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IBIS GND Clamp值测试方法

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1#
发表于 2016-5-3 14:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近在进行IBIS的建模,有问题想询问。3 P) f/ D: V' Y- P" U4 _
在建立I/O model时,需要测量Pullup,PullDown,GND Clamp和Power Clamp四张I/V图。
$ R- y7 f. v- [' q9 M) _1 e我的理解,测试GND Clamp是使用可变电压源,连接GND和output node,然后电压从-VCC到2VCC,然后得到电流值。
5 P( t6 T4 E8 V+ w那么,PullDown的电流如何得到呢?怎么感觉测试的测试点是一样的呢?  ^  w/ L1 J5 {# X. {* M! _
  T$ O! R+ }5 y+ i

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2#
发表于 2016-5-12 14:29 | 只看该作者
同问,会玩仿真的太少。

该用户从未签到

3#
 楼主| 发表于 2016-5-12 16:23 | 只看该作者
后面我学习了IBIS Forum的Cookbook,其中有提到如何使用仿真的方法来从SPICE得到IBIS模型。
3 _5 y% X3 a% ?, d- I1.对应Pullup是让输出状态高,然后在输出和VCC之间加电压扫描,来得到对应的电流值。" u- |" D9 N; K5 L5 z. k
2.对应Pulldown是让输出状态置低,然后再输出和GND之间加电压扫描,来得到对应的电流值。! D* s; e% p; M. ^5 o
3.对应PowerClamp是让输出高组态,然后在输出和VCC之间加电压扫描,来得到对应的电流值& C7 o# }+ x" b
4.对应GND Clamp是让输出高组态,然后在输出和GND之间加电压扫描,来得到对应的电流值。' g! o2 ~# |% G2 g5 b+ H

+ B0 o) S+ \9 S/ e8 |然后我按照这样的理解,使用了PSpice来仿真。& I5 o6 C; h" ~0 ^9 m& Z/ S4 a1 [
我在TI官网上下载了SN74LVC125A的IBIS和pspice模型。- }7 y1 k3 t8 K- X$ V4 n, a
然后用PSPICE画回路图,但是我仿下来GNDClamp是uA级的,但是IBIS模型是mA级的。所以我也不知道现在错在哪里了。* m/ _0 i, h# c  ^& B& S& g
还需要继续研究。

该用户从未签到

4#
发表于 2016-5-23 11:30 | 只看该作者
期待楼主更新
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