询问关于手机板的DDR2 的规则问题，谢谢

whq888

询问关于手机板的DDR2 的规则问题，谢谢
1.走线等长问题：
每组11根线的等长误差：              与CLK误差：
CLK差分误差：
地址线和其它线与CLK误差：
2 N7 H$ J% I1 }7 p2、走线层问题 (主要是DQ) ?
( l* v7 |  w  r  D* g1阶板：lay2
2阶板：lay2 lay3
9 K* W: E, T7 U0 g3、阻抗需要控制问题(50欧），如需控制2阶板阻抗如何控制？
* R4 V) G( a8 R  F* O4 U
因为手机板走线密面积小，所以请高手能给出参考，谢谢

dhgchina

DDRII数据线同组同层走线（DQS0/DQS0#、DMN0、DQN[7:0]）组内等长围绕DQS差分做等长误差为20mil\10mil，不同lane组的等长范围为20mil\30mil，地址、控制、时钟线（远端分支结构）同组围绕时钟差分做等长，误差范围为50mil\100mil，所有差分线的等长范围为5mil，地址、控制、时钟组与数据组误差500mil;单端阻抗50欧姆，差分100欧姆；[数据低位、高位每组11根信号同层布线]