怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

QWE4562009

怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

超級狗

! l( q( r9 f& Y( k

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
1 I( V' l  u& }
4 \7 ?7 Y- u5 H% w+ _V_DS ≥ V_GS​ − V_th​

9 _1 ^5 V4 x9 U: a; n9 J其中：

• V_DS​：漏極對源極的電壓
• V_GS​：閘極對源極的電壓
• V_th​：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
  + z$ Q. B+ l$ d- d& _1 S2 K. I
  
  

  E& [# R) @% K$ N

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 07:48
% \- S* l6 E- E2 T2 s- D暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！
* W1 d2 K$ C. x9 {3 C; _
原文

1 U/ m% j) A! n, E% [  V- _8 `* i暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！
) C$ v6 W% t) i  _/ ^+ k% Q

myiccdream

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
7 I0 k5 U3 @2 a3 p$ y) }) |我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载
) `6 g. W  x' V- R

超級狗

' ^. z( U1 m: J3 \
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！

% G3 N1 c) C) w6 P5 Z原文
: m$ C7 c7 `9 Q2 N( h$ B' Y# IMOSFET saturation mode is defined as operation with high V_DS, specifically where V_DS > (V_GS − V_th).
' A* d3 B3 I8 N4 }
3 B' L, L' v2 a4 H
! Z, d6 Z  F1 s' Q4 d8 l
7 I9 z# t+ e# d

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
0 ^: N0 Z& W7 [  g- zMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
2 U4 Z' q; b' K' m6 M
, `7 ?0 W6 z- f7 jV ≥ V​ − V​

涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
9 c$ V4 q5 b, r按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？

Dc2024101522a

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:29
1 h' K# s; x7 l+ N/ z6 |涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
+ Z6 H* X" P+ a/ Y按这个说法，gs给10V，d没 ...

" j/ Y# _0 o: A! g$ N通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响
2 `* e: l) _3 R3 J" I8 I7 b' I

huo_xing

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
$ Y, G) M7 B* F8 p通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
0 c2 ^) Z: e5 b以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的
9 \7 p, I' B6 t# D  ], M

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huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

7 s3 q" T0 |% h: hMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
5 H, w6 S; K  T
了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。
/ ?4 e/ E, `! a( J, p; X7 C) Z( X
( [1 B  G# _/ `0 G1 L狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！

8 f' M$ e7 }$ C5 ]

超級狗

超級狗 发表于 2025-4-8 10:38
. N& a2 C$ y' k: mMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
2 T7 I( p- e% m* L8 X
5 \7 ^9 A/ m8 B  B$ i. A9 F了解這些參數是怎 ...

好漂亮的畫面！
  ?$ s  U3 B- A3 h5 t0 U4 u. k) [* _

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
' H9 M' R2 N! C) P) E
V ≥ V​ − V​

点成反对了。。。

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-4-8 07:40
3 H* o7 V5 C* E0 o! }MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

V ≥ V​ − V​

如果不符合这个条件  就是没饱和咯
1 a! C4 v. y9 ]" u+ t

huo_xing

超級狗 发表于 2025-4-8 13:10
; x  _: e3 o2 e5 R: ~好漂亮的畫面！

0 F3 w8 K& s" Q( C这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
1 m4 M  t- \2 \3 p, Z* W实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通

Dc2024101522a

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11
你有没有想过 有的电路 就是 不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
" H$ R8 b& c5 s3 h" P+ S- d比如电子负载

! `' c' e* _  K6 N7 Y6 G* M3 h我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性
5 w8 I# U" Y1 S5 W! x

clp783

路过，看不懂。