USB的VREF电压内部原理是什么？？

frankdhc

如题，设备在低温-40度时U口不能识别，现在抓到VREF电压有问题，应该是1.1V  ，在低温时升不起来，如图，只有一个脉冲。
不了解VREF内部原理是咋样，请各位给分析一下

frankdhc

Vincent.M 发表于 2013-12-10 18:12
有结果了吗？
* G, X+ J* K: J9 z1 y* g, ~! d先看芯片本身支持的工作环境吧。
* H$ @' Y0 W- n. K9 V% i而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。

+ b" b: u: C- B: m, bUSB PHY厂家仿真说是在-40度没有问题，说要准备做FIB测试了，他们正在输出方案。
* u) P2 ]' u5 D! d5 F$ m是在-40度保持了一段时间出现的问题，但是在-10度至-40度之间都出现过这个问题，不一定非是-40度的情况。而且如果我们的设备通电状态下放到低温中，断电再立即上电是没有问题的。
板子原理非常简单，只有一个U口电流，1117电源，和主芯片一个。无钽电容电解电容，全部是瓷片电容。
) R' `/ b) m/ |" K低温下各种仿真条件：
1.VDD=1.62V ;  VCCA1= VCCA2=2.97V
$ o, B( y( G- `6 r- e: E  a9 o# _mos           section=ss
5 Q" C  M+ D! |transistor  section=bjt_ss
8 {( l( p! w0 \) N1 L0 i; Z, presistor     section=res_ss
2.VDD=1.62V ;   VCCA1=VCCA2=3.63V
3 R1 ~' g5 |! @6 u! Z+ emos           section=ss
, z( g9 _* l4 O5 w. Q( I, a. ltransistor  section=bjt_ss
resistor     section=res_ss
$ P1 _$ |, G4 r' n; H3.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
" U9 K1 P/ b# G" Imos            section=ss
5 M0 {  U) ^  M7 L( htransistor   section=bjt_ss
3 ^+ W) p9 V" [: q: E* cresistor      section=res_ss
, J7 U& n* B9 ]3 E9 Y0 o4 Q4.VDD=1.98;   VCCA1=VCCA2=3.63V
6 A/ t* U+ |" K$ C5 ~mos             section=ss
transistor    section=bjt_ss
resistor        section=res_ss
# Q; O  j; G% W( Y. b2 v8 {' H5.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=2.97V
mos           section=ff
transistor  section=bjt_ff
4 y" v( n! _0 v1 f2 Y' R- I: D$ sresistor      section=res_ff
& ?+ r  O# T% K/ ^6.VDD=1.62V;   VCCA1=VCCA2=3.63V
. Y6 g* L3 X. m  mos            section=ff
  transistor   section=bjt_ff
% B1 j, n: w! t5 B+ O$ y  resistor      section=res_ff
7.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA2=2.97V
* |! r2 ?5 P  O- m- O6 Z3 l   mos             section=ff
   transistor    section=bjt_ff
   resistor       section=res_ff
8.VDD=1.98;     VCCA1=VCCA1=2.97V
    mos              section=ff
+ W8 ]7 Y& x& F# H0 n6 c% s    transitor        section=bjt_ff
    resistor         section=res_ff

frankdhc

问题解决了，是芯片内部的原因，做了FIB后低温高温测试都正常了，原因是内部有对温度敏感的器件。
以下是客户的回答，也谢谢大家的关注。
我们这边研究分析后认为，2、3、4点基本上都是纯数字逻辑，而数字逻辑在低温下出错或出现timing问题的可能性很小。因此我们将重点怀疑对象放在了PHY的linestate输出即HS linestate的检测上。虽然在现有工艺模型的各个corner下我们仿真验证都没有发现问题，但考虑到我们linestate 检测所用的比较器中有使用与温度相关的PTAT电流，因此我们推测和低温下该电流有关。
实际上我们对设计进行了恶化仿真与分析，当我们将设计中的电流人为降低到30%后，在低温下仿真会看到linestate的检测出错的情况。原因主要是由于电流过小后比较器中部分器件工作到了压阈值区，比较器增益下降，比较出错。
在FIB方案中我们将该电流增加了一倍，从FIB测试结果看，我们的推测是正确的。但由于现有模型仿真上无法验证到该问题（我们之前应贵司的要求做了各种低温仿真），因此我们推测可能和model的准确性有关，也有可能和生产中poly 电阻的偏差有关。
, G6 ?' {- y/ \% V- A" b

