耐压能力的评估测试。

在比创达的日常工作中，低压浪涌类测试整改项目也是最常见的项目之一；因端口防护设计不良造成的失效也是多种多样，包括IC芯片烧毁、产品关机/复位、端口器件烧毁等。

经过经验丰富的现场整改工程师定位整改后，绝大部分产品均能通过最优方案解决浪涌失效问题，那么低压直流浪涌的常规设计防护方案？接下来就跟着深圳比创达电子科技小编一起来看下吧！

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一、常规设计防护方案

针对各种端口的低压浪涌防护设计，与常规的浪涌防护原理一致，也是以泄放、钳位为主要手段，只是干扰等级相对较低，且大部分端口的空间有限，选用的器件一般是小尺寸贴片封装的TVS或TSS为主；以USB口为例，其常规的低压浪涌防护方案如图1所示：

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图1 USB口的低压浪涌防护方案

L1：滤波器件BTREF1608A1R601（该器件为1A电流的器件，后续可根据实际要求与测试结果调整适当参数）。

L2：共模器件BCMF122P900H（可根据实际要求与测试结果调整适当参数）。

L3：共模器件BWMF32252P102P1A2（该器件为1.2A电流的器件，后续可根据实际要求与测试结果调整适当参数）。

D1/D2/D3：防静电器件BTR06D3（可按实际要求更改封装，下同）。

C1：104滤波电容。

R1/R2：2.2欧电阻（0603封装）。

T1/T2：防浪涌器件BTR3S23A1（可根据实际测试结果调整TVS型号，下同）。

T3/T4：防浪涌器件BTR9S23A05A。

备注：此方案基于防静电设计增加浪涌防护；此方案为基于被保护端防护能力较弱的保守方案，实际应用时可根据后级IC或其他模块的耐压能力强弱适当增减防护模块。

二、总结

1、低压浪涌防护也是以泄放、钳位为主要手段，器件主要用TVS和TSS；

2、器件选型时需注意确保残压对后级被保护电路的影响同时，要注意端口自身的耐压；即保证被保护的模块得到保护的同时，也要保证防护器件本身不易损坏。

综上所述，相信通过本文的描述，各位对低压直流浪涌的常规设计防护方案都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次继续延续这篇，然后给各位讲解低压直流浪涌的整改案例，咱们下回见啦！

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TVS和TSS是最常用的器件