求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

1 M/ B. [8 [+ ^6 J+ A我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！

( t+ n- N5 [& [9 F" ]* T

cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
# w1 k2 D1 Z. l  O为什么？？？

了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
  n  y2 s3 Z; lS11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。
0 S, ]7 Y# L, f" x
" v9 R* |0 j* C; H" G6 K- ?$ N( W

咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
, ~8 [: b7 f8 C4 M2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
% }$ f* z/ @$ ^8 c. q7 J, ]（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
, b* S: }- m. F* U端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

soga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么
$ i) q1 Q  Q0 r5 ^2 s

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49
1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。 ...

我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。
2 X4 U$ M$ q3 F

cousins

通俗的解释：
你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么？
复杂一点的解释：
# r. R- L  f) ~端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布，重叠了多余的导体，会使这部分导体中多出不真实的电场矢量，这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上，还怎么满足散射测量一致？

咚次哒次

小螺号 发表于 2016-3-24 22:35
我使用的终端驱动，集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错，这种设置应该也没错吧？我只知道集总端口不 ...

8 M" f5 i( |- C4 x6 c楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

小螺号

cousins 发表于 2016-3-26 21:39
* V, |9 J  ~0 {! L" O4 e  z" v通俗的解释：
! }% f  \# d) g7 |1 Q你用一束光从一种介质射入另一种介质时，当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...

2 k2 _. i7 O7 v0 Z! h, B那如何设置才是正确的呢？
( m0 Q7 C/ O6 o, N; K

小螺号

咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08
楼下回复的好有深度，读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题，虽然不知道到底正确不正确

0 o+ e8 j+ @* R我再琢磨琢磨，谢谢啦
) L' a9 h" H' R

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
+ ~0 ?, x% B! C* Z那如何设置才是正确的呢？

+ y, V1 [1 h) tlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。
8 i% Q) f3 p; Z! r  o
% R. n( ]- q' ^: t6 {$ J7 i. V

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
- I9 `* E# j2 a! e) l  olumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

8 s/ D# _5 f/ y2 x  c2 F$ a0 ?原来是这样，谢谢！

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
+ U& w- D" `: g2 L7 {: {端口与导体面相切是仅仅一条边。
. X( ^1 p! q  N) l" @1 b; {1 `+ T$ Y1 f这样好理解了么？
0 h; ?2 v( p9 F& j' v

cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

2 K  t' `# M$ O4 M; l! y为什么？？？