学毛大的书遇到的一点问题

lenhung

1.关于RDL，看过书后还不是很明白。能否在介绍下。
2，是否一定需要定义电源和地环（这里是否是为了设置wirebond导向线）？ring设置里对间距有什么要求（书里有700um和500um）。还有就是第一个ring和第二个ring的间距要求。
3，wirebond参数的设置。金线弧形的的设置，国内的封装厂有没有一些标准的弧形（刚入门这行，对工艺不熟悉），或者有没对wirebond工艺详细介绍的书。
) k( u  w+ @* ^, P8 D8 s4.finger的移动有没更好的方法，先select在选中在右键move很麻烦。
0 }: m1 A- ?$ P# y5.如果遇到bga有300个PIN，而信号只有80个。ballmap怎么排比较好？
1 [& F0 T, z9 |6.finger的大小？（这还是wirebond工艺的不熟悉）一般我们用到的finger是多大的，最小是多少？最大是多少？
5 ?$ B3 Z, g/ c& K% X! `7.finger在一个die里是否是用统一的大小。我可不可以把vss的finger做大一点？
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pjh02032121

1.关于RDL，看过书后还不是很明白。能否在介绍下。
RDL（redistribution layer），wirebond芯片的I/O pin一般是分布在芯片四周，为改变pin的位置，芯片在加工完成后，在芯片的表面再增加一层或多层布线以改变pin的位置，一般是做成flipchip形式。
芯片做RDL一般有两种考虑，一是性能，二是工艺成本。
想了解RDL的工艺过程，请参考：http://www.chipbond.com.tw/eng_service_03_02.aspx

2，是否一定需要定义电源和地环（这里是否是为了设置wirebond导向线）？ring设置里对间距有什么要求（书里有700um和500um）。还有就是第一个ring和第二个ring的间距要求。
7 n$ _0 w1 k* o1 W, D6 RPower/Ground Ring不是必须的，跟WB-guide-line也没必然联系。加P/G ring的设计，一般是处理器类的芯片，对PI有要求。
6 B) K& F. J( B: s9 |0 j. ZRing间距和宽度都是根据封装工艺和基板加工工艺能力来定的，目前间距50um，宽度100都没有问题。Ring做的宽对PI有益。

( p. v  c9 U; A( j! B3，wirebond参数的设置。金线弧形的的设置，国内的封装厂有没有一些标准的弧形（刚入门这行，对工艺不熟悉），或者有没对wirebond工艺详细介绍的书。
apd/sip软件里自带了K&S（最大的wirebond设备制造商）的标准弧形设置，你可以自己查看。
封装厂一般都不会看这些标准的，每个都有自己的标准，甚至每个工程师的标准都不同。
  ?% C% o6 J( o除非一些射频或高速的信号对金线弧形有要求外，一般不要给封测厂提额外的要求，省钱省事。
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; A. y; j9 D( t# W! n6 E3 Q4.finger的移动有没更好的方法，先select在选中在右键move很麻烦。
你可以在移动完一个finger后，右键advanced/set default...,这样软件会记住你的操作，下次再选择finger就可直接移动了。

" I8 ~' C6 e" J) v( ^& X5.如果遇到bga有300个PIN，而信号只有80个。ballmap怎么排比较好？
3 o1 X# Q- [, ?1 S, ^没特别要求的话，就近原则，finger扇出后直接via到ball，剩下的都电源和地，平均分布一下即可。
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6.finger的大小？（这还是wirebond工艺的不熟悉）一般我们用到的finger是多大的，最小是多少？最大是多少？
+ o/ ]; v' X% `finger最小有限制，最大没有限制。
/ F; Y: T/ a' w3 s# X5 _# X' A最小一般和金线直径和设备能力相关，现在做金线直径2倍宽度/4倍长度都已经很成熟了。实际设计中，最好参考封装厂的设计规则。

) S3 F' e, S/ M1 ^% P& i+ X# h+ u7.finger在一个die里是否是用统一的大小。我可不可以把vss的finger做大一点？
没有必要统一大小。P/G有时候要打多根线在一个finger上，必须做大才有足够的空间打下多根线。

lenhung

谢谢pjh02032121的解惑。谢谢！
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zane

@pjh02032121 版主好人，顺路了解了一下，不错哦。

gochip

版主厉害

SIP_newbie

我看了书上也不是太清楚，刚好看到这个。学习了。