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资深电源工程师7方面详解EMC设计

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发表于 2018-12-12 10:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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资深电源工程师7方面详解EMC设计
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        电源调试阶段应注意的细节
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        1、万用表先测试主电流回路上的二极管,MOSFET,有没有短路,有没有装反,变压器的感量与漏感是否都有测试,变压器同名端有没有绕错。
, m$ T7 U1 J, T        2、开始上电,我的习惯是先上100V的低压,PWM没有输出。用示波器看VCC,PWM脚,VCC上升到启动电压,PWM没有输出。检查各引脚的保护功能是否被触发,或者参数不对。找不到问题,查看IC的上电时序图,或者IC的datasheet里面IC启动的条件。示波器使用时需注意,3芯插头的地线要拔掉,不拔掉的话最好采用隔离探头挂波形,要不怎么炸机的都不知道。用2个以上的探头时,2根探头的COM端接同1个点,避免影响电路,或者夹错位置烧东西。5 ?8 V3 b: z6 l( I9 h; @
        3、IC启动问题解决了,PWM有输出,发现启动时变压器啸叫。挂MOSFET的电流波形,或者看Isense脚底波形是否是三角波,有可能是饱和波形,有可能是方波。需重新核算ΔB,还有种情况,VCC绕组与主绕组绕错位置。也有输出短路的情况,还有RCD吸收部分的问题,甚至还碰到过TVS坏了短路的情况。. {5 O, j0 }0 U/ Y
        4、输出有了,但是输出电压不对,或者高了,或者低了。这个需要判断是初级到问题,还是次级的问题。挂输出二极管电压电流波形,是否是正常的反激波形,波形不对,估计就是同名端反了。检查光耦是否损坏,光耦正常,采用稳压管+1K电阻替换431的位置,即可判断输出反馈431部分,或者恒流,或者过载保护等保护的动作。常见问题,光耦脚位画错,导致反馈到不了前级。431封装弄错,一般431的封装有2种,脚位有镜像了的。同名端的问题会导致输出电压不对。
. [7 c3 B! f5 c) [6 ^6 [' |        5、输出电压正常了,但是不是精确的12V或者24V,这个时候一般采用2个电阻并联的方式来调节到精确电压。采样电阻必须是1%或者0.5%。
" ~, m: G' O, T3 q6 O6 h- N% h9 V0 ~5 P        6、输出能带载了,带满载变压器有响声,输出电压纹波大。挂PWM波形,是否有大小波或者开几十个周期,停几十个周期,这样的情况调节环路。431上的C与RC,现在的很多IC内部都已经集成了补偿,环路都比较好调整。环路调节没有效果,可以计算下电感感量太大或者太小,也可以重新核算Isense电阻,是否IC已经认为Isense电阻电压较小,IC工作在brust mode。可以更改Isense电阻阻值测试。
6 d( M! Z7 \% ]2 d4 r- m! f        7、高低压都能带满载了,波形也正常了。测试电源效率,输入90V与264V时效率尽量做到一致(改占空比,匝比),方便后续安规测试温升。电源效率一般参考老机种效率,或者查能效等级里面的标准参考。
3 a; W- [  V7 ~( y7 |" W" |        8、输出纹波测试,一般都有要求用47uF+104,或者10uF+104电容测试。这个电解电容的容值影响纹波电压,电容的高频低阻特性(不同品牌和系列)也会影响纹波电压。示波器测试纹波时探头上用弹簧测试探头测试可以避免干扰尖峰。输出纹波搞不定的情况下,可以改容量,改电容的系列,甚至考虑采用固态电容。
