怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

QWE4562009

怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

超級狗

/ W! L7 J& y. j" Y6 ~2 b

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

V_DS ≥ V_GS​ − V_th​

& \( o% E9 v% K! T, F其中：

• V_DS​：漏極對源極的電壓
• V_GS​：閘極對源極的電壓
• V_th​：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
  / J: |$ R/ a1 |$ {. Q
  
  ! t" |) [) v  l2 u

超級狗

' n' r4 i1 w* n7 f

超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
& R4 j5 J4 \" _( v+ l暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！

原文

# I" E9 F/ \3 e; ]% V3 I* J9 k; M暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！

myiccdream

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

- V0 G! }$ k: S; u9 d" @你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载
- @& o7 b- V& Q$ s

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暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
/ @9 A# V$ x7 y( r" l4 V
; s' X1 a+ L) Q( ~6 s' ^原文
+ _& x+ A' u1 y! DMOSFET saturation mode is defined as operation with high V_DS, specifically where V_DS > (V_GS − V_th).
1 b( ]! I$ {4 j/ B
+ e& ]; M$ ^4 `4 F: W* Z

2 ]/ F" }9 V- h; p  [- I" n5 y

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
/ N  Z  Z" _' @3 H$ ^% g: `1 @
V ≥ V​ − V​

涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？

Dc2024101522a

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
) q: r$ `# Q3 a, g' s涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
按这个说法，gs给10V，d没 ...

通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
; \  w, P' R. N, s& L3 ^

huo_xing

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
+ H1 s5 O+ N  ]$ u. \5 n; L% S4 w  C4 g通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

) {$ F" s' L3 h2 Y: q0 y我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的
( J0 ^) W- Z; Z! h" s

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# H' R/ d2 o" i/ R. I4 V' `

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。

了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。

+ Y' S6 p1 H$ y, N- ~狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！
6 {3 C' E- ^' C$ X& P; X
& t7 ?, [; `8 x- e" A

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超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。

了解這些參數是怎 ...

8 q" Z7 z+ n5 o8 _好漂亮的畫面！

" {0 q/ P) M7 @. [$ O6 a  U( w# D& @* o

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
& r! B( H2 u4 z9 l! ZMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

V ≥ V​ − V​

4 O6 I% B0 ~) n: Z( A点成反对了。。。
/ u8 [6 N6 ]# V  g( X' Z" X4 E9 z

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超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

" z: C* p- \6 JV ≥ V​ − V​

1 s: R' e0 Y7 C- \- Q% A, a如果不符合这个条件  就是没饱和咯
* k- N* U9 O' c9 ^! u+ b6 ]6 f

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
% v' r8 t0 G4 n& x' f( g好漂亮的畫面！

这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通

Dc2024101522a

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
8 Y! i$ ?1 K/ R- I& ]( W你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
" k# E6 H4 P4 {! P, E( `比如电子负载

# R# J5 ^- g: F0 w) f我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
. w& v. q% |: m7 {5 z- |  _

clp783

路过，看不懂。