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[仿真讨论] 减小轨道塌陷措施?

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    [LV.4]偶尔看看III

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    1#
    发表于 2013-10-11 09:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    1、减小电源和地路径的回路电感;5 v. Y7 ^9 N* {& K- F6 \
    2、使电源平面和地平面相邻并尽量靠近;
    8 M- Y. B  ~" P; t" X+ ?$ d3、在平面间使用介电常数尽量高的介质材料使平面间的阻抗最低;0 E; s" [4 _- [; X1 \8 ~7 F0 Q
    4、尽量使用多个成对的电源平面和地平面;
    . P4 l. U: U0 z6 L5、使同向电流相隔尽量远,而反向电流间隔尽量近;& I: T  _& ^- R$ [3 t
    6、在实际中,使电源过孔与地平面过孔尽量靠近。要使它们的间隔至少与过孔的长度相当;8 R5 y. k$ i6 j3 T: `* \& R
    7、应将电源平面与地平面尽可能靠近去耦电容所在的表面处;
    2 D* ]5 |& g$ v0 y/ d8、对相同的电源或地焊盘使用多个过孔,但要使过孔间距尽量远;3 f( b$ E$ Z/ X! t! U
    9、在电源平面或地平面上布线时,应是过孔的直径尽量大;
    * n$ L% x4 L( k& w3 K4 N10、在电源焊盘和地焊盘上使用双键合线可以减小键合线的回路电感;5 q' i# `  n+ E7 S
    11、从芯片内引出尽可能多的电源和地引线;
    # i# R6 n6 t, c: L8 A4 }12、在芯片封装时引出尽可能多的电源和地引脚;
    0 e! {: o4 b1 k2 s5 _! ]! I13、使用尽可能短的片间互连方法,例如倒装芯片而不是键合线;9 }' ~# P  h; ~# P$ F, E' F
    14、封装的引线应尽量短,例如应使用CSP封装而不是QFP封装;
    : l' K9 a% N0 W, N0 [16、使去耦电容焊盘间的布线和过孔尽可能短而宽;! |9 i: B$ T5 A$ A  P5 `
    17、在低频时使用一定量的去耦电容来代替稳压器件;
      e! y" M7 @8 C' g! Y! U1 D18、在高频时使用一定量的去耦电容来抵消等效电感;2 V1 ]  g6 h4 n& @& w5 ]& R
    19、使用尽可能小的去耦电容,并尽量减小电容焊盘上与电源和地平面相连的互连线的长度;+ V5 L& H6 |) n; x5 j# G, |" O
    20、在片内使用尽量大的去耦电容;' j2 W5 n; V4 E8 K* @0 s/ S! c
    21、在封装中应使用尽可能多的低电感去耦电容;7 x: T$ D8 W- _$ n" q5 q
    22、在I/O接口设计中使用差分对;

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2013-10-18 16:23 | 只看该作者
    就一句话:使DIE pad出来的wirebond线与POWER/GROUND RING的电感尽量小。
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