+ e6 |  C) P& f) j0 E6 Q1 Y        9、输出过流保护,客户要求精度高的,要在次级放电流保护电路,要求精度不高的,一般初级做过流保护,大部分IC都有集成过流或者过功率保护。过流保护一般放大1.1-1.5倍输出电流。最大输出电流时,元器件的应力都需要测试,并留有余量。电流保护如增加反馈环路可以做成恒流模式,无反馈环路一般为打嗝保护模式。做好过流保护还需要测试满载+电解电容的测试,客户端有时提出的要求并未给出是否是容性负载,能带多大的电容起机测试了后心里比较有底。/ d2 J7 o. a3 O; ~% Z  y# n# @
        10、输出过压保护,稳定性要求高的客户会要求放2个光耦,1个正常工作的,一个是做过压保护的。无要求的,在VCC的辅助绕组处增加过压保护电路,或者IC里面已经有集成的过压保护,外围器件很少。0 x7 x( b2 w1 J; s
        11、过温保护一般要看具体情况添加的,安规做高温测试时对温度都有要求,能满足安规要求温度都还可以,除非环境复杂或者异常情况,需要增加过温保护电路。# C+ X( @7 P$ T9 x4 g, r4 h7 X, B3 c
        12、启动时间,一般要求为2S,或者3S内起机,都比较好做,待机功耗做到很低功率的方案,一般IC都考虑好了。没有什么问题。
0 D3 a, l2 O8 ^7 T. k( z& @        13、上升时间和过冲,这个通过调节软启动和环路响应实现。$ H4 i4 a/ w- Z$ e
        14、负载调整率和线性调整率都是通过调节环路响应来实现。
- X/ L( H: ]1 x% C        15、保持时间,更改输入大电容容量即可。6 A9 V: @6 C% b! t2 |) B, A
        16、输出短路保护,现在IC的短路保护越做越好,一般短路时,IC的VCC辅助绕组电压低,IC靠启动电阻供电,IC启动后,Isense脚检测过流会做短路保护,停止PWM输出。一般在264V输入时短路功率最大,短路功率控制住2W以内比较安全。短路时需要测试MOSFET的电流与电压,并通过查看MOSFET的SOA图(安全工作区)对应短路是否超出设计范围。
; j2 M# B& A- o0 v& a0 P0 O; j- @+ O        17、空载起机后,输出电压跳。有可能是轻载时VCC的辅助绕组感应电压低导致,增加VCC绕组匝数,还有可能是输出反馈环路不稳定,需要更新环路参数。* o) I. Y, M# c5 Z
        18、带载起机或者空载切重载时电压起不来。重载时,VCC辅助绕组电压高,需查看是否过压,或者是过流保护动作。
2 p2 j9 h6 |- W) q  t, r  P        还有变压器设计时按照正常输出带载设计,导致重载或者过流保护前变压器饱和。
: L+ k* F& Z6 Z, L' ~1 L) s        19、元器件的应力都应测试,满载、过载、异常测试时元器件应力都应有余量,余量大小看公司规定和成本考虑。 性能测试与调试基本完成。调试时把自己想成是设计这颗IC的人,就能好好理解IC的工作情况并快速解决问题。6 D7 f6 }) r/ @# I9 M
        4、EMC等测试之前的注意细节4 C" J$ I9 D- K  I2 ?. O( c4 y% V
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        1、温升测试,45℃烤箱环境,输入90,264时变压器磁芯,线包不超过110℃,PCB在130℃以内。其他的元器件具体值参考下安规要求,温度最难整的一般都是变压器。
