IBIS GND Clamp值测试方法

gadfly0317

最近在进行IBIS的建模，有问题想询问。
在建立I/O model时，需要测量Pullup，PullDown，GND Clamp和Power Clamp四张I/V图。
我的理解，测试GND Clamp是使用可变电压源，连接GND和output node，然后电压从-VCC到2VCC，然后得到电流值。
1 _( }/ r# ~- d0 Q" z6 W) m9 z那么，PullDown的电流如何得到呢？怎么感觉测试的测试点是一样的呢？

NIWO99

同问，会玩仿真的太少。

gadfly0317

后面我学习了IBIS Forum的Cookbook，其中有提到如何使用仿真的方法来从SPICE得到IBIS模型。
- a, O+ |: y, j/ ~7 _' C1.对应Pullup是让输出状态高，然后在输出和VCC之间加电压扫描，来得到对应的电流值。
4 E8 A4 g! O  m2.对应Pulldown是让输出状态置低，然后再输出和GND之间加电压扫描，来得到对应的电流值。
& d$ N8 C5 k9 X$ r* e1 W/ y3.对应PowerClamp是让输出高组态，然后在输出和VCC之间加电压扫描，来得到对应的电流值
4.对应GND Clamp是让输出高组态，然后在输出和GND之间加电压扫描，来得到对应的电流值。
+ ^6 r9 R+ e. `. E7 W
然后我按照这样的理解，使用了PSpice来仿真。
我在TI官网上下载了SN74LVC125A的IBIS和pspice模型。
然后用PSPICE画回路图，但是我仿下来GNDClamp是uA级的，但是IBIS模型是mA级的。所以我也不知道现在错在哪里了。
还需要继续研究。

tanghao113

期待楼主更新