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STN3NF06L详细规格4 K; {! e% D* m3 o9 G
" |) G; w4 m2 E8 E2 M) R6 U* n2 s, W0 i S
# W( \2 D0 f+ D; p) c# w+ v, o, H* C, ~" k; [9 F
类别：FET - 单 ! u: F+ E- ^4 V- o, G, _) A
描述：MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 2 Z' V, b& M+ d' Z
系列：STripFET? 0 Y, q1 X7 H J4 [9 J9 h9 e
制造商：STMICroelectronics
+ W, J% r) H) K2 g5 F+ O$ MFET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
& E' |6 L% v) gFET特点：逻辑电平门 6 C U6 V& W% e1 J
漏极至源极电压333Vdss444：60V
- p3 [; F) s$ F& l# Q W) ?* M电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A / n$ d( g4 p( T0 U( U# K/ \* v
开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 1.5A，10VId时的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250?A闸电荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 5V
% Y1 U5 W6 _* f+ F5 _* N/ q; a1 w输入电容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V # h' H8 ]* v% }: g& F
功率_最大：3.3W
# |* i. f- \. J! L8 Y( k安装类型：表面贴装
8 @- S" b6 O3 ~封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA ' u' N. ?! j9 n. D2 A. A! z
供应商设备封装：SOT-223
! F5 J5 ]4 g* j) W) M! t7 Z. q/ A包装：Digi-Reel - t" f% Y$ y% w/ F" ]2 @6 }7 m0 m
典型的RDS（ON）＝0.07 2 & f. q% b& T7 |/ S4 g, }
特殊DV/dt能力 Avar锚固结技术 100%阿瓦尔锚试验 低阈值驱动
: T" P7 K2 X- ]2 z* K- o描述 2 l, t6 N8 a2 @
这种功率MOSFET是STMicroelectronis独特的“单特征尺寸TM”条带工艺的最新发展。所得到的晶体管表现出极高的封装密度，用于低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的临界对准步骤，因此具有显著的制造再现性。 9 m. h V5 D! \4 {& n3 O
应用 + h3 n" f: Q& _ D! V, _; t
8DC-DC和DC-AC转换器
9 B" h% q. K6 f1 j- t7 q: ^直流电机控制（磁盘驱动器等） # I! n1 K2 E4 Z0 A* Y
同步整流 |
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发表于 2019-3-1 10:13
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