4 Q1 _0 C+ q! J; w4 f; `7 Y: ~8 s        2、绝缘耐压测试DC500V,阻值大于100MΩ,初次级打AC3000V时间60S,小于10mA,产线量产可以打AC3600V,6S。建议采用直流电压DC4242打耐压。耐压电流设置10mA,测试过程中测试仪器报警,要检查初次级距离,初级到外壳,次级到外壳距离,能把测试室拉上窗帘更好,能快速找到放电的位置的电火花。
, P; y1 X* w3 Q5 G. c. }        3、对地阻抗,一般要小于0.1Ω,测试条件电流40A。
" R% Y* W- H! u- R& j% ]6 f        4、ESD一般要求接触4K,空气8K,有个电阻电容模型问题。一般会把等级提高了打,打到最高的接触8K,空气15K。打ESD时,共模电感底下有放电针的话,放电针会放电。电源的ESD还会在散热器与不同元器件之间打火,一般是距离问题和PCB的layout问题。打ESD打到15K把电源打坏就知道自己做的电源能抗多大的电压,做安规认证时,心里有底。如果客户有要求更高的电压也知道怎么处理。参考EN61000-4-2。
( n6 E# N8 G2 S+ |' F        5、EFT这个没有出现过问题2KV。参考EN61000-4-4。4 F* ~( y0 J# d' p
        6、雷击,差模1K,共模2K,采用压敏14D471,有输入大电解,走线没有大问题基本PASS。碰到过雷击不过的情况,小功率5W,10W的打挂了,采用能抗雷击的电解电容。单极PFC做反激打挂了MOSFET,在输入桥堆后加入二极管与电解电容串联,电容吸收能量。LED电源打2K与4K的情况,4KV就要采用压敏电阻+GDT的形式。参考EN61000-4-5。3 C$ k4 G4 P1 G2 G+ V
        EFT,ESD,SURGE有A,B,C等级。一般要A等级:干扰对电源无影响。
6 {& v8 a  ?9 A/ F) |9 j- S  K        7、低温起机。一般便宜的电源,温度范围是0-45℃,贵的,工业类,或者LED什么的有要求-40℃-60℃,甚至到85℃。-40℃的时候输入NTC增大了N倍,输入电解电容明显不够用了,ESR很大,还有PFC如果用500V的MOSFET也是有点危险的(低温时MOSFET的耐压值变低)。之前碰到过90V输入的时候输出电压跳,或者是LED闪几次才正常起来。增加输入电容容量,改小NTC,增加VCC电容,软启动时间加长,初级限流(输入容量不够,导致电压很低,电流很大,触发保护)从1.2倍放大到1.5倍,IC的VCC绕组增加2T辅助电压抬高;查找保护线路是否太极限,低温被触发(如PFC过压易被触发)。+ j7 @. \2 G6 ?
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        5、传导整改注意细节( d6 f+ }8 i$ m7 M1 f: z5 [6 f
        
# {/ X4 h, s, Q0 [: L' v        基本性能和安规基本问题解决掉,剩下个传导和辐射问题。这个时候可以跟客户谈后续价格,自己优化下线路。 跟安规工程师确认安规问题,跟产线的工程师确认后续PCB上元器件是否需要做位置的更改,产线是否方便操作等问题。或者有打AI,过回流焊波峰焊的问题,及时对元器件调整。
; b: v& g  I: B1 H& L1 C: A1 m        1、传导和辐射测试大家看得比较多,论坛里面也讲的多,实际上这个是个砸钱的事情。砸钱砸多了,自然就会了,整改也就快了。能改的地方就那么几个。1、这个里面看不见的,特别重要的就算是PCB了,有厉害的可以找到PCB上的线,割断,换个走线方式就可以搞掉3个dB,余量就有了。
4 P6 I, c* X$ M7 s; U& T$ w* G        2、一般看到笔记本电源适配器,接电脑的部分就有个很丑的砣,这个就是个EMI滤波器,从适配器出线的部分到笔记本电脑这么长的距离,可以看成是1条天线,增加一个滤波器,就可以滤除损耗。所以一般开关电源的输出端有一个滤波电感,效果也是一样的。  T2 m: Z2 |0 O7 Z4 b3 N/ G

