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STN3NF06L详细规格

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发表于 2019-3-1 10:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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        STN3NF06L详细规格4 K; {! e% D* m3 o9 G

" |) G; w4 m2 E8 E2 M) R6 U* n2 s, W0 i  S

# W( \2 D0 f+ D; p) c# w+ v, o, H* C, ~" k; [9 F
类别:FET - 单  ! u: F+ E- ^4 V- o, G, _) A
描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT223  2 Z' V, b& M+ d' Z
系列:STripFET?  0 Y, q1 X7 H  J4 [9 J9 h9 e
制造商:STMICroelectronics  
+ W, J% r) H) K2 g5 F+ O$ MFET型:MOSFET N 通道,金属氧化物  
& E' |6 L% v) gFET特点:逻辑电平门  6 C  U6 V& W% e1 J
漏极至源极电压333Vdss444:60V  
- p3 [; F) s$ F& l# Q  W) ?* M电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A  / n$ d( g4 p( T0 U( U# K/ \* v
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 1.5A,10VId时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250?A闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 5V  
% Y1 U5 W6 _* f+ F5 _* N/ q; a1 w输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V  # h' H8 ]* v% }: g& F
功率_最大:3.3W  
# |* i. f- \. J! L8 Y( k安装类型:表面贴装  
8 @- S" b6 O3 ~封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA  ' u' N. ?! j9 n. D2 A. A! z
供应商设备封装:SOT-223  
! F5 J5 ]4 g* j) W) M! t7 Z. q/ A包装:Digi-Reel  - t" f% Y$ y% w/ F" ]2 @6 }7 m0 m
典型的RDS(ON)=0.07 2  & f. q% b& T7 |/ S4 g, }
特殊DV/dt能力  Avar锚固结技术  100%阿瓦尔锚试验  低阈值驱动  
: T" P7 K2 X- ]2 z* K- o描述  2 l, t6 N8 a2 @
这种功率MOSFET是STMicroelectronis独特的“单特征尺寸TM”条带工艺的最新发展。所得到的晶体管表现出极高的封装密度,用于低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的临界对准步骤,因此具有显著的制造再现性。  9 m. h  V5 D! \4 {& n3 O
应用  + h3 n" f: Q& _  D! V, _; t
8DC-DC和DC-AC转换器  
9 B" h% q. K6 f1 j- t7 q: ^直流电机控制(磁盘驱动器等)  # I! n1 K2 E4 Z0 A* Y
同步整流      
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