|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
STN3NF06L详细规格2 z. W; |6 Z# `8 M/ X) | ^& _9 t6 z
: {6 u8 o. Z0 a+ `" w! R& c/ O$ c( D' R1 z! v% U
/ a: f) \$ |7 ], e/ O% R( f7 G4 t+ F; _9 Y: G" T* ~' V+ H* E9 y
类别：FET - 单 3 Q; v. N9 M8 R9 K
描述：MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
7 H/ z% O6 i( T8 l% W& D3 j3 H系列：STripFET? ; y5 U% C; i0 Q% `, `; l$ B
制造商：STMICroelectronics 6 w: W2 K3 z& Z }% B
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
% V( s- f0 Z' _- Z h O5 wFET特点：逻辑电平门
2 o) A- z$ B; Y f5 @漏极至源极电压333Vdss444：60V * Q* C5 z$ t2 z7 M1 @! Y
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A $ g: y6 h% Z. L0 p7 w; m
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.5A，10VId时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250?A闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
- ]6 V! O" t6 O$ |0 V* W输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V - \+ }0 d# W+ K) Z2 O# R( F
功率_最大：3.3W , m V: B$ D1 K
安装类型：表面贴装
# X' z+ ]2 o6 R9 A封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA # f1 D. D2 I! L9 N# C& y
供应商设备封装：SOT-223 $ V- s+ v! q4 B/ t
包装：Digi-Reel - y/ e- h; A% o2 G6 j' v+ g1 a6 Z
典型的RDS（ON）＝0.07 2
! ^* Q; N; I, V' ~" x P c- b特殊DV/dt能力 Avar锚固结技术 100%阿瓦尔锚试验 低阈值驱动
% _' p( ]1 X5 @7 I1 |描述 - W8 Q4 w2 I. a, X' _! T! t
这种功率MOSFET是STMicroelectronis独特的“单特征尺寸TM”条带工艺的最新发展。所得到的晶体管表现出极高的封装密度，用于低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的临界对准步骤，因此具有显著的制造再现性。
7 C6 K! ?" j' x* y/ D应用 0 i& i+ f( h7 }, u
8DC-DC和DC-AC转换器
2 q; L. t) T: _* ]直流电机控制（磁盘驱动器等）
`/ N# _2 o# V/ M. e) a同步整流 |
|
/1 
发表于 2019-3-1 10:13
收藏
淘帖
支持！
反对！