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        6、辐射整改注意细节
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        1、PCB的走线按照布线规则来做即可。当PCB有空间的时候可以放2个Y电容的位置:初级大电容的+到次级地;初级大电容-到次级地,整改辐射的时候可以调整。1 r4 \- P* d& o5 q, E$ A- u5 E! N
        2、对于2芯输入的,Y电容除了上述接法还可以在L,N输入端,保险丝之后接成Y型,再接次级的地,3芯输入时,Y电容可以从输入输出地接到输入大地来测试。
* C5 K$ z$ d; t: q        3、磁珠在辐射中间很重要,以前用过的材料是K5A,K5C,磁珠的阻抗曲线与磁芯大小和尺寸有关。如图所示,不同的磁珠对不同的频率阻抗曲线不同。但是都是把高频杂波损耗掉,成了热量(30MHz-500MHz)。一般MOSFET,输出二极管,RCD吸收的D,桥堆,Y电容都可以套磁珠来做测试。
, G% t- m, n3 K, ?9 x9 d        4、输入共模电感:如果是2级滤波,第一级的滤波电感可以考虑用0.5-5mH左右的感量,蝶形绕法,5K-10K材质绕制,第一级对辐射压制效果好。如果是3芯输入,可以在输入端进线处用三层绝缘线在K5A等同材质绕3-10圈,效果巨好。
4 _6 u8 l# F3 G# n3 n# Y        5、输出共模电感,一般采用高导磁芯5K-10K的材料,特殊情况辐射搞不定也可以改为K5A等同材质。* O: M: h" D* h  v
        6、MOSFET,漏极上串入磁珠,输入电阻加大,DS直接并联22-220pF高压瓷片电容可以改善辐射能量,也可以换不同电流值的MOS,或者不同品牌的MOSFET测试。; c, d7 |4 x1 y! w, D  x6 r' }& |
        7、输出二极管,二极管上套磁珠可以改善辐射能量。二极管上的RC吸收也对辐射有影响。也可以换不同电流值来测试,或者更换品牌
0 m& F5 O& b, K        8、RCD吸收,C更改容量,R改阻值,D可以用FR107,FR207改为慢管,但是需要注意慢管的温度。RCD里面的C可以串小阻值电阻。
2 n5 @& R2 g! B. I0 N        9、VCC的绕组上也有二极管,这个二极管也对辐射影响大,一般采取套磁珠,或者将二极管改为1N4007或者其他的慢管。
7 S! I, h1 F. s/ p$ V6 c  m        10、最关键的变压器。能少加屏蔽就少加屏蔽,没办法的情况也只能改变压器了。变压器里面的铜箔屏蔽对辐射影响大,线屏蔽是最有效果的。一般改不动的时候才去改变压器。
$ B5 O# Q% \" C. D2 a. g* p        11、辐射整改时的效率。套满磁珠的电源先做测试,PASS的情况,再逐个剪掉磁珠。
+ j. l( [) }, `) B: ^, y        fail的情况,在输入输出端来套磁环,判断辐射信号是从输入还是输出发射出来的。
7 O* Y$ M, G7 z1 W+ J" X        套了磁环还是fail的话,证明辐射能量是从板子上出来的。这个时候要找实验室的兄弟搞个探头来测试,看看是哪个元器件辐射的能量最大,哪个原件在超出限值的频率点能量最高,再对对应的元件整改。
+ x0 r) _6 r8 W& W/ i        辐射的现象可以看成是功率器件在高速开关情况下,寄生参数引起的振荡在不同的天线上发射出去,被天线接收放大了显示出来,避免振荡信号出去就要避免高频振荡,改变振荡频率或者把高频振荡吸收掉,损耗掉,以至于显示出来值的时候不超标。
4 d6 r! j' U, _/ v8 [. n        磁珠的运用有个需要注意的地方,套住MOSFET的时候,MOSFET最好是要打K脚,套入磁珠后点胶固定,如果磁珠松动,可能导电引起MOSFET短路。有空间的情况下尽量采用带线磁珠。