frankdhc

多谢大家回复，问题正在查找中，找到USB PHY厂家 抓了握手信号后，他们分析的原因是
/ A! b$ F9 f, h! p% n" Y/ u5 M1.             此时PHY的linestate输出不正常；
, E% P7 i( Y/ A/ C9 h# H+ f2.             SIE检测linestate出错；
! V1 C3 _; X/ C. a9 m1 U1 k$ e# U) c3.             SIE检测到Chirp-JK至驱动TermSelect出错；
4.            PHY内部的45R终端电阻或控制出错

对芯片内部的东东一点都不懂，他们说今天给回复，我会及时更新问题结果告诉大家

qiangqssong

可能要检查下系统的时钟有没有正常起来,各电源电压是否是正常等......

frankdhc

qiangqssong 发表于 2013-11-22 15:09
可能要检查下系统的时钟有没有正常起来,各电源电压是否是正常等......

7 b) K/ I/ G; [7 ^9 x电源电压  时钟  复位  都是正常的 ；
! Q5 G1 I8 {* @/ P4 n  C今天问了一下同学，说是这个ref是内部与D+通过电阻连接，作为设备枚举使用的。
) U4 p" X2 c% A  M0 m" n* T* l但是还不太清楚内部是怎么回事  低温为啥电压 就不正常了

kobeismygod

USB的不太清楚，但是一般IC内部是有一个bandgap产生VREF输出的，但是这个bandgap的特点就是温度特性比较稳定，建议可以查查给bandgap供电的电源是那个？是不是有问题？

frankdhc

kobeismygod 发表于 2013-11-22 17:44
' _3 Q/ q& x" u" fUSB的不太清楚，但是一般IC内部是有一个bandgap产生VREF输出的，但是这个bandgap的特点就是温度特性比较稳 ...

; x8 I( u6 ]3 k) ]+ W我们这个芯片只有3.3V供电，其它的是芯片内部做的转换。你的意思是 芯片内部bandgap的电源有问题？
% w: c  Z; S% w& D' }) ?

newcomsky

常温下让vref尽量高不就行了吗？

wesnly

电容

kevin890505

常温正常？如果只是低温不正常那就查芯片电容吧。

jacklee_47pn

先確認芯片工作溫度範圍有沒有支持 -40度C。芯片工作溫度沒有支持 -40度C，不管怎麼調整USB都不會工作，即使有一、二芯片個會工作，那是算你幸運，不保證你的上千上萬的產品都會順利工作。

wesnly

查电容

frankdhc

wesnly 发表于 2013-12-10 13:22
4 ~& s. N/ b' g0 A3 J, `- c( ~查电容

大侠能说的具体一点吗？  查电容是基于什么考虑的？
" U8 ]& @  f4 P7 T6 a+ Z知道在低温时电流会消耗增大，特意在电源那加了一个100UF的电解，没什么效果。
1 h% O# M. M; B, B5 z/ e- a我们这个芯片有多种封装，我实验了64pin和80pin的芯片且电路不同，都出现了低温U口不识别的问题。

Vincent.M

有结果了吗？
先看芯片本身支持的工作环境吧。
5 I) n" b% s9 G" a$ q而且你这个-40°是已经保持一段时间了吧。
芯片如果支持-40°，那么再去查外围的吧，而且MLCC在-40°一般不会有问题，除非你有普通铝电解在用。
希望你给出更多的信息才好判断.

mimixigu

来学习的