怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

QWE4562009

怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来
- y4 [2 H+ l' y, k& `

超級狗

* f$ E$ _# t/ r% y7 l/ s

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
, k4 L7 O& J" O) X+ M
1 L3 g7 m. w, T( s  k% ZV_DS ≥ V_GS​ − V_th​

其中：

• V_DS​：漏極對源極的電壓
• V_GS​：閘極對源極的電壓
• V_th​：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
  ( U! M& C( i1 N- h
  
  4 V1 Z4 e' w. |4 T4 r  g

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
) w) {6 P2 K* [) Q- j, r
9 {9 V6 l# n) d7 j" z' a& q( l原文

暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！
. P% {& k8 d+ U7 J, A/ y

myiccdream

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
4 g, H' R  r: d# c$ y' r8 u我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
* J) h/ b* k& d6 u& f3 d9 X+ g以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

% ~! S1 q8 e; U: V5 i你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载
& ^6 V+ m" D) a1 z

超級狗

+ G1 _  a. n  P: B% l) w
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
$ r" x! a# I; Y8 K" j  Y( f
原文
MOSFET saturation mode is defined as operation with high V_DS, specifically where V_DS > (V_GS − V_th).



- q+ B; c1 ~# _6 o# I+ U3 Z9 s

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
+ D# y2 T; F' e/ x( d  F8 ?: U& LMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
& F, F0 n- E, T
V ≥ V​ − V​

( n/ P9 A/ V5 p9 R涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？

Dc2024101522a

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
+ C+ I* F' o0 m( z+ ?$ {涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
按这个说法，gs给10V，d没 ...

: R7 Z/ ~0 f) [7 H5 Y7 {通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
; m7 o5 F# J( D% e

huo_xing

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
* p) p- D. `0 E8 ?0 R  {1 ^以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的
5 I% N: x/ p5 B+ r

超級狗

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
8 H, m- T: H: B1 m
3 g8 I2 [8 }0 R了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。
& s+ f" Q0 `2 {4 S5 @7 D0 `: s$ u
狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
9 T7 f* f* {- GMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
8 G7 P7 g% n/ H6 f  W9 A, ~
了解這些參數是怎 ...

* {. C: v" u" Y, y4 N1 N- i好漂亮的畫面！

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
/ m: ^) V' J0 w6 cMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
9 f; D2 @6 h+ Y3 O. N6 a
V ≥ V​ − V​

点成反对了。。。

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
) F* s1 f* G- E/ ?4 NMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
- M6 k/ d+ ~/ i# ]: B
V ≥ V​ − V​

如果不符合这个条件  就是没饱和咯

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
好漂亮的畫面！

. A6 D$ J2 e: l这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
4 `) {. t  w5 X( o+ F实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通
4 k* p5 J4 d6 `" v! l

Dc2024101522a

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
  i( D! w( _# ]" Y2 w你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
* X9 \5 {7 E% [  W0 @/ n比如电子负载

" L! F3 \9 y2 H2 _  {# S0 ?我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性

clp783

路过，看不懂。