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[仿真讨论] 减小轨道塌陷措施?

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    [LV.4]偶尔看看III

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    1#
    发表于 2013-10-11 09:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    1、减小电源和地路径的回路电感;  ^  b3 s. u  A  m
    2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近;
    * t- h; G5 [, d3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低;
    7 |6 n0 K, `7 |- E4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面;
    # L: l- P; J8 ^- a! [5、使同向电流相隔尽量远,而反向电流间隔尽量近;9 E7 ^0 [+ L0 Y. O: q$ |% A
    6、在实际中,使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当;
    $ Z$ b" i4 c- R7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处;8 Q! S  H5 L* L1 F9 s$ e/ W8 V9 s
    8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远;
    ! k$ X- Y4 o# {  P& ^9、在电源平面或地平面上布线时,应是过孔的直径尽量大;5 \* r) w8 B8 y) T/ w
    10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感;3 I8 y! e( O/ k
    11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线;
      _8 \8 L6 r( G$ b+ W12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚;$ {0 G9 k  N) Q% v5 T6 [+ }& V
    13、使用尽可能短的片间互连方法,例如倒装芯片而不是键合线;. h3 T3 M. T2 a1 |! ]
    14、封装的引线应尽量短,例如应使用CSP封装而不是QFP封装;" U6 z. I% L) D3 e
    16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽;
    * z. z6 C4 |; e8 j" n. _17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件;
    ! O0 [6 w+ r6 @! O1 B: |0 j18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感;
    ( e9 T$ a7 a$ w1 H7 {0 X19、使用尽可能小的去耦电容,并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度;& E5 e  I6 w/ {) q8 Y5 t
    20、在片内使用尽量大的去耦电容;$ g& w! ]7 V; i( {  q' S% Z% Y8 \
    21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容;( ~) L4 v2 `+ [% x8 o* \
    22、在I/O接口设计中使用差分对;

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2013-10-18 16:23 | 只看该作者
    就一句话:使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。
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