退耦电容VS旁路电容

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1.  耦合，有联系的意思。
! b* ?# D4 D2 o9 D$ u. h2 n2.  耦合元件，尤其是指使输入输出产生联系的元件。
3. 去耦合元件，指消除信号联系的元件。
4. 去耦合电容简称去耦电容。
5.  例如，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗（这需要计算）这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。  
+ r2 {" u$ f8 `4 n$ ]+ @旁路电容不是理论概念，而是一个经常使用的实用方法，在50 -- 60年代，这个词也就有它特有的含义，现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置的，就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏”，但是对（交流）信号而言，这同时又是一个负反馈，为了消除这个影响，就在这个电阻上并联一个足够大的点容，这就叫旁路电容。后来也有的资料把它引申使用于类似情况。  


% Z4 |' P8 x- K* S电容分基本上可为两大类： 耦合电容，储能电容。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：
: l; I$ M$ |) z5 e一方面是本集成电路的蓄能电容;
. G- `7 U" Z0 @( x1 r另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
" N* G) V% \( r( R数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
2 _* d- N6 x6 t6 s. P" Z8 {' S" [# \  
# }8 }+ {6 t; r+ v8 B从去耦（也叫退耦）和旁路的结果上区分为

1 T: \7 P0 F0 C去耦：
      电路系统中变化的电流对系统供电电源里的电源内阻起作用，从而导致电源向电路输出实际电压产生抖动。
      如果从电源引出一个较小的电阻，该电阻串联一个电容到地，该阻容节点就可以为需要退耦的电子元器件供电了。虽然该阻容节点上的电位有所下降，但在该节点上的电压却会趋于稳定。这是RC积分网络的典型应用实例。该电容就是退耦电容。
9 t. Y+ Q. [; W7 V6 `! P7 K      有时我们从电路上看不到这个从电源引出的小电阻，那是因为有电路板铜箔在当作小电阻使用。因为除了到绝对0温度时，世界上不存在真正0欧姆的电阻。
& S: g7 R& F$ f2 ?  Y      这就是去耦。由此可见，去耦是为了尽可能的获得稳定的供电电压的。主要是针对电源内阻而设置的，如果电源内阻为0，并且电路板铜箔电阻为0，那就真的不需要设置退耦回路了。   


" D8 L7 I+ l/ G/ \# @* n旁路：
# w3 e2 Z9 Q+ t7 S; A7 H6 k9 r6 o      一个待处理的信号往往因其他各种因素（典型的如干扰）或多或少会夹杂有无用的成分，如果我们在该信号上并联一个适当的电容器到地，那么就能压缩比该有用信号的频率高的信号，而对该有用信号不压缩或压缩的少些。这样，有用的信号顺利通过，而无用的高频信号却被“旁路”到地了。这就是旁路名称的由来。
1 o9 G) Z- v1 C# m& V      那么比该有用信号的频率低的信号难道就不需要旁路（压缩）了吗？是这样的。
; W3 S1 ^) [% Z/ Q( u      1.可用串联电容将有用信号耦合到后级，较低频率的信号不容易通过该串联电容，到后级时再旁路。
# j5 C/ l! u+ E$ e! u3 h* Y      2.较低频率的信号不容易干扰较高频率有用的信号（需要电容旁路的无用信号频率更高）。我们只是听说过调制信号可调制载波信号，而不是载波信号去调制调制信号。
      由此可见，旁路是针对待处理的信号的（去耦是针对供电电源的）。