求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

2 K1 u( O( V' o
我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！

cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
' _" f! E8 L7 c, p为什么？？？

& W; N. O- u9 z/ s' V了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
" l0 ?) \/ v+ d. y0 r/ z3 p  aS11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。

咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
6 [) M# G" Z" p2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
, _' U2 h: f4 Y: k% `（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
7 V) v" R' |4 }（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
' d, G8 V1 _+ I2 j（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
3 c( c. c& n8 C5 f, }- b（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
/ K$ J; t0 P+ A  a; Y( B" u# X以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
. K' i6 |7 F5 c- R覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
5 l4 e* _: z: o# f端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

, |1 ^1 t! O8 X" F+ xsoga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么
: R, `4 n4 ^3 z+ p5 Q8 G  r

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。 ...

我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。
. F8 U) ?, G( D6 u: \6 `6 X$ n# x$ t

cousins

通俗的解释：
$ V' j* U& m0 k  x你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么？
. w& ^$ G: a8 h8 H3 X复杂一点的解释：
端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布，重叠了多余的导体，会使这部分导体中多出不真实的电场矢量，这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上，还怎么满足散射测量一致？

咚次哒次

小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
% O! V4 O8 d9 r! M1 A1 J4 F! L我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不 ...

楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确
' V0 T) K! ^5 s

小螺号

cousins 发表于 2016-3-26 21:39
通俗的解释：
* u4 _9 b7 g4 ?4 c, D% i- k你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...

$ d  T$ d: L) \! U  ^那如何设置才是正确的呢？

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08
, L  ~$ T7 w9 w; V, o% b2 N楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

0 U, ~$ d! R# @* C# `# m" A4 q6 w+ _我再琢磨琢磨，谢谢啦
. L# s  V% U$ K& Z6 w" o  K' B

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
9 w( |. g6 p  ?8 i那如何设置才是正确的呢？

$ G. u, N' b9 nlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。

, c+ \% q" h( k& L7 Z1 ~

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

7 ^% U2 l" V# ?# Z原来是这样，谢谢！
3 E* _0 I( b* J

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~
, a0 M: Q. z& h! E+ {4 d

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
! u+ s2 N4 m" v) S  o7 ?什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
' X; L, L8 O) \1 ]端口与导体面相切是仅仅一条边。
: X; z8 Y7 H1 a4 q' `( w4 d% ?0 g这样好理解了么？

cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

/ \* Q6 t! x( b0 r$ x+ a为什么？？？