TA的每日心情 | 开心 2019-11-19 15:19 |
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工程师经验分享:开关电源的EMI设计
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4 Q" T' ] i7 j! w1 K4 Z! J4 H+ { 开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。
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9 A, u' w1 Q. [" ] 1.开关电源的EMI源
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2 f% W) A* }; l3 a6 v' R% o7 k 开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等,外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。- ~) C Y+ e3 d: P% c
" a) I; ~# M5 l/ W9 [
(1)功率开关管
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% `" p; n" l/ r) o# _9 S/ P4 j 功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态,dv/dt和di/dt都在急剧变换,因此,功率开关管既是电场耦合的主要干扰源,也是磁场耦合的主要干扰源。% b8 w3 u* |5 ]
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(2)高频变压器
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高频变压器的EMI来源集中体现在漏感对应的di/dt快速循环变换,因此高频变压器是磁场耦合的重要干扰源。
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1 l0 n) e; d' p+ U- Y3 p (3)整流二极管1 L2 Q4 g+ G# ? l( k- z( b
3 G6 b9 b) f$ b2 @: I' \! | 整流二极管的EMI来源集中体现在反向恢复特性上,反向恢复电流的断续点会在电感(引线电感、杂散电感等)产生高dv/dt,从而导致强电磁干扰。
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( g. L5 ]6 J3 K( F/ F, g (4)PCB, s; ~2 o1 ]1 [1 S. @( Z
( a w. k' K4 u- p. } 准确的说,PCB是上述干扰源的耦合通道,PCB的优劣,直接对应着对上述EMI源抑制的好坏。6 e% e [5 L: ?: H+ A
2 X& Y; o, V: k/ i3 L6 ?) G 2.开关电源EMI传输通道分类# m! V+ }9 H& s* I; D
( e* K- j9 e5 t. A% Y* |! q (一)传导干扰的传输通道
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) b1 b1 C: w- I! {2 B. C7 ~ (1)容性耦合
! K* H: W- y* k3 D
* ^1 f7 t/ C) h (2)感性耦合9 x" H) p/ u: w. M! v
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(3)电阻耦合
" {2 |, a8 B1 S! H; I! n+ ~' q# e! q% d: ~7 i/ n4 @$ Q
a.公共电源内阻产生的电阻传导耦合% ~7 ~. k! y$ @( ?4 G6 A0 l* r# `
1 i( |6 l$ W9 ~: L% E b.公共地线阻抗产生的电阻传导耦合
. B5 r/ V/ h$ _7 ]4 z' K
% ]8 f1 m# y, U4 }! `4 O' x A c.公共线路阻抗产生的电阻传导耦合
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(二)辐射干扰的传输通道
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(1)在开关电源中,能构成辐射干扰源的元器件和导线均可以被假设为天线,从而利用电偶极子和磁偶极子理论进行分析;二极管、电容、功率开关管可以假设为电偶极子,电感线圈可以假设为磁偶极子;+ N4 c8 x# [, j/ s* A7 K
6 i8 b- G- r. _( S( _ (2)没有屏蔽体时,电偶极子、磁偶极子,产生的电磁波传输通道为空气(可以假设为自由空间); d& Q/ b1 w9 G$ K% \1 M* i! i
% j% {/ S$ c6 T1 Q+ z (3)有屏蔽体时,考虑屏蔽体的缝隙和孔洞,按照泄漏场的数学模型进行分析处理。
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' I0 N, `# G+ F 3.开关电源EMI抑制的9大措施
. E* U( G, e7 \! P$ O; k! R8 k! c* l- y5 \# o0 v
在开关电源中,电压和电流的突变,即高dv/dt和di/dt,是其EMI产生的主要原因。实现开关电源的EMC设计技术措施主要基于以下两点:
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4 j; G# U2 r& r% | (1)尽量减小电源本身所产生的干扰源,利用抑制干扰的方法或产生干扰较小的元器件和电路,并进行合理布局;
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5 w# s# A/ F: n/ N! R8 ]+ D (2)通过接地、滤波、屏蔽等技术抑制电源的EMI以及提高电源的EMS。- m' z2 p+ y$ A! ~3 r
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分开来讲,9大措施分别是:8 V% X# J6 W6 T* Q8 H% a5 @
' Q0 l' V8 n# r: ?) [
(1)减小dv/dt和di/dt(降低其峰值、减缓其斜率)( b5 F: N( y4 g/ n1 e
2 T% Z5 b6 O5 e6 E. }& M (2)压敏电阻的合理应用,以降低浪涌电压; z/ }" `; V; j2 P$ v* J
- @& S3 i$ O# S$ ]- |1 p* ]0 y
(3)阻尼网络抑制过冲7 P2 c, p3 v9 B& Y( M' C5 B
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(4)采用软恢复特性的二极管,以降低高频段EMI
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(5)有源功率因数校正,以及其他谐波校正技术' l9 `/ t, f: j) v U- p' _
1 d9 {1 @) O; d$ \ [1 B8 Q6 \: g (6)采用合理设计的电源线滤波器! S0 _3 G- j& D. ]3 M
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(7)合理的接地处理4 p& E- G( @$ t$ A0 _: g
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(8)有效的屏蔽措施
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C2 I4 Q2 L2 s; j1 ? (9)合理的PCB设计
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4.高频变压器漏感的控制
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高频变压器的漏感是功率开关管关断尖峰电压产生的重要原因之一,因此,控制漏感成为解决高频变压器带来的EMI首要面对的问题。7 S+ G* F8 f0 C2 m. S% P# }
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减小高频变压器漏感两个切入点:电气设计、工艺设计!
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& L3 C2 Q5 j/ x1 {& `7 M (1)选择合适磁芯,降低漏感。漏感与原边匝数平方成正比,减小匝数会显著降低漏感。
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(2)减小绕组间的绝缘层。现在有一种称之为“黄金薄膜”的绝缘层,厚度20~100um,脉冲击穿电压可达几千伏。
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- L/ G4 |# X0 I8 A (3)增加绕组间耦合度,减小漏感。5 s) L& ]+ ^ A) A: C8 ~
$ u0 C. g, {6 W( T, l, e 5.高频变压器的屏蔽. o# X8 F* q" K( P/ F, b0 ~; }. E1 |2 f
6 E6 {8 m* p' z i& q" V 为防止高频变压器的漏磁对周围电路产生干扰,可采用屏蔽带来屏蔽高频变压器的漏磁场。屏蔽带一般由铜箔制作,绕在变压器外部一周,并进行接地,屏蔽带相对于漏磁场来说是一个短路环,从而抑制漏磁场更大范围的泄漏。) y; f" R. V) X j! |
- X, Z/ t6 k# {( o3 T3 P$ }1 m0 K 高频变压器,磁心之间和绕组之间会发生相对位移,从而导致高频变压器在工作中产生噪声(啸叫、振动)。为防止该噪声,需要对变压器采取加固措施:
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4 U9 e. F+ Z+ w* u (1)用环氧树脂将磁心(例如EE、EI磁心)的三个接触面进行粘接,抑制相对位移的产生;4 q- F: N6 h7 a( j8 y& i
& A9 F) l2 ?$ m5 N (2)用“玻璃珠”(Glassbeads)胶合剂粘结磁心,效果更好。+ b: o2 K, [/ W: ^8 C
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