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整流二极管发烫

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1#
发表于 2013-7-26 15:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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我用的2A的SMA贴片式的整流二极管,发现很烫手不能放在上面,但是我测试了下通过的电流也不过在400ma左右离最大的2A电流相差甚远,这个是什么原因呢

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2#
发表于 2013-7-26 15:46 | 只看该作者
建议你看下整流二极管的“反向恢复时间”这个参数,因为一般整流二极管应用频率较低,"反向恢复时间"较长,如果和你的Fsw不匹配的话,可能会引起二极管的功耗增加,管子发热。楼主最好还是把图贴上,便于分析。

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3#
发表于 2013-7-26 15:52 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2013-7-26 22:53 编辑
6 Z  a1 C- x/ n8 I" i9 o, C8 i& `$ z( P& L5 {) @6 _4 Y/ {
如果是一般二極體,假設 VF = 0.6V,0.6V x 400mA = 2.4W。* x3 ]& N2 h% W( d* Q

! n% w! ?- t2 e( oSMA 封裝的逸散功率(Power Dissipation)約 1.5W 左右,早超過其散熱能力了!
4 W* E9 t. x0 _+ _. k' H
; \1 t# V' v! J! _4 E: t有三個方法︰
" W4 k; W0 {. S. n3 Q! |' M  H; K
  • 把銲盤(Pad)加大當散熱片,不過面積不小,可能不太好看。
  • 選用逸散功率(Power Dissipation)更大的封裝。
  • 選用 VF 值較小的二極管,如消特基二極管(Schottky Diode), |: i% C& c# A) ]

; [# s9 z  C' [/ k
  h- p4 N. c7 V{:soso_e101:}

点评

超级狗斑竹超级,顶一个~  发表于 2013-7-28 10:33
狗大出丑了,太开心了!  发表于 2013-7-26 16:39
0.6x400ma=0.24w吧  发表于 2013-7-26 16:31

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4#
发表于 2013-7-26 16:55 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-7-26 15:52 ' U! i3 J+ z1 T* o4 r6 j
如果是一般二極體,假設 VF = 0.6V,0.6V x 400mA = 2.4W。
6 O; `: L2 [" n% y. }; F2 t7 b9 @; @. ]) L' l+ A, b. @
SMA 封裝的逸散功率(Power Diss ...

) H/ `+ r/ E& G( A7 g! y- S看来大神也有打盹的时候啊,呵呵!

点评

支持!: 4.0
我很开心 ,^_^  发表于 2013-7-26 17:04
吃芝麻沒有不掉燒餅的!>_<|||  发表于 2013-7-26 17:01
支持!: 4
哈!大家開心就好。  发表于 2013-7-26 17:00

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5#
发表于 2013-7-26 17:15 | 只看该作者
“吃芝麻沒有不掉燒餅的”,精辟!!

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6#
发表于 2013-7-26 17:40 | 只看该作者
超級狗  吃芝麻沒有不掉燒餅的!>_<|||  发表于 2013-7-26 17:01
% q; {) w  [( X& Y
「仙人打鼓有時錯,腳步踏差誰人無」

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7#
发表于 2013-7-26 17:45 | 只看该作者
楼主 会不会是假货呢 才一点点电流 怎么可能会那么烫呢

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8#
 楼主| 发表于 2013-7-26 17:46 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-7-26 15:52
& P5 j- z( h- o如果是一般二極體,假設 V[sub]F[/sub] = 0.6V,0.6V x 400mA = 2.4W。
7 a3 w0 S; Y# ?/ O% h* V
% `2 ~( y4 E9 p! kSMA 封裝的逸散功率(Power Diss ...
; G* w- `- `5 C) t
既然SMA功率这么小为什么还要做成最大电流为2A的呢,那样即使焊盘加大,也起不了多大作用么

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9#
 楼主| 发表于 2013-7-26 17:48 | 只看该作者
我是使用了三个管子串联的用于降压后输入LDO的,谁知道会这么烫

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10#
 楼主| 发表于 2013-7-26 17:51 | 只看该作者
我选用的是S2M 型号的二极管,理论上应该没那么烫吧1 T$ `: c, k; x' ]0 x

点评

Forward Voltage = 1.15V @ 1.5A @_@  发表于 2013-7-26 18:14

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11#
发表于 2013-7-26 23:06 | 只看该作者
本帖最后由 kobeismygod 于 2013-7-26 23:07 编辑
+ g1 `1 q) _% P4 w" [2 t( Q  e2 ^$ P4 K1 `7 N
以前看到TI有个文档是关于提高LDO输入电压范围的,楼主可以参考下,感觉比串那么多二极管可能会更好些, H6 \/ V4 ?; g. o* X: M% s, P
http://www.ti.com.cn/general/cn/docs/gencontent.tsp?contentId=53426

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12#
 楼主| 发表于 2013-7-27 13:33 | 只看该作者
kobeismygod 发表于 2013-7-26 23:06 + _$ k' C0 M" Q  Z# J  }
以前看到TI有个文档是关于提高LDO输入电压范围的,楼主可以参考下,感觉比串那么多二极管可能会更好些! D4 o2 f: S0 P+ r2 |* ^
htt ...

! a  c3 C  f: r5 b8 C, |5 ^仔细看了下,可以实现,但是有个问题,输出的电压随电流变化大不大,电源稳压器输入在6V左右但是电流可能随着负载的变化而变化,这个还能够适用么

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13#
发表于 2013-7-27 20:46 | 只看该作者
“为了确定 MOSFET 栅极的最小偏置电压,就需要 MOSFET 漏极电流 (ID) 与栅—源电压 (VGS) 数据表曲线图表。就 IRF7601 而言,这些曲线表明该器件要实现 100-mA 的输出电流所需的 VGS 应略低于 1.5 V。由于在 100 mA 情况下,稳压器的最大压降为 100mV,因此稳压器的输入电压必须保持高于 2.9V。从而,MOSFET 栅极偏置至少为 1.5 V + 2.9 V = 4.4 V,这样的话,当 MOSFET 提供 100mA 电流时,其源电压不会降至 2.9V 以下。最大栅极偏置电压一般为稳压器所推荐的工作电压,或为 5.5V。该电压提供超出所需的栅极驱动,以为稳压器在断电模式下提供 1μA 的静态电流。尽管栅极可以在 4.4V 至 5.5V 之间进行偏置,但是应选择一个 5.0V 的偏置电压,以解决阈值电压下的各种变化情况”
- Z$ G. m7 a" }& y* x* Y这上面对偏置电压的设置已经做了比较详细的说明,MOS的偏置电压设置要根据LDO负载情况来调整,满足LDO输入电压需求。
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