2025国产MOS管：极低导通电阻、BVDSS_typ=55V更适合12V输入电路

幕刃1

8 r9 A2 F! r. K7 r# J. m- h针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。

, s6 G% T, K1 E  U3 ~) b它的创新性设计是基于已有成熟的产品体系而来的，可以稳定且可靠的应用于各种12V输入的逆变器、12V输入的音响电源中。

: {% D. n( E9 {7 W2 k! V. p
它就是飞虹半导体首发新品FHP1404V型号MOS管，正是拥有上述特点，而且还拥有极低导通电阻，让其可以无缝代换CS1404、IRF1404PbF、HY4004、FTP1404型号场效应管。
/ F) C7 y5 M( v/ H" p$ q
FHP1404V作为N沟道增强型场效应晶体管，它采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。
2 ~( c9 j, L( H; }0 n6 Q: k

. N/ w% f' h$ C( |4 g
& v7 y2 l7 r; A$ `+ _该晶体管可用于各种功率开关电路，产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
6 [3 d; [" J2 c& {# |4 F9 [
下述将围绕FHP1404V场效应管的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍：
7 w% H" P- q4 {+ [# M

一、产品特点
（1）100% Rg测试。
% X6 D6 M5 \3 g$ ~7 Z* Y6 z（2）100% EAS测试。
（3）100% DVDS瞬间热阻测试。
（4）采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。
  v+ `- T5 a" p$ ?7 W" X' B（5）通过采用特色的trench工艺，结合优秀的封装BOM材料和生产管控，产品满足工业级需求。
（6）拥有极低的导通内阻RDS(on)，FHP1404V的导通内阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。导通损耗低。
' b/ x& v8 j, Y/ X（7）雪崩耐量高，抗冲击性能强。
; Q0 Q: o  `. E+ Z: z5 x3 d* A" {（8）FHP1404V拥有更高的电压余量，BVDSS_typ=55V，应对12V输入电压系统，电压安全系数更高。

* S. p4 ?+ E. f
* |/ t6 H- c8 o. c0 `二、友商参数对比
! [7 h4 X5 \2 [' d2 f（1）与HY4004相比拥有更低的导通内阻，降低了导通损耗，同时提高了品质因数FOM(RDSON*Qg)，性能更优。
（2）与IRF1404PbF相比，降低了导通损耗，栅极电荷更小（160nC vs 210nC），开关速度更快，可提供更高性价比的国产化替代产品。
（3）与CS1404、FTP1404对比导通电阻更优，适合追求极致效率和电流能力的产品。

三、推荐应用范围
（1）高频逆变器应用：12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。
3 ]. |1 C2 A- Y4 k/ u# V（2）适合12V的全桥拓扑结构的太阳能工频离网逆变器应用。
% B  w  F* F+ q. L$ W% v（3）适合12V输入的音响电源中的DC-DC推挽拓扑升压电路。
（4）适合12V蓄电池供电的UPS不间断电源。
（5）适合大功率高频开关电源上的同步整流。

# P3 a* T/ T, i

/ C; d+ X2 ^: d/ I9 K. Y2 u7 ?9 y' a四、部分典型特性曲线
% b, ~: a0 V, r

# }4 j6 N- F! U- D) Y( R

" u9 T- a1 \% h4 q) p0 X
9 j$ j: a9 A0 \! e对于常需要用于高频逆变器、UPS电源、同步整流等领域以及针对需要12V输入电路设计的产品建议可以多看看这一款优质的国产化MOS管。
, J/ S- m/ p3 Y2 m- Y3 i% R
) I; j5 h% p" m3 o: hFHP1404V超低导通电阻、高电流能力、优异热管理，适合高功率密度应用（如大电流逆变器、UPS），在同领域产品中适合追求极致效率和电流能力的电路设计。

s8484ww

样片怎么申请