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本帖最后由 Vincent.M 于 2009-3-27 14:40 编辑
4 b& u8 k- L, |6 R) |在通过电源和地路径的电流发生变化时，在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小，可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。4 {6 S. X% {) P. B
但是怎么样能够减小这个噪声，难道就只有使电源路 .../ s; s/ t0 e+ @; }- p) x. `! J5 ]
even_zhou 发表于 2009-3-26 10:00 ![]()
) z! N- X! G3 u* q4 a1 p这个问题不好回答，最好有实际经验，根据情况来逐个分析并提出解决方案，我的经验也很少，以下是我个人的总结！3 V1 E6 o% b1 J' V7 F6 R$ Y& j. u
增加旁路及去耦电容：
. L) v1 B! n( M% t1、不同等级的电容稳压：Bulk电容为存在大量慢充放电电压的区域稳压，小电容提供少量快充放电区域的稳压' z3 c# m3 z( d
2、不同电容值的去耦电容：低频去耦、低ESL的高频去耦电容。去耦电容要紧靠IC与电源层及地层的连接部位。4 N6 W# J9 P. q/ D; o
. L, x) m$ v) H7 {1 c过孔：
5 [5 X9 C8 p' i5 D2 R& ^1、尽可能的少用过孔
4 h5 ?& C# O+ H$ S2、如果必须用过孔，在过孔反焊盘不产生内电层开缝的情况下，过孔之间要紧挨着，以增加过孔间互感，从而减小电流回路总感抗
0 o1 r$ D+ K# u
: }* ]4 U% }/ U1 z$ [- [, }电源和地层的分布：: k, F) o) ?! X1 W- c$ ?' E# {5 i
1、以增加层间固有电容的原则设计层叠方案，即产生低频去耦作用3 D1 a/ u6 B* j, ^6 t
2、减小层间谐振阻抗：减小层间距、增大ER、增大介质损耗
0 Y) d) @: W: b, k1 O. U; j0 \+ q: K( T8 D" L5 t4 p: H3 i
IC:
1 w% `1 \: T4 t& ]7 |; z. `1、选用低自感的ic封装
$ `( Q+ ~* S1 @7 F& |0 b2、少用IC插座
, Q2 l& y5 G8 U1 Y3、选用多电源管脚的IC |
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发表于 2009-3-26 10:00
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发表于 2009-3-26 19:56
