在实际的仿真中，当我把PCB板上的trace转给shape后T提取Z参数，POWER SI仿真结果相比较直接作trace处理存在一定的差异性。+ n& d. N+ [6 t3 l \/ a) R
这个在高频时候的考虑我还认为可能是作为TRACE和平面的计算公式不一样所导致，后来在POWER DC中计算直流电阻都有很大的差异。- e: _ a/ b9 c
当时的回路电阻trace改shape之前为13毫欧左右，改了之后就12了，差别1个毫欧。0 S" B. }! r) D% V1 W7 c% Y
我换了几个PCB文件之后仍然存在。 $ U3 O0 B# X0 v. ~6 t" f F# n+ I* J+ _. Y& S o5 K( z
可否有人帮忙解释一下？7 w, A$ n* _8 i* o% d# L/ ?9 Y
在POWER SI中差异的理论支撑来自哪里？& V: Q& H) _4 P+ P4 y i( ~
在power dc中回路电阻的差异又来自哪里？" ~: R9 d6 t. H1 ^+ I
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发表于 2014-6-14 14:31
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