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楼主: beebeevincent
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xilinx demo DDR4&PCIE3&optical module

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该用户从未签到

256#
发表于 2020-4-13 09:13 | 只看该作者
look  look
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-3-11 15:49
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    257#
    发表于 2020-6-3 23:38 | 只看该作者
    学习一下

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2020-6-4 15:58
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    259#
    发表于 2020-6-4 16:03 | 只看该作者
    感谢分享,学习一下

    该用户从未签到

    260#
    发表于 2020-6-5 09:45 | 只看该作者
    qingtian52014 发表于 2018-1-5 15:043 C! e8 h7 r: ^  R+ L4 L& g$ S1 Q
    谁讲下 LAY20信号层,同层的DDR4的走线,同层为何不走一样的线宽?  其体现在DDR4的 地此线上面。若说是夹 ...
    : O2 D3 X' K" T
    对于差分线来说,前后两段线宽有差别,原因有两点,1.按原线宽出线,走线间距太近了,怕加剧串扰,所以改成小线宽来走线,同时小线宽和原线宽阻抗控制都可以做到一致的,就不存在阻抗不连续的情况。2.生产工艺的问题。对于单端走线那边,不同的线宽阻抗肯定会失配,但是主要小线宽这一段距离尽量小,满足芯片的要求,问题不大的
    0 _8 {' K6 }  P2 |& Y( E

    该用户从未签到

    261#
    发表于 2020-6-8 18:29 | 只看该作者
    谢谢分享------------
    - t; w, ]' D. `

    该用户从未签到

    262#
    发表于 2020-6-9 09:27 | 只看该作者
    下载学习了'
    & s! l7 p$ y2 i. R, k. P- _

    该用户从未签到

    264#
    发表于 2020-6-13 23:34 | 只看该作者
    学习下,多谢了。

    “来自电巢APP”

  • TA的每日心情
    开心
    2025-8-1 15:14
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    265#
    发表于 2020-7-6 15:01 | 只看该作者
    非常好的资料,学习下。

    该用户从未签到

    266#
    发表于 2020-7-17 12:42 | 只看该作者
    学习一下

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    267#
    发表于 2020-7-22 14:26 | 只看该作者
    感谢分享,学习了9 ^6 }" [8 _7 \+ C6 Z9 v# n

    该用户从未签到

    268#
    发表于 2020-7-30 10:45 | 只看该作者
    adfasdfasdfasdf# z! W; I/ F7 Q  w5 i. A

    该用户从未签到

    270#
    发表于 2020-8-9 19:55 | 只看该作者
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