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[仿真讨论] DDR3差分时钟端接问题

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1#
发表于 2013-8-28 22:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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(1)在一个设计中,CPU挂了2个DDR3,差分时钟信号SCK和SCK#,走线拓扑结构为T型,原理图上的端接电路是从CPU出来SCK和#SCK上各串接一个0R电阻(SCK上为R1,SCK#上为R2,跟着它们之间跨接一个C1=10pF电容(原理图备注,此电容根据实际情况选贴200R,240R,10pF或不接等选择)。. {, v4 D) |3 w9 `, I% ]3 A/ w
(2)SCK和SCK#的PCB走线上,串接电阻R1和R2和跨接电容C1相邻放置,且在T型拓扑的分叉点处,它们距离CPU端大约25mm;分叉点距离1#DDR3和2#DDR3的距离几乎相等,大约都为12mm。
$ @7 k2 |" ~8 x0 @/ m& K( k(3)SCK和SCK#要求板厂做100R的阻抗。) k  A: `* a* W! @8 O5 L' d
( N! v( ]" _: m% o; v5 N$ [
问题:
0 [$ j4 H$ D6 R0 Z- U, w& g1.差分时钟SCK和SCK#之间跨接电容(或电阻)C1的具体作用是什么?它应该怎样取值?
# W6 H# n9 ~( y5 G* P! r2.为什么是做100R的阻抗,而不是50R?
3 G  D9 U4 z0 y1 _1 L0 ], X+ {5 }7 F  n3 d& {) H

1 c# A$ s! T! h* K* v' v

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发表于 2018-11-6 11:26 | 只看该作者
godgyan 发表于 2018-9-27 15:33- J9 j, h+ B! ~& ]5 \7 E7 \( G
这是哪个规范?
- r0 J$ B2 v) s( |: W8 J# o3 a! n. ^
看这里
2 p8 Z/ V" {+ F9 b" ~
5 o5 j! j7 b! M) V( b9 y3 x

4_20_19R22A.pdf

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受教了,多谢分享  详情 回复 发表于 2024-9-2 10:52
支持一下,下载来看看  详情 回复 发表于 2022-7-19 15:32
支持!: 5
  发表于 2021-8-12 09:19
感谢分享!!  详情 回复 发表于 2020-7-10 10:52
非常感谢  详情 回复 发表于 2019-4-18 13:43

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发表于 2018-8-10 10:18 | 只看该作者
规范要求查分电容是2.2PF,靠近源端, B* t$ h, M0 _7 g, h1 D. d+ t# Z

/ \* o  |- `! B8 R# t7 M: Y0 @) R( u

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5.png

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感谢分享  详情 回复 发表于 2020-7-21 10:09
这是哪个规范?  详情 回复 发表于 2018-9-27 15:33

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发表于 2013-9-6 12:01 | 只看该作者
dck 发表于 2013-9-6 09:05) s3 ]1 S" a# g; j
哦,走线拓扑结构一样吗?我的是两片DDR3,时钟差分走T型拓扑,主控到分叉点大约25mm;分叉点距离1#DDR3 ...
0 u6 D$ J! n. {/ b8 K, U4 i0 s
我们这边设置也是T型,主控到分叉点为40mm,分叉点距离两个DDR3大约各10mm,你怎么知道总线跑多少频率的呢?是在uboot设置的么?你DDRC最大多少频率?

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5#
发表于 2013-8-28 22:29 | 只看该作者
忽然我都蒙了,发觉似乎有很多人会在 CK 与 CK#的端接电阻上又并一个电容,我的设计重来不用并电容,真的不知道原理何在,到底是为什么呢?

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6#
发表于 2013-8-30 16:42 | 只看该作者
电容本意应该是想去除回沟,频率低时也许有用,但DDR时钟不建议用电容,会减缓边沿转换时间,可能导致采失效。

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7#
 楼主| 发表于 2013-8-30 17:59 | 只看该作者
今天查出来,跑不高的原因有可能是固件问题。

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8#
 楼主| 发表于 2013-8-30 18:01 | 只看该作者
joshuafu 发表于 2013-8-30 16:42
- C+ w# o' ]0 O: g8 }/ M! x+ \电容本意应该是想去除回沟,频率低时也许有用,但DDR时钟不建议用电容,会减缓边沿转换时间,可能导致采失 ...

7 q6 ^! a* O: Y" K  O" v2 {  |去除回沟,是什么意思?

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9#
发表于 2013-9-5 14:31 | 只看该作者
我们公司做的DDR3就上拉一个120R电阻,再下拉一个120R电阻,就可以了。

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10#
 楼主| 发表于 2013-9-6 09:05 | 只看该作者
梧桐树2012 发表于 2013-9-5 14:31/ V" |; M& W1 ^# o  t  I
我们公司做的DDR3就上拉一个120R电阻,再下拉一个120R电阻,就可以了。

) w8 X! F: X3 B/ Q! h+ l5 w哦,走线拓扑结构一样吗?我的是两片DDR3,时钟差分走T型拓扑,主控到分叉点大约25mm;分叉点距离1#DDR3和2#DDR3的距离几乎相等,大约都为12mm。
! e! ?( }, X0 ~) c$ ~; q& y: S) f' o' @2 j( [# b
+ @; n  O9 x" R6 T8 Y9 f* w0 d  D# x
现在我的还跑不是很高,通过软件修改ODT的配置也只跑360MHz。

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11#
 楼主| 发表于 2013-9-6 18:08 | 只看该作者
梧桐树2012 发表于 2013-9-6 12:01* O6 F' Z2 ?1 z, I6 m9 J
我们这边设置也是T型,主控到分叉点为40mm,分叉点距离两个DDR3大约各10mm,你怎么知道总线跑多少频率的 ...
4 N; K+ D. b+ l- v# m; Y
使用内存稳定性测试工具memtester,看能跑到多高速度。
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    发表于 2013-9-14 09:12 | 只看该作者
    梧桐树2012 发表于 2013-9-5 14:31
    ) W0 a7 c/ y. i- \7 ^6 {/ g! ~0 e! p7 G% Y4 q/ z6 L4 M我们公司做的DDR3就上拉一个120R电阻,再下拉一个120R电阻,就可以了。. K$ ^" Z& V) p5 j5 E8 D8 T7 b9 A; p
    ' a5 n4 A( b, M5 r2 a哦,走线拓扑结构一样吗?我的是两片DDR3,时钟差分走T型拓扑,主控到分叉点大约25mm;分叉点距离1#DDR3和2#DDR3的距离几乎相等,大约都为12mm。! K3 Z4 n  D% a3 t5 v. w* K1 m! C% n# T" X
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    6 L- {* J- U4 L) ]" n3 ?8 D/ l/ S
    5 e" P9 }' S& ^* A: B现在我的还跑不是很高,通过软件修改ODT的配置也只跑360MHz。 9 ], z( C" n/ M: g: K. I2 y

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     楼主| 发表于 2013-9-14 10:04 | 只看该作者
    多宝258 发表于 2013-9-14 09:12
    ; }+ U  C, R, S% x8 A) l& T梧桐树2012 发表于 2013-9-5 14:31
    , `$ X$ X4 g) d( v) j! ~0 e! p7 G% Y4 q/ z6 L4 M我们公司做的DDR3就上拉一个120R电阻,再 ...
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    毛豆盛宴 发表于 2018-8-10 10:18
    * L/ w: B& D# k& H) ^5 ?规范要求查分电容是2.2PF,靠近源端

    * f% P+ W% G  e, @, \这是哪个规范?9 T! v( @' ^/ s: r& W( E6 m

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