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本帖最后由 Vincent.M 于 2009-3-27 14:40 编辑 9 f$ h+ Y+ W! m5 W: B( c6 R% b
在通过电源和地路径的电流发生变化时，在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小，可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。5 y. ]0 I' k# R- {
但是怎么样能够减小这个噪声，难道就只有使电源路 ...+ Q- t6 T9 x) S' U6 Y
even_zhou 发表于 2009-3-26 10:00 ![]()
这个问题不好回答，最好有实际经验，根据情况来逐个分析并提出解决方案，我的经验也很少，以下是我个人的总结！! [" O9 {0 f* v
增加旁路及去耦电容：
- ?9 S$ H% J1 F* `1、不同等级的电容稳压：Bulk电容为存在大量慢充放电电压的区域稳压，小电容提供少量快充放电区域的稳压
" V, _: I, n& Z0 Q9 f- ]9 P2、不同电容值的去耦电容：低频去耦、低ESL的高频去耦电容。去耦电容要紧靠IC与电源层及地层的连接部位。
" V, T5 P( Z" x2 ^1 ?4 i3 {/ r* n$ T' \/ N. t; d! J
过孔：
1 l- _, y; R3 s3 X% A/ Q4 @% Y: v1、尽可能的少用过孔" u6 ]$ |9 n2 ~( O. t
2、如果必须用过孔，在过孔反焊盘不产生内电层开缝的情况下，过孔之间要紧挨着，以增加过孔间互感，从而减小电流回路总感抗
) F/ ]+ X6 W) Q S
; t% V) H; ]9 y6 P2 M4 h电源和地层的分布：
; O% I4 ~1 P, T' [, n _1、以增加层间固有电容的原则设计层叠方案，即产生低频去耦作用
/ B- H5 V K' r0 c5 u: G2、减小层间谐振阻抗：减小层间距、增大ER、增大介质损耗" g8 u0 x+ W( k. G! @ S1 ]" s, B
) d7 L9 }' Y" u. s( Y4 P# `
IC:* H. l" u, P0 t7 v% G" w" t/ y3 L
1、选用低自感的ic封装' e+ U% P. k; V: X
2、少用IC插座: ~4 ]- [: e7 Y# |9 v' |
3、选用多电源管脚的IC |
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发表于 2009-3-26 10:00
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发表于 2009-3-26 19:56
