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上电冲击电流的抑制

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1#
发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?

3 |' n4 h! c  j' j; ]3 z
    谢谢!
0 {+ U0 w# i: G

/ \; {" [1 t2 c: P3 R) i

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 15)

上电冲击电流.png

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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36
5 `" H! l) n/ ~+ q4 w5 m( |0 d我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。- W2 P: v: N7 m% z0 F% a# d
具体参数可以仿真一下,或者试一下

- Y$ x* Y1 S* Z% L1 y6 ^" C使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。0 S6 O. [6 X, N
2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。, O5 x# A9 l. j, X
所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。0 ^% e  G  N% f! Y. R
0 z. C# S" F: K8 K
$ }. Y; S& a3 y/ N/ m5 J

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37
; E. p) g6 a# S* V: N; V. r使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

4 ^! G4 i. q3 T# U/ c' v' m( R电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。% K( R9 ^- V5 M, {, Q
电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
9 c$ |' d8 X8 l0 R. C7 `这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。
/ o3 K, X; {% x  Z2 T后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。( d  _1 u, E7 t9 ]: X$ [, Z+ n

$ |2 ^, \( \# D/ [  n+ L
7 N. Y# [5 ]0 G

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估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31
: r% q) L3 V+ y* m* j为什么是N管呢,你确定能完全打开?

& H" {! D1 p) w9 M5 LG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。% d' d/ g: H! f* Q$ r
之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。

0 Z/ M! I9 h& Y5 Q9 z/ w; p, g6 n6 A% G/ u# M; D9 i% I

点评

哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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3#
 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34" }. a1 e/ {6 L
串联电感

- B: l& {  R; t  n5 R/ A" C- H在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
, z2 ]# T2 \+ Q, Q! Q' ~2 L

点评

串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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4#
发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

点评

G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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6#
发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20: V8 g2 d/ R: ]: ^+ U0 _7 w
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。+ t$ c( e: @$ T; L
之所以选择NOMS,而不 ...
/ d/ z" i  T% F: Y
哦 又学了一点呢 谢谢
' C2 t! S( `; f3 ~

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7#
发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:46
8 K% p! z* [9 Q5 M# v9 C在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。

2 y" Y/ P( G, P串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。: Z: `8 p$ w! o. J5 d. F
你再找高手问问吧。
6 {; l  w+ i/ L. ], u3 Z

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8#
发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变
3 j4 U& k( a# X, L& \+ A% d. c# d$ o4 U. c0 a* S
不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻' N" w; V3 z# f' M- B$ r

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9#
发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

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10#
发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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11#
发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.
/ e7 C# i% G4 i3 ?- f  a5 L, pSurge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.) j* ]# X8 j$ {0 P. f/ ?- `
A resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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12#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
2 T& z! T9 W" v- r, v' d, |串联电感
) \2 c! M1 S, A7 N0 x3 E- T
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过3 D8 @( |; F( [8 w% x7 i

点评

恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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13#
发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

点评

不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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14#
发表于 2015-6-20 12:52 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:591 h8 d( X6 ]% c- J8 g- x: i
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过

! H+ f! \/ @9 k, E# C% Q恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  C% R+ A% q& h9 n
( S0 K/ I) }+ b* O$ `3 @) k
  E1 h9 N' }3 x. ~3 V
) H) O, C; T0 `6 z- }

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15#
发表于 2015-6-20 12:53 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59
+ F/ X& S4 g- E1 q楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

. Q9 M0 X8 k$ m6 `! w  G5 P8 c不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
7 x) t! S( X" E. j

点评

容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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