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STN3NF06L详细规格" o5 o2 }( v- G8 R& {0 M- }
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% P& C; ~/ I6 w$ r
y5 ~7 s2 q, I5 k1 v$ h/ l5 [; Z8 E* G
类别：FET - 单
5 O, K1 W7 F9 @) C描述：MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
/ k( w [! h3 g系列：STripFET? ! f! {1 d( d% ?, @$ O) b" m+ Z% r) K
制造商：STMICroelectronics , q j( o' O: M: S
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
! i* e7 J% Z( s' ~+ c4 @FET特点：逻辑电平门 ' W+ H, s- Z2 f4 E k9 O( `" n
漏极至源极电压333Vdss444：60V _* l4 P) n. ?; u+ l2 N! U% p/ K0 m' {% I
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
& l ?. ]6 n( R' H2 o: R- d开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.5A，10VId时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250?A闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
' D5 C2 m2 [* j: q; u输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V
; C q& R7 B# c& m6 S" F功率_最大：3.3W
7 W( R/ ?2 {6 S* W; |6 s/ [% f安装类型：表面贴装
' W" y. Y9 M" A/ W! f封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
& y$ |0 P/ |0 u6 G) K供应商设备封装：SOT-223 + p$ R/ M* b2 [: Q# [! e
包装：Digi-Reel . q- p' `' W0 Z, y5 u
典型的RDS（ON）＝0.07 2 6 ?' X: _7 C( s! s* Y0 h
特殊DV/dt能力 Avar锚固结技术 100%阿瓦尔锚试验 低阈值驱动 - N% J4 v4 h+ P0 L+ u5 {
描述 ' |3 j5 L# |4 |1 V9 E
这种功率MOSFET是STMicroelectronis独特的“单特征尺寸TM”条带工艺的最新发展。所得到的晶体管表现出极高的封装密度，用于低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的临界对准步骤，因此具有显著的制造再现性。
$ F$ t6 r( O. E1 K应用 6 M2 C4 F% P2 z0 G x$ E+ Y
8DC-DC和DC-AC转换器 ( L5 g% w4 M$ s' m+ U: ~: L- P' |
直流电机控制（磁盘驱动器等） : O: N6 h, ?( [' B
同步整流 |
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发表于 2019-3-1 10:13
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