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        7、PCB定型改版试生产注意细节/ |* `( Q+ z+ C- |/ t
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        传导辐射整改完成后,PCB可以定型了,最好按照生产的工艺要求来做改善,更新一版PCB,避免生产时碰到问题。" D* O" Z- G* {
        1、验证电源的时刻到了,客户要求,规格书。电源样品拿给测试验证组做测试验证了。之前问题都解决了的话,验证组是没问题的,到时间拿报告就可以了。
! B! t0 _9 |7 g# z& t1 N        2、准备小批量试产,走流程,准备物料,整理BOM与提供样机给生产部同事。
2 F9 m. u! o8 A) `# B$ x        3、准备做认证的材料(保险丝,MOSFET等元器件)与样机以及做认证的关键元器件清单等文档性材料。关键元器件清单里面的元件一般写3个以上的供应商。认证号一定要对准,错了的话,后续审厂会有不必要的麻烦。剩下的都是一些基本的沟通问题了。3 H- X: `) t6 \5 Z; u; d
        做认证时碰到过做认证的时候温升超标了的,只能加导热胶导出去。或者提高效率,把传导与辐射的余量放小。这种问题一般是自己做测试时余量留得太少,很难碰到的。
( b" N: q' m/ O2 [* @/ t        4、一般认证2个月左右能拿到的。2个月的时间足够把试产做好了。
7 t, H+ K: F- B( E$ F        5、试产问题:基本上都是要改大焊盘,插件的孔大小更改,丝印位置的更改等。
: K& R1 F7 y9 N( r) j" l        6、试产的测试按IPS和产线测试的规章制度完成。+ @& m3 G2 G8 a4 F& l+ m
        碰到过裸板耐压打不过的,原因竟然是把裸板放在绿色的静电皮上操作;也有是麦拉片折痕处贴的胶带磨损了。
/ k( X) q3 G  S# w        7、输入有大电容的电源,需要要求测试的工序里面增加一条,测试完毕给大电容放电的一个操作流程。( K8 M* U: b/ e4 }
        8、试产完成后开个试产总结会,试产PASS,PCB可以开模了。量产基本上是不会找到研发工程师了,顶多就是替代料的事宜。1 ?  N' \, P8 K; n( {* q
        9、做完一个产品,给自己写点总结什么的,其中的经验教训,或者是有点失败的地方,或者是不同IC的特点。项目做多了,自然就会了。
5 v" ^- k1 e1 W3 t" B" ]$ O        整个开发过程中都是一个团队的协作,所以很厉害的工程师,沟通能力也是很强的,研发一个产品要跟很多部门打交道,技术类的书要看,技术问题也要探讨,同时沟通与礼仪方面的知识也要学习,有这些前提条件,开发起来也就容易多了。2 T; m* f. C+ B; _& d
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        8、20年经验资深工程师的感慨
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        我顺便提一下,上面原理图中18的此饱和是500MT,即5000高斯,0,5特斯拉,普通铁氧体到不了5000吧,顶多4000,好像才3500吧,所以一般的磁通密度选择1500高斯,变压器小的可以选大一些,变压器大的要选小一些,频彔高的减小频彔低的可以大一些吧。
% l. F, u: k9 i+ z( Z% v) _7 [        从我干开关电源近二十年,算是老手了,我非常深有体会的是,开关电源最难的是环路参数,非常不好确定,普遍不大稳定就是环路没有调好,这个是一个大问题了,太多搞不定的就是这个问题了,还有变压器参数的选择也是一个难点,有人说变压器的分量非常大,确定多少匝比,规格,如果铁损线损一样最好,绞在一起了,无法确定哪个多哪个少了,还有,如何确定磁通密度多少为最合适,也是非常难了,这个多年的经验非常重要,许多人变压器不懂设计,还有,风铃可以磁通大一些,自冷要小一些,都不是一件容易的事情。
