找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 1094|回复: 7
打印 上一主题 下一主题

有关LPDDR2的PCB设计部分问题

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2015-8-20 16:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
Hello,各位大神:9 }8 s1 r8 f2 @( n& E/ L
          小弟最近准备做一个要用到LPDDR2(32位)的项目,在看资料时有一部分不明白的地方,特来请教。3 N  ~$ ]6 t$ B
          有关于等长,等距,和线束分组的问题。我在看DDR3资料上面说要进行分组,将DQ0-7,DQM,DQS,CLK分一个组,然后依次将32位分成四组,那么是不是LPDDR2的设计思路也是如此。还有看的一些资料上说所分的组必须在一个层上,如果要换层也必须都换层,是不是一定要这样。7 M9 ]/ \3 l, f
          那么小弟有一点不明白的地方是,如果按照这个分组来说,等长等距又应该怎么处理。我所了解到的等长一般都是数据线等长,没听说过这种分组还需要等长的。并且在等距上面所了解到的信息是DQS,DQM和CLK以及CLKn需要差分等距,这些应该怎么理解。还有就是地址线需要特殊处理么?我以前都是做一个等长就好。
- v. l8 q( i' S# s          还望有明白的大神能指点一二,帮小弟开开窍。谢谢了。" F- K1 M5 \; g4 h3 B. {$ J" W% T

该用户从未签到

2#
发表于 2015-8-20 17:35 | 只看该作者
不要死记硬背,理解了工作原理,就很容易了。找个规范大概过下工作过程,就容易了。: Z' t+ b; R$ J1 i& m3 D( K* Y
控制器操作memory,分了地址,时钟,控制,命令,这些信号是用来决定将来的数据是读写,怎么读写,读写哪里的问题,这几个都是参考CLK的,而且都是单沿触发,时钟是400M,信号也同步。那就对这些信号和时钟的时序,也就是建立/保持时间有要求,就涉及到等长了。
! W% W8 y! [/ V数据和上面的是分开的,决定了上面的东西后,就有了读/写(控制器到MEM还是MEM到控制器)的数据,D0-D7,DQM参考DQS,并且为双沿触发,时钟是400,这边就是800。. o) a# k" t/ C$ V) M8 ^

" w5 {( U7 {8 d8 U: x6 h( E这样就容易了撒,地址命令控制参考CLK,那么这些需要等长,就是保证采样的正确性了,这些速率相对数据低,加上拓扑原因,不必须同层。但要保证间距(串扰)和阻抗。起码1600以下要求没那么高。
9 u3 }& l: h9 {" l/ Q6 c6 U数据同样的,每组DATA有自己的DQM和DQS,那么DATA和DQM就要保证和其采样时钟DQS间的时序即简单理解为等长。但因为DATA是DDR,速率在那摆着,所以建议同组同层,而且,这个同组同层,因为同组DATA的8个是可以互换的,做到也很简单。还有就是,速率高了,如果不同层,每层过孔长度不一样,那么如果不计算过孔,你不同层没法做到等长,尤其是在1600M以上的时候很关键。
2 t, {; j$ C; `% |7 b+ ]: i+ m" R/ g' Q% H. f: h
直观简单的说下,没到位,也不是非常准确,理解了找个规范看下。一劳永逸,不用可以去记了起码。
/ v, j3 B& F& |: j) E+ I* c
4 Q( x! r2 n9 R- l0 L2 m" W

点评

顶kevin大神 最近花的一款ddr3,16位数据。分成三组,DATA0-7,DQS0,DQM0. DATA8-15,DQS1,DQM1. CLK,ADDR,CONTROL. DATA组内20mil,ADDR组200mil 最好clk偏长  详情 回复 发表于 2015-8-22 04:36
非常感谢,我好想明白了一些东西,我先去找个规范看看。谢谢你的耐心解答。  详情 回复 发表于 2015-8-21 16:53

该用户从未签到

4#
 楼主| 发表于 2015-8-21 16:53 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2015-8-20 17:35
# C9 D6 e! b! B- ]$ J9 b不要死记硬背,理解了工作原理,就很容易了。找个规范大概过下工作过程,就容易了。
  q- T1 |# y1 x$ y, D, q! P控制器操作memory,分 ...

# f! d& U% H. M6 H3 Q6 b( ~- N2 }+ ^非常感谢,我好想明白了一些东西,我先去找个规范看看。谢谢你的耐心解答。
  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-8-10 15:36
  • 签到天数: 36 天

    [LV.5]常住居民I

    5#
    发表于 2015-8-21 17:05 | 只看该作者
    LDDR2的话要求没那么高,毕竟速率相对低点

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2015-8-22 04:36 来自手机 | 只看该作者
    kevin890505 发表于 2015-8-20 17:35) O, D3 I2 f1 `! N
    不要死记硬背,理解了工作原理,就很容易了。找个规范大概过下工作过程,就容易了。+ g# ]0 k- ^, H0 n/ @. Z
    控制器操作memory,分 ...
    " a- n. j) z' ]8 A
    顶kevin大神( P) h) r/ y4 q; _
    最近花的一款ddr3,16位数据。分成三组,DATA0-7,DQS0,DQM0./ e' _; x2 d4 M# s$ Y* [
    DATA8-15,DQS1,DQM1.
    . h( K5 _8 }# a# J7 h" ^CLK,ADDR,CONTROL.& r* L  m9 W9 H9 F3 B
    DATA组内20mil,ADDR组200mil' B( C; N! u7 U. X
    最好clk偏长

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2015-9-22 10:30 | 只看该作者
    不错,感谢大神级回答,学习啦
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-10-31 17:06 , Processed in 0.140625 second(s), 27 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表