USB的VREF电压内部原理是什么？？

lusili

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wesnly

frankdhc 发表于 2013-12-10 16:12
8 ^4 w1 ~( z7 Z/ ?) R! Q3 o大侠能说的具体一点吗？  查电容是基于什么考虑的？
知道在低温时电流会消耗增大，特意在电源那加了一个 ...

6 f9 A! J7 C) f) t! \最近没上论坛。。。问题解决了吗？对于一般器件来说，电容受温度的影响是最大的。普通Y5V的MLCC或者普通铝电解电容在不同的温度下容值和ESR变化非常大。

frankdhc

问题解决了，是芯片内部的原因，做了FIB后低温高温测试都正常了，原因是内部有对温度敏感的器件。
8 D1 n, p  H! r7 G" N& W以下是客户的回答，也谢谢大家的关注。
, Y6 z* U+ _$ R# \3 J我们这边研究分析后认为，2、3、4点基本上都是纯数字逻辑，而数字逻辑在低温下出错或出现timing问题的可能性很小。因此我们将重点怀疑对象放在了PHY的linestate输出即HS linestate的检测上。虽然在现有工艺模型的各个corner下我们仿真验证都没有发现问题，但考虑到我们linestate 检测所用的比较器中有使用与温度相关的PTAT电流，因此我们推测和低温下该电流有关。
实际上我们对设计进行了恶化仿真与分析，当我们将设计中的电流人为降低到30%后，在低温下仿真会看到linestate的检测出错的情况。原因主要是由于电流过小后比较器中部分器件工作到了压阈值区，比较器增益下降，比较出错。
* j1 W' u: V$ E2 d# A6 m在FIB方案中我们将该电流增加了一倍，从FIB测试结果看，我们的推测是正确的。但由于现有模型仿真上无法验证到该问题（我们之前应贵司的要求做了各种低温仿真），因此我们推测可能和model的准确性有关，也有可能和生产中poly 电阻的偏差有关。
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