power内缩的问题

七彩雨

如下图：层叠为top,gnd2,int3,power4,int5,int6,gnd7,bottom.如果2个gnd都内缩40mil,那么power应该内缩多少mil 呢，20h中的h应该为多少mil呢？
' y- I$ z4 e* }* ?$ k& D- M" j1 ~

xurids

h为5.1181mil，即第四层和五层之间的PP厚度，而实际画板时很难做到内缩20H，理论上的内缩100H也只能吸收98%通量边界，20H时也只有70%左右，所以应该依实际情况而定，你GND内缩了40mil，我觉得POWER内缩60就差不多了，当然有空间的话越多越好。

七彩雨

xurids 发表于 2013-12-2 15:12
h为5.1181mil，即第四层和五层之间的PP厚度，而实际画板时很难做到内缩20H，理论上的内缩100H也只能吸收98% ...

H不是指电源和地之间的介质厚度吗？5.1181mil是电源和int5的介质厚度吧。

xurids

七彩雨 发表于 2013-12-3 14:05
H不是指电源和地之间的介质厚度吗？5.1181mil是电源和int5的介质厚度吧。

不错，上面的确是我说的有问题，具体请看下面的讲解，其实你这个叠层没必要完全遵循20H原则，20H原则是为了让我们在PCB设计时要有这个意识就行了。

20H原则：
         是指电源层相对地层内缩20H的距离，当然也是为抑制边缘辐射效应。在板的边缘会向外辐射电磁干扰。将电源层内缩，使得电场只在接地层的范围内传导。有效的提高了EMC。若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内；内缩100H则可以将98%的电场限制在内。针对EMC
1. PCB设计中的20H原则？
% [! b/ @9 p7 K: R1 j' H, R"20H规则"的采用是指要确保电源平面的边缘要比0V平面边缘至少缩入相当于两个平面间层距的20倍。
+ K. {8 P" B. r! ?: ~这个规则经常被要求用来作为降低来自0V/电源平面结构的侧边射击发射技术（抑制边缘辐射效应）。
但是，20H规则仅在某些特定的条件下才会提供明显的效果。这些特定条件包括有：
1. 在电源总线中电流波动的上升/下降时间要小于1ns。
0 s( |; s  p8 j. Q* p8 u* q5 j8 u2. 电源平面要处在PCB的内部层面上，并且与它相邻的上下两个层面都为0V平面。这两个0V平面向外延伸的距离至少要相当于它们各自与电源平面间层距的20倍。
( L! V7 J* B4 x) P9 B3. 在所关心的任何频率上，电源总线结构不会产生谐振。
4. PCB的总导数至少为8层或更多。

七彩雨

xurids 发表于 2013-12-3 14:33
不错，上面的确是我说的有问题，具体请看下面的讲解，其实你这个叠层没必要完全遵循20H原则，20H原则是为 ...

说的很详细，谢谢你的帮助！

wangmin.f4

七彩雨 发表于 2013-12-3 14:51
说的很详细，谢谢你的帮助！

说的很好，解开了我的迷惑