4 u  G  \/ P* @+ [        现在是很多人知识匮乏,没有无线电技术的知识,那一些新手根本不懂,把PCB布成整齐的非常随意的任意走线了,很像精细,那根本胡闹,不能用的版了,新一代的知识多元化,诱惑太大了,什么人都可以上大学了,比如一些职高的普高没毕业的人也上大学了,应试教育也是大问题,人才质量不行了,什么也不懂的人多了,他们照样搞开发,能做成什么好产品,最重要的是知识和学问,却又是最不在乎是又是学问,浮躁社会浮躁的人,满脑子就是短平快,要知道欲速则不达,只会抄袭模仿拿来主义山寨之风,模仿制造低劣产品,因为所谓的开发人员就是搬运工,而且所谓人才流动,半拉子一下就飞了,成了政治资本,干过了什么项目,还有不少其实是调试工,技术人员,冒充什么开发人员,老板急于求成,用的其实是伪人才,伪人才只能制造伪劣产品了,就是只会克隆产品复制了,还做不好,大功率的其实不少老外的产品哪个做成了,小功率的相对容易简单一些不少还是做成了,但做不好的多多了,! `) v/ ]6 A1 n8 _
        我谈这个是非常普遍存在的社会现实,比如一位做12伏100安,抄袭模仿八九个月没有做成,最终失败打水漂了,其实可以做成的,我见过那个产品,同开发人员一交流,发现学问不行,我对那位陈老板说凶多吉少九成以上要失败的,他不信,就是我完全模仿一个地方也不能漏下,难道做不成,结果呢,真的做不成了,相当多人都以为一抄就成一步到位,总是这么说,结果岂不,哪个成功了,一败涂地了。其实,那个12伏100安真的不难,就是要有一些学问,失败的原因就在这里了。: V( k, D. p; F! h- ?
        原谅我谈了别的方面的了,不过,确实千真万确,非常普遍而且常态化的我们这个社会的现实了,普遍的从业人员就是知识匮乏,技术和能力不行,就是生搬硬套,克隆主义至上,,好像我们这个社会就是假大空的社会,多数的产品都是这么去干的。成了不少其实有不少老外非常不错的产品,我都见过不少了,怎么都没有见到我们做的实际产品了,其实大帮小帮都在抄袭,怎么见不到东西呀,因为都失败了打水漂了,我在这里说了大实话的,非常真实的不要误解了。如果有何不妥,多多见谅吧。; E7 Q8 r: P1 K9 g& h
        有一个非常真实的事例,比如01年我国一公司就做成了LLC多谐振的产品,由于效率高一时非常轰动,模仿者也登门而至,我是在03年初开始非常费劲,与同事大半年了,说来奇怪,原机占空比大仿做的就小了,当时的土办法就是把环流加大,但效率降低了,另一家深圳的某一家公司一直做不成,耗了不少财力,老板火了起来把那位总工炒掉了。我03年底离开了,改用SG3525,主结构有了,按照规律,3525的死区时间还可以调整呢,占空比大了,就这样做成功了,我是不会生搬硬套,比较灵活的,人家做不成做不好我就可以做到了,这种情况很多,所以不要完全克隆死板做,必须要会搞电路设计,如果是这样,好多产品是可以做成的,可以模仿参考,结合自主设计,我的这一事例不也充分说明了吗,学问和灵活最重要了,就是这么一回事。真正模仿成功还做的不错的技术功夫也非常不错了,许多人不懂这个道理,就是难道不成,不相信,真的如此,失败多多了,即使一些做成了,也是不三不四的,产品性能和质量是一个大问题,还是一句话,伪人才制造伪劣产品,现实上伪人才多得去了,产品冒牌货多同样的人才冒牌货一样多了,其实,大家相信的倒是谎言的多,一抄就成一步到位就是成了最大的谎言了。满口子多么省事节省成本,甚至更有甚者,全打包连图纸都没有,坏了就是修电器一样,把坏的找出来换掉就可以了,这个就是投机主义干事了,肯定这样做的问题特别大,他们就是把财力花在营销广告